高(gao)溫四(si)探針測(ce)試儀(yi)-北京華(hua)測(ce)試驗(yan)儀(yi)器(qi)有限公(gong)司

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壓電材料電場(chang)應(ying)變特(te)性(xing)的測(ce)試儀(yi) 激(ji)光測(ce)振儀(yi) 傳(chuan)感器(qi)多(duo)功(gong)能綜(zong)合(he)測(ce)試系(xi)統先(xian)進功能材料(liao)電測(ce)綜(zong)合(he)測(ce)試系(xi)統長(chang)期(qi)耐腐(fu)蝕老化(hua)試驗(yan)平臺(tai)- 高(gao)電場(chang)介(jie)電、損耗(hao)、漏(lou)電流測(ce)試系(xi)統阻(zu)抗分析(xi)儀(yi) 鐵(tie)電綜(zong)合(he)材料(liao)測(ce)試系(xi)統鐵(tie)電分析儀(yi) 高(gao)壓(ya)功率(lv)放大器(qi) D33壓電系數測(ce)試儀(yi) 高(gao)溫介(jie)電溫譜(pu)測(ce)試儀(yi) 熱(re)釋(shi)電測(ce)試儀(yi) TSDC熱(re)刺激(ji)電流測(ce)試儀(yi) 高(gao)壓(ya)極化裝(zhuang)置高(gao)低溫冷熱(re)臺(tai) 簡(jian)易探針臺高(gao)溫四(si)探針測(ce)試儀(yi) 多(duo)通道電流采集(ji)系統(tong) 高(gao)真(zhen)空(kong)退火(huo)爐電學(xue)綜(zong)合(he)測(ce)試系(xi)統高(gao)溫管(guan)式爐測(ce)試儀(yi) 漆(qi)包(bao)線(xian)擊(ji)穿(chuan)耐壓試驗(yan)儀(yi) 電化學(xue)遷移測(ce)試系(xi)統水(shui)平垂(chui)直燃(ran)燒測(ce)定(ding)機陶(tao)瓷(ci)材料(liao)閃燒試驗(yan)裝(zhuang)置導通電評(ping)估系統(tong) 差(cha)熱(re)分(fen)析(xi)儀(yi) 醫用接地(di)電阻(zu)

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華測(ce)高(gao)溫四(si)探針測(ce)試儀(yi)器(qi)

更新(xin)時(shi)間(jian)：2024-06-06

型號(hao)：

瀏覽量(liang)：3115

HGTZ-800華測(ce)高(gao)溫四(si)探針測(ce)試儀(yi)器(qi)器(qi)系統搭(da)配Labview系統(tong)開(kai)發的(de)hcpro軟(ruan)件(jian)，具(ju)備彈(dan)性(xing)的自(zi)定(ding)義功(gong)能，可(ke)進行(xing)電壓、電流、溫度(du)、時(shi)間(jian)等(deng)設置(zhi)，符(fu)合(he)導體、半導體材料(liao)與其(qi)它新(xin)材(cai)料(liao)測(ce)試多(duo)樣(yang)化的需(xu)求(qiu)。
了(le)解詳(xiang)情(qing)
HGTZ-800華測(ce)高(gao)溫四(si)探針測(ce)試儀(yi)器(qi)

更新(xin)時(shi)間(jian)：2023-08-09

型號(hao)：HGTZ-800

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華測(ce)高(gao)溫四(si)探針測(ce)試儀(yi)器(qi)——高(gao)溫四(si)探針測(ce)試儀(yi)采(cai)用四探針雙(shuang)電測(ce)量方(fang)法(fa)，適用於生(sheng)產企(qi)業、高(gao)等(deng)院(yuan)校、科(ke)研部(bu)門，是檢驗(yan)和(he)分析(xi)導體材料(liao)和(he)半導體材料(liao)在(zai)高(gao)溫、真(zhen)空(kong)及(ji)氣氛條件(jian)下測(ce)量的(de)壹種(zhong)重(zhong)要(yao)的(de)工(gong)具(ju)。本儀(yi)器(qi)配置各類測(ce)量裝(zhuang)置可(ke)以測(ce)試不(bu)同(tong)材(cai)料。液晶(jing)顯(xian)示，無(wu)需(xu)人工計(ji)算(suan)，並帶(dai)有(you)溫度(du)補償(chang)功能(neng)。采用芯片控制，恒流(liu)輸(shu)出，結(jie)構合(he)理(li)、質量輕(qing)便(bian)，配備10英(ying)寸觸(chu)摸屏，軟(ruan)件(jian)可(ke)保(bao)存(cun)和(he)打印(yin)數(shu)據(ju)，自(zi)動(dong)生(sheng)成(cheng)報表(biao)。
了(le)解詳(xiang)情(qing)
華測(ce)高(gao)溫四(si)探針測(ce)試儀(yi)器(qi) 居裏溫度(du)

更新(xin)時(shi)間(jian)：2024-06-12

型號(hao)：

瀏覽量(liang)：2679

華測(ce)高(gao)溫四(si)探針測(ce)試儀(yi)器(qi) 居裏溫度(du)采用四探針雙(shuang)電測(ce)量方(fang)法(fa)，適用於生(sheng)產企(qi)業、高(gao)等(deng)院(yuan)校、科(ke)研部(bu)門，是檢驗(yan)和(he)分析(xi)導體材料(liao)和(he)半導體材料(liao)在(zai)高(gao)溫、真(zhen)空(kong)及(ji)氣氛條件(jian)下測(ce)量的(de)壹種(zhong)重(zhong)要(yao)的(de)工(gong)具(ju)。本儀(yi)器(qi)配置各類測(ce)量裝(zhuang)置可(ke)以測(ce)試不(bu)同(tong)材(cai)料。液晶(jing)顯(xian)示，無(wu)需(xu)人工計(ji)算(suan)，並帶(dai)有(you)溫度(du)補償(chang)功能(neng)。
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HCTZ-2四探針測(ce)試儀(yi)器(qi)

更新(xin)時(shi)間(jian)：2023-08-29

型號(hao)：HCTZ-2

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HCTZ-2型數(shu)字(zi)式四(si)探針測(ce)試儀(yi)器(qi)是運用四探針測(ce)量原(yuan)理(li)的多(duo)用途綜(zong)合(he)測(ce)量設備。儀(yi)器(qi)采用了電子技術(shu)進行(xing)設計(ji)、裝(zhuang)配。具(ju)有功(gong)能選擇直(zhi)觀、測(ce)量取數快(kuai)、精度(du)高(gao)、測(ce)量範(fan)圍寬、穩定(ding)性(xing)好、結(jie)構緊(jin)湊(cou)、易操作(zuo)等(deng)特(te)點(dian)。
了解詳(xiang)情(qing)
HCTZ-2S北京華(hua)測(ce)*四探針測(ce)試儀(yi)

更(geng)新(xin)時(shi)間(jian)：2024-06-13

型號(hao)：HCTZ-2S

瀏覽量(liang)：3384

HCTZ-2S北京華(hua)測(ce)*四探針測(ce)試儀(yi)器(qi)是運用四探針測(ce)量原(yuan)理(li)的多(duo)用途綜(zong)合(he)測(ce)量設備。儀(yi)器(qi)由主(zhu)機、測(ce)試臺(tai)、四探針探頭、計算(suan)機等(deng)部(bu)分(fen)組(zu)成(cheng)，測(ce)量數(shu)據(ju)既可(ke)由主(zhu)機直(zhi)接顯示，亦(yi)可(ke)由計(ji)算(suan)機控(kong)制測(ce)試采(cai)集測(ce)試數(shu)據(ju)到計算(suan)機中(zhong)加(jia)以分(fen)析(xi)，然(ran)後(hou)以(yi)表(biao)格(ge)，圖(tu)形方式統(tong)計(ji)分析(xi)顯示測(ce)試結(jie)果。
了(le)解詳(xiang)情(qing)
HCTZ-2S北京華(hua)測(ce)試驗(yan)儀(yi)器(qi)四探針測(ce)試儀(yi)

更(geng)新(xin)時(shi)間(jian)：2023-08-29

型號(hao)：HCTZ-2S

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HCTZ-2S北京華(hua)測(ce)試驗(yan)儀(yi)器(qi)四探針測(ce)試儀(yi)器(qi)是運用四探針測(ce)量原(yuan)理(li)的多(duo)用途綜(zong)合(he)測(ce)量設備。該(gai)儀(yi)器(qi)按照(zhao)單(dan)晶(jing)矽(gui)物理(li)測(ce)試方(fang)法(fa)標準(zhun)並參考(kao)美國 A.S.T.M 標準而(er)設計(ji)的，於測(ce)試半(ban)導體材料(liao)電阻(zu)率(lv)及(ji)方塊電阻(zu)（薄層(ceng)電阻(zu)）的儀(yi)器(qi)。儀(yi)器(qi)由主(zhu)機、測(ce)試臺(tai)、四探針探頭、計算(suan)機等(deng)部(bu)分(fen)組(zu)成(cheng)，測(ce)量數(shu)據(ju)既可(ke)由主(zhu)機直(zhi)接顯示，亦(yi)可(ke)由計(ji)算(suan)機控(kong)制測(ce)試采(cai)集測(ce)試數(shu)據(ju)到計算(suan)機中(zhong)加(jia)以分(fen)析(xi)，然(ran)後(hou)以(yi)表(biao)格(ge)，圖(tu)形方式統(tong)計(ji)分析(xi)顯示測(ce)試結(jie)果。
了(le)解詳(xiang)情(qing)
HCTZ-2S華(hua)測(ce)四探針測(ce)試儀(yi)

更(geng)新(xin)時(shi)間(jian)：2024-06-13

型號(hao)：HCTZ-2S

瀏覽量(liang)：2966

HCTZ-2S華測(ce)四探針測(ce)試儀(yi)器(qi)是運用四探針測(ce)量原(yuan)理(li)的多(duo)用途綜(zong)合(he)測(ce)量設備。該(gai)儀(yi)器(qi)按照(zhao)單(dan)晶(jing)矽(gui)物理(li)測(ce)試方(fang)法(fa)標準(zhun)並參考(kao)美國 A.S.T.M 標準而(er)設計(ji)的，於測(ce)試半(ban)導體材料(liao)電阻(zu)率(lv)及(ji)方塊電阻(zu)（薄層(ceng)電阻(zu)）的儀(yi)器(qi)。儀(yi)器(qi)由主(zhu)機、測(ce)試臺(tai)、四探針探頭、計算(suan)機等(deng)部(bu)分(fen)組(zu)成(cheng)，測(ce)量數(shu)據(ju)既可(ke)由主(zhu)機直(zhi)接顯示，亦(yi)可(ke)由計(ji)算(suan)機控(kong)制測(ce)試采(cai)集測(ce)試數(shu)據(ju)到計算(suan)機中(zhong)加(jia)以分(fen)析(xi)，然(ran)後(hou)以(yi)表(biao)格(ge)，圖(tu)形方式統(tong)計(ji)分析(xi)顯示測(ce)試結(jie)果。
了(le)解詳(xiang)情(qing)
HCTZ-2S北京華(hua)測(ce)四探針測(ce)試儀(yi)

更(geng)新(xin)時(shi)間(jian)：2024-06-13

型號(hao)：HCTZ-2S

瀏覽量(liang)：2936

HCTZ-2S北京華(hua)測(ce)四探針測(ce)試儀(yi)器(qi)是運用四探針測(ce)量原(yuan)理(li)的多(duo)用途綜(zong)合(he)測(ce)量設備。儀(yi)器(qi)由主(zhu)機、測(ce)試臺(tai)、四探針探頭、計算(suan)機等(deng)部(bu)分(fen)組(zu)成(cheng)，測(ce)量數(shu)據(ju)既可(ke)由主(zhu)機直(zhi)接顯示，亦(yi)可(ke)由計(ji)算(suan)機控(kong)制測(ce)試采(cai)集測(ce)試數(shu)據(ju)到計算(suan)機中(zhong)加(jia)以分(fen)析(xi)，然(ran)後(hou)以(yi)表(biao)格(ge)，圖(tu)形方式統(tong)計(ji)分析(xi)顯示測(ce)試結(jie)果。
了(le)解詳(xiang)情(qing)

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