四(si)探(tan)針(zhen)測試儀器(qi)

簡介：

 HCTZ-2型數字(zi)式四(si)探(tan)針(zhen)測試儀器(qi)是運(yun)用(yong)四(si)探(tan)針(zhen)測量(liang)原理(li)的多用(yong)途(tu)綜合測量(liang)設備(bei)。

 儀器(qi)由主(zhu)機、探(tan)針(zhen)測試臺、四(si)探(tan)針(zhen)探(tan)頭、計(ji)算機(ji)等部分組成(cheng)，測量(liang)數據既可(ke)由四(si)探(tan)針(zhen)測試儀器(qi)主機(ji)直接(jie)顯(xian)示(shi)，亦(yi)可(ke)與計(ji)算機(ji)相(xiang)連(lian)接(jie)通(tong)過(guo)四(si)探(tan)針(zhen)軟(ruan)件測試系統控制(zhi)測試儀進(jin)行測量(liang)並采(cai)集(ji)測試數據，把采(cai)集(ji)到(dao)的數據在計(ji)算機(ji)中(zhong)加以(yi)分(fen)析(xi)，然後把測試數據以(yi)表(biao)格(ge)，圖(tu)形(xing)直觀地(di)記(ji)錄(lu)、顯(xian)示(shi)出(chu)來。用(yong)戶(hu)可對(dui)采集(ji)到(dao)的數據在電(dian)腦中(zhong)保存(cun)或者打印(yin)以(yi)備(bei)日(ri)後參考和查看，還(hai)可以(yi)把采(cai)集(ji)到(dao)的數據輸出(chu)到(dao)Excel中(zhong)，讓(rang)用(yong)戶(hu)對(dui)數據進行各(ge)種(zhong)數(shu)據分析(xi)。

 儀器(qi)采用(yong)了電(dian)子(zi)技術(shu)進(jin)行設(she)計(ji)、裝(zhuang)配(pei)。具有(you)功能(neng)選(xuan)擇(ze)直觀、測量(liang)取數(shu)快(kuai)、精(jing)度(du)高(gao)、測量(liang)範圍寬(kuan)、穩定(ding)性(xing)好、結(jie)構(gou)緊湊(cou)、易(yi)操(cao)作等特點。

 本(ben)儀器(qi)適(shi)用(yong)於(yu)半(ban)導體(ti)材料廠、半(ban)導體(ti)器(qi)件廠、科(ke)研單位(wei)、高等院(yuan)校對(dui)半(ban)導體(ti)材料的電阻測試。

測量(liang)原理(li)：

將四(si)根(gen)排(pai)成(cheng)壹條(tiao)直線(xian)的探(tan)針(zhen)以(yi)壹(yi)定(ding)的壓力(li)垂直地壓在被(bei)測樣(yang)品(pin)表面(mian)上(shang)，在 1、4 探(tan)針(zhen)間通(tong)以(yi)電(dian)流 I(mA)，2、3 探(tan)針(zhen)間就產生壹定(ding)的電壓 V(mV)(如圖(tu)1)。測量(liang)此電(dian)壓並根(gen)據測量(liang)方式和樣(yang)品(pin)的尺寸不(bu)同。

直線(xian)四(si)探(tan)針(zhen)測試原理(li)圖(tu)

技術(shu)指(zhi)標(biao)：

1、測量(liang)範圍

電阻率(lv)：10^-4～10⁵Ω.cm；

方塊(kuai)電阻：10^-3～10⁶Ω/□；

電阻：10^-4～10⁵Ω；

電導率(lv)：10^-5～10⁴s/cm；

可測晶(jing)片(pian)直徑(jing)：140mmX150mm (配(pei)S-2A型測試臺)；

      200mmX200mm (配(pei)S-2B型測試臺)；

        400mmX500mm (配(pei)S-2C型測試臺)；

2、恒流源(yuan)

電流量(liang)程(cheng)分為 1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA 六檔，各(ge)檔(dang)電(dian)流連(lian)續可調(tiao)；

3、數字(zi)電壓表

量(liang)程(cheng)及表示(shi)形(xing)式：000.00～199.99mV；　　　　　

分辨力(li)：10μV；

輸入(ru)阻抗：＞1000MΩ；  

精(jing)度(du)：±0.1%；

顯示(shi)：點陣(zhen)顯示(shi)屏(ping)；　　

4 、四(si)探(tan)針(zhen)探(tan)頭基本(ben)指(zhi)標(biao)

間距(ju)：1±0.01mm；

針(zhen)間絕(jue)緣(yuan)電阻: ≥1000MΩ；

機械遊(you)移(yi)率(lv): ≤0.3％；

探(tan)針(zhen)：碳(tan)化(hua)鎢或(huo)高(gao)速鋼材質(zhi)，探(tan)針(zhen)直徑(jing)Ф0.5mm；

探(tan)針(zhen)壓力(li)：5～16 牛(niu)頓(總(zong)力(li))；

5 、四(si)探(tan)針(zhen)探(tan)頭應(ying)用(yong)參數

C：探(tan)針(zhen)系(xi)數；

F：探(tan)針(zhen)間距(ju)修(xiu)正因(yin)子(zi)；

S：探(tan)針(zhen)平(ping)均間距(ju)；

6、 模擬電阻測量(liang)相對(dui)誤差（按 JJG508-87 進行）

0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3％±１字(zi)；

7 、整機測量(liang)大相(xiang)對(dui)誤差

(用(yong)矽(gui)標(biao)樣片(pian):0.01-180Ω.cm 測試)≤±5％；

8 、整機測量(liang)標(biao)準(zhun)不確(que)定(ding)度(du)≤5％；

9 、外(wai)型尺寸（大(da)約(yue)）

電氣主(zhu)機(ji): 460mm×320mm×100mm；

10 、儀器(qi)重量(liang)（大約(yue)）

電氣主(zhu)機(ji): 3.5kg；

11、標(biao)準(zhun)使用(yong)環境

溫(wen)度:：23±2℃；

相對(dui)濕(shi)度：≤65％；

無高(gao)頻(pin)幹擾；

無強光直射；

註意:使用(yong)1μA量(liang)程(cheng)時，允許(xu)有(you)小(xiao)於1.0nA的空載電流.應(ying)在相(xiang)對(dui)濕(shi)度小(xiao)於50%時使用(yong)。

設備特點：

1、可以(yi)測量(liang)高溫(wen)、真空(kong)、氣氛下薄(bo)膜方(fang)塊(kuai)電阻和薄(bo)層(ceng)電阻率(lv)；

2、軟件、觸摸(mo)屏(ping)、高溫(wen)爐等集(ji)成(cheng)於壹(yi)體(ti)，可以(yi)進(jin)行可(ke)視化(hua)操(cao)作；

3、可實現(xian)純凈(jing)氣氛條(tiao)件(jian)下的測量(liang)；同時保證探(tan)針(zhen)在高(gao)溫(wen)下不(bu)氧(yang)化(hua)；

4、采用(yong)labview軟(ruan)件開發(fa)，操(cao)控性(xing)、兼容(rong)性(xing)好、方(fang)便(bian)升(sheng)級；

5、可自動(dong)調(tiao)節(jie)樣品(pin)測試電壓，探(tan)針(zhen)和薄(bo)膜(mo)接(jie)觸(chu)閃(shan)絡(luo)現(xian)象(xiang)；

6、控溫(wen)和測溫(wen)采用(yong)同壹個(ge)傳(chuan)感(gan)器(qi)，保證樣品(pin)每次(ci)采(cai)集(ji)的溫(wen)度都(dou)是(shi)樣(yang)品(pin)實際溫(wen)度；

7、可配(pei)套使用(yong)Keithley2400或(huo)2600數字(zi)多用(yong)表(biao)。

設備保養(yang)：

經(jing)常(chang)保(bao)持設備(bei)和計(ji)算機(ji)的清潔(jie)、衛生。

預(yu)防(fang)高(gao)溫(wen)、過濕(shi)、灰塵(chen)、腐(fu)蝕性(xing)介質(zhi)、水(shui)等浸(jin)入(ru)機(ji)器(qi)或計(ji)算機(ji)內部(bu)。

定(ding)期(qi)檢(jian)查，保持零件、部(bu)件的完(wan)整性(xing)。