高溫(wen)四(si)探針(zhen)測試(shi)儀采用四(si)探(tan)針雙電(dian)測(ce)量(liang)方(fang)法，適用(yong)於(yu)生產企業(ye)、高等院(yuan)校(xiao)、科研(yan)部門，是檢(jian)驗(yan)和(he)分析導體材料和(he)半導體材料在(zai)高溫(wen)、真(zhen)空及(ji)氣(qi)氛(fen)條件下(xia)測量(liang)的壹種(zhong)重(zhong)要的(de)工(gong)具(ju)。本(ben)儀(yi)器(qi)配(pei)置(zhi)各(ge)類測量裝(zhuang)置(zhi)可以(yi)測(ce)試(shi)不同材料。液晶顯示(shi)，無(wu)需人(ren)工(gong)計(ji)算，並(bing)帶有溫度補(bu)償功(gong)能。
高溫(wen)四(si)探針(zhen)測試(shi)儀的(de)測量原(yuan)理(li)
測量(liang)電(dian)阻(zu)率(lv)的方(fang)法很多，如(ru)三探(tan)針(zhen)法、電容(rong)-電壓(ya)法、擴展(zhan)電阻(zu)法等,四(si)探(tan)針法則是(shi)壹種(zhong)廣(guang)泛(fan)采用的(de)標(biao)準(zhun)準(zhun)
法，儀器(qi)采用經(jing)典(dian)直排(pai)四探針(zhen)原(yuan)理(li)，同時(shi)采用了雙電(dian)測(ce)組(zu)合(he)四(si)探針法。
經典(dian)的直排(pai)四探針(zhen)法測試(shi)電阻(zu)率(lv)，要求使用(yong)等間(jian)距(ju)的(de)探(tan)針(zhen)，如果針間(jian)距(ju)離不等或(huo)探針(zhen)有遊移，就會造成實驗(yan)差。當(dang)被(bei)測片較小或(huo)在(zai)大片(pian)邊(bian)緣(yuan)附近測量(liang)時(shi)，要求計(ji)入電場畸(ji)變(bian)的(de)影響進行邊(bian)界修(xiu)正。
采用雙電(dian)測(ce)組(zu)合(he)四(si)探針的(de)出(chu)現(xian)，為提高薄(bo)膜電阻(zu)和(he)體電阻(zu)率(lv)測量(liang)準(zhun)確度創(chuang)造了有利條件。
高溫(wen)四(si)探針(zhen)測試(shi)儀采用雙電(dian)測(ce)組(zu)合(he)四(si)探針法的優勢
采用雙電(dian)測(ce)組(zu)合(he)四(si)探針法進行測試(shi)，測試(shi)結果(guo)與探針間(jian)距(ju)無(wu)關，能夠(gou)消除(chu)間(jian)距(ju)不等及(ji)針(zhen)尖機械(xie)遊移變(bian)化的(de)影(ying)響，因此四探(tan)針(zhen)測試(shi)臺允(yun)許(xu)使用(yong)不等距(ju)探(tan)針(zhen)頭。
采用雙電(dian)測(ce)組(zu)合(he)四(si)探針法具有自(zi)動(dong)修(xiu)正邊(bian)界效(xiao)應(ying)的(de)功(gong)能，對小尺(chi)寸被(bei)側(ce)片(pian)或(huo)探針(zhen)在(zai)較大(da)樣(yang)品(pin)邊(bian)緣(yuan)附近時(shi),不需要對樣(yang)品(pin)做幾何測(ce)量(liang)，也(ye)不需要尋找(zhao)修(xiu)正因子。
采用雙電(dian)測(ce)組(zu)合(he)四(si)探針法，不移動四探針(zhen)針(zhen)頭，同時(shi)使用(yong)三種模式(shi)測(ce)量(liang)，既(ji)可計(ji)算得到測試(shi)部位(wei)的電(dian)阻(zu)均(jun)勻(yun)性。
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