高壓(ya)、低(di)壓(ya)漏(lou)電起(qi)痕(hen)-北京華(hua)測試驗儀(yi)器(qi)有(you)限公司

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HCLD-III電痕(hen)化(hua)高壓(ya)漏(lou)電起(qi)痕(hen)試驗裝置測(ce)試儀(yi)器(qi)

更(geng)新(xin)時間：2024-06-05

型(xing)號：HCLD-III

瀏覽(lan)量(liang)：2384

電痕(hen)化(hua)高壓(ya)漏(lou)電起(qi)痕(hen)試驗裝置測(ce)試儀(yi)器(qi) 是在固體(ti)絕緣材料(liao)表(biao)面(mian)上(shang)，在規定尺(chi)寸（ 2mm × 5mm ）的(de)鉑電極(ji)之(zhi)間(jian)，施(shi)加某(mou)壹電壓(ya)並定時（30s）定高度（ 35mm ）滴(di)下(xia)規(gui)定液滴體(ti)積的(de)汙染(ran)液體(ti)（0.1%NH 4 CL），用以(yi)評價固體(ti)絕緣材料(liao)表(biao)面(mian)在電場(chang)和汙(wu)染(ran)介(jie)質聯合(he)作用下(xia)的(de)耐(nai)受能(neng)力，測定其相(xiang)比(bi)電痕(hen)化(hua)指(zhi)數(shu)（CT1）和耐(nai)電痕(hen)化(hua)指(zhi)數(shu)（PT1）。
了解(jie)詳(xiang)情(qing)
HCLD-III固體(ti)絕緣材料(liao)高壓(ya)漏(lou)電起(qi)痕(hen)試驗裝置測(ce)試儀(yi)器(qi)

更(geng)新(xin)時間：2024-06-05

型(xing)號：HCLD-III

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固(gu)體(ti)絕緣材料(liao)高壓(ya)漏(lou)電起(qi)痕(hen)試驗裝置測(ce)試儀(yi)器(qi)是在固體(ti)絕緣材料(liao)表(biao)面(mian)上(shang)，在規定尺(chi)寸（ 2mm × 5mm ）的(de)鉑電極(ji)之(zhi)間(jian)，施(shi)加某(mou)壹電壓(ya)並定時（30s）定高度（ 35mm ）滴(di)下(xia)規(gui)定液滴體(ti)積的(de)汙染(ran)液體(ti)（0.1%NH 4 CL），用以(yi)評價固體(ti)絕緣材料(liao)表(biao)面(mian)在電場(chang)和汙(wu)染(ran)介(jie)質聯合(he)作用下(xia)的(de)耐(nai)受能(neng)力，測定其相(xiang)比(bi)電痕(hen)化(hua)指(zhi)數(shu)（CT1）和耐(nai)電痕(hen)化(hua)指(zhi)數(shu)（PT1）。
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HCLD-III工程塑料高壓(ya)漏(lou)電起(qi)痕(hen)試驗裝置測(ce)試儀(yi)

更(geng)新(xin)時間：2024-06-05

型(xing)號：HCLD-III

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HCDH-200工程塑料高壓(ya)漏(lou)電起(qi)痕(hen)試驗裝置測(ce)試儀(yi)是(shi)在固體(ti)絕緣材料(liao)表(biao)面(mian)上(shang)，在規定尺(chi)寸（ 2mm × 5mm ）的(de)鉑電極(ji)之(zhi)間(jian)，施(shi)加某(mou)壹電壓(ya)並定時（30s）定高度（ 35mm ）滴(di)下(xia)規(gui)定液滴體(ti)積的(de)汙染(ran)液體(ti)（0.1%NH 4 CL），用以(yi)評價固體(ti)絕緣材料(liao)表(biao)面(mian)在電場(chang)和汙(wu)染(ran)介(jie)質聯合(he)作用下(xia)的(de)耐(nai)受能(neng)力，測定其相(xiang)比(bi)電痕(hen)化(hua)指(zhi)數(shu)（CT1）和耐(nai)電痕(hen)化(hua)指(zhi)數(shu)（PT1）。
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HCLD-III反應快高壓(ya)漏(lou)電起(qi)痕(hen)試驗裝置測(ce)試儀(yi)器(qi)

更(geng)新(xin)時間：2024-06-05

型(xing)號：HCLD-III

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HCDH-200反(fan)應快反(fan)應快高壓(ya)漏(lou)電起(qi)痕(hen)試驗裝置測(ce)試儀(yi)器(qi)是在固體(ti)絕緣材料(liao)表(biao)面(mian)上(shang)，在規定尺(chi)寸（ 2mm × 5mm ）的(de)鉑電極(ji)之(zhi)間(jian)，施(shi)加某(mou)壹電壓(ya)並定時（30s）定高度（ 35mm ）滴(di)下(xia)規(gui)定液滴體(ti)積的(de)汙染(ran)液體(ti)（0.1%NH 4 CL），用以(yi)評價固體(ti)絕緣材料(liao)表(biao)面(mian)在電場(chang)和汙(wu)染(ran)介(jie)質聯合(he)作用下(xia)的(de)耐(nai)受能(neng)力，測定其相(xiang)比(bi)電痕(hen)化(hua)指(zhi)數(shu)（CT1）和耐(nai)電痕(hen)化(hua)指(zhi)數(shu)（PT1）。
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HCLD-III電工電直子(zi)高壓(ya)漏(lou)電起(qi)痕(hen)試驗裝置測(ce)試儀(yi)器(qi)

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HCDH-200電工電直子(zi)高壓(ya)漏(lou)電起(qi)痕(hen)試驗裝置測(ce)試儀(yi)器(qi)是在固體(ti)絕緣材料(liao)表(biao)面(mian)上(shang)，在規定尺(chi)寸（ 2mm × 5mm ）的(de)鉑電極(ji)之(zhi)間(jian)，施(shi)加某(mou)壹電壓(ya)並定時（30s）定高度（ 35mm ）滴(di)下(xia)規(gui)定液滴體(ti)積的(de)汙染(ran)液體(ti)（0.1%NH 4 CL），用以(yi)評價固體(ti)絕緣材料(liao)表(biao)面(mian)在電場(chang)和汙(wu)染(ran)介(jie)質聯合(he)作用下(xia)的(de)耐(nai)受能(neng)力，測定其相(xiang)比(bi)電痕(hen)化(hua)指(zhi)數(shu)（CT1）和耐(nai)電痕(hen)化(hua)指(zhi)數(shu)（PT1）。
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HCLD-III絕緣材料(liao)高壓(ya)漏(lou)電起(qi)痕(hen)試驗裝置

更(geng)新(xin)時間：2024-06-05

型(xing)號：HCLD-III

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HCDH-200絕緣材料(liao)高壓(ya)漏(lou)電起(qi)痕(hen)試驗裝置是(shi)在固體(ti)絕緣材料(liao)表(biao)面(mian)上(shang)，在規定尺(chi)寸（ 2mm × 5mm ）的(de)鉑電極(ji)之(zhi)間(jian)，施(shi)加某(mou)壹電壓(ya)並定時（30s）定高度（ 35mm ）滴(di)下(xia)規(gui)定液滴體(ti)積的(de)汙染(ran)液體(ti)（0.1%NH 4 CL），用以(yi)評價固體(ti)絕緣材料(liao)表(biao)面(mian)在電場(chang)和汙(wu)染(ran)介(jie)質聯合(he)作用下(xia)的(de)耐(nai)受能(neng)力，測定其相(xiang)比(bi)電痕(hen)化(hua)指(zhi)數(shu)（CT1）和耐(nai)電痕(hen)化(hua)指(zhi)數(shu)（PT1）。
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HCLD-III電氣(qi)絕緣材料(liao)高壓(ya)漏(lou)電起(qi)痕(hen)試驗裝置

更(geng)新(xin)時間：2024-06-05

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HCDH-200電氣(qi)絕緣材料(liao)高壓(ya)漏(lou)電起(qi)痕(hen)試驗裝置是(shi)在固體(ti)絕緣材料(liao)表(biao)面(mian)上(shang)，在規定尺(chi)寸（ 2mm × 5mm ）的(de)鉑電極(ji)之(zhi)間(jian)，施(shi)加某(mou)壹電壓(ya)並定時（30s）定高度（ 35mm ）滴(di)下(xia)規(gui)定液滴體(ti)積的(de)汙染(ran)液體(ti)（0.1%NH 4 CL），用以(yi)評價固體(ti)絕緣材料(liao)表(biao)面(mian)在電場(chang)和汙(wu)染(ran)介(jie)質聯合(he)作用下(xia)的(de)耐(nai)受能(neng)力，測定其相(xiang)比(bi)電痕(hen)化(hua)指(zhi)數(shu)（CT1）和耐(nai)電痕(hen)化(hua)指(zhi)數(shu)（PT1）。
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HCLD-III控制(zhi)精密高壓(ya)漏(lou)電起(qi)痕(hen)試驗裝置測(ce)試儀(yi)器(qi)

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HCDH-200控制(zhi)精密高壓(ya)漏(lou)電起(qi)痕(hen)試驗裝置測(ce)試儀(yi)器(qi)是在固體(ti)絕緣材料(liao)表(biao)面(mian)上(shang)，在規定尺(chi)寸（ 2mm × 5mm ）的(de)鉑電極(ji)之(zhi)間(jian)，施(shi)加某(mou)壹電壓(ya)並定時（30s）定高度（ 35mm ）滴(di)下(xia)規(gui)定液滴體(ti)積的(de)汙染(ran)液體(ti)（0.1%NH 4 CL），用以(yi)評價固體(ti)絕緣材料(liao)表(biao)面(mian)在電場(chang)和汙(wu)染(ran)介(jie)質聯合(he)作用下(xia)的(de)耐(nai)受能(neng)力，測定其相(xiang)比(bi)電痕(hen)化(hua)指(zhi)數(shu)（CT1）和耐(nai)電痕(hen)化(hua)指(zhi)數(shu)（PT1）。
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