功能材料電(dian)學(xue)綜合測試(shi)系統

功能材料電(dian)學(xue)綜合測試(shi)系統

鐵(tie)電(dian)參(can)數(shu)測試(shi)功能

Dynamic Hysteresis 動(dong)態電(dian)滯回(hui)線(xian)測試(shi)頻(pin)率(lv);Static Hysterestic 靜(jing)態電(dian)滯回(hui)線(xian)測試(shi)；

PUND 脈沖測試(shi)；Fatigue 疲(pi)勞測(ce)試(shi)；Retention保(bao)持力(li)；

Imprint印跡；Leakage current漏電流(liu)測試(shi)；Thermo Measurement 變(bian)溫測(ce)試(shi)功能。

壓(ya)電(dian)參(can)數(shu)測試(shi)功能

可進(jin)行壓電(dian)陶(tao)瓷(ci)的準靜(jing)態d33等(deng)參數(shu)測試(shi)，也(ye)可通過(guo)高壓放(fang)大(da)器(qi)與(yu)位移傳(chuan)感器(qi)（如(ru)激光幹(gan)涉(she)儀）動(dong)態法(fa)測量壓電(dian)系數(shu)測量。

熱(re)釋(shi)電測(ce)試(shi)功能

主(zhu)要(yao)用(yong)於薄膜及(ji)塊(kuai)體材料變(bian)溫的熱(re)釋(shi)電測(ce)試(shi)。采用(yong)電流(liu)法(fa)進(jin)行測量材料的熱(re)釋(shi)電電(dian)流(liu)、熱(re)釋(shi)電系數(shu)、剩余極化強(qiang)度對(dui)溫度和時(shi)間的曲線。

薄膜材料變(bian)溫範(fan)圍(wei)：-196℃到(dao)+600℃；

塊(kuai)體材料變(bian)溫範(fan)圍(wei)：室溫到(dao)200℃、室溫到(dao)600℃、室溫到(dao)800℃

介(jie)電溫譜(pu)測試(shi)功能

用(yong)於分析(xi)寬頻(pin)、高低溫環境條件下(xia)功能材料的阻抗Z、電抗X、導(dao)納(na)Y、電(dian)導(dao)G、電(dian)納(na)B、電(dian)感L、介(jie)電損耗(hao)D、因數(shu)Q等(deng)物(wu)理(li)量，同時(shi)還可以(yi)分析(xi)被(bei)測(ce)樣品(pin)隨溫度、頻(pin)率(lv)、時(shi)間、偏(pian)壓(ya)變(bian)化的曲線。也(ye)可進(jin)行壓電(dian)陶(tao)瓷(ci)的居裏(li)溫度測試(shi)。

熱(re)激發極化電(dian)流(liu)測試(shi)儀 TSDC

 用(yong)於研(yan)究(jiu)材功材料的壹些關鍵(jian)因(yin)素(su)，諸(zhu)如(ru)分子(zi)弛豫(yu)、相轉變(bian)、玻璃(li)化溫度等等(deng)，通過(guo)TSDC技術也(ye)可以(yi)比較直觀(guan)的研(yan)究(jiu)材料的弛豫(yu)時(shi)間、活(huo)化(hua)能等(deng)相關的介(jie)電特(te)性。

絕(jue)緣(yuan)電阻測試(shi)功能

電(dian)壓(ya)輸(shu)出(chu)與(yu)電(dian)流(liu)測量，保障(zhang)測(ce)試(shi)的，適(shi)用(yong)於功能材料在(zai)高溫環境材料的數(shu)據的檢(jian)測(ce)。例(li)如(ru)：陶(tao)瓷(ci)材料、矽(gui)橡膠測(ce)試(shi)、PCB、雲(yun)母(mu)、四氟材料電(dian)阻(zu)測試(shi)、也(ye)可做(zuo)為科研(yan)院所(suo)新(xin)材料的高溫絕(jue)緣(yuan)電阻的測試(shi)。

高溫四(si)探(tan)針測試(shi)功能

符(fu)合功能材料導(dao)體(ti)、半(ban)導(dao)體(ti)材料與(yu)其它(ta)新(xin)材料在(zai)高溫環境下(xia)測試(shi)多樣化(hua)的需求(qiu)。雙(shuang)電測(ce)數(shu)字(zi)式(shi)四(si)探(tan)針測試(shi)儀是運(yun)用(yong)直線(xian)或方形(xing)四探(tan)針雙位(wei)測量。

塞(sai)貝(bei)克(ke)系數(shu)/電(dian)阻(zu)測(ce)量系統

適(shi)用(yong)於半(ban)導(dao)體(ti)，陶(tao)瓷(ci)材料，金(jin)屬材料等(deng)多(duo)種材料的多種熱(re)電分析(xi)；可根據用(yong)戶需(xu)求(qiu)配(pei)置薄膜測量選件，低溫選件溫度範圍(wei)-100℃到(dao)200℃，高阻選件高至10MΩ。

電(dian)卡(ka)效應(ying)測(ce)試(shi)功能

還(hai)可以(yi)用(yong)於測(ce)試(shi)材料在(zai)寬溫度範圍(wei)內的電卡。

溫度範圍(wei)：-50℃到(dao)200℃、熱(re)流(liu)時(shi)間範(fan)圍(wei)：1s-1000s，大(da)電(dian)壓可達(da)10kV，

波(bo)形(xing)：用(yong)戶自(zi)定(ding)、脈沖、三角(jiao)波(bo)、正弦(xian)波(bo)、任(ren)意波(bo)形(xing)、預(yu)定(ding)義波(bo)形(xing)。

功能材料電(dian)學(xue)綜合測試(shi)系統