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          絕緣(yuan)電阻劣化離子遷(qian)移評估(gu)系統/電路板(ban)測(ce)試

          簡要描(miao)述(shu):絕緣(yuan)電阻劣化離子遷(qian)移評估(gu)系統/電路板(ban)測(ce)試配(pei)之(zhi)以(yi)高(gao)溫高(gao)濕(shi)試驗箱聯動(dong),可(ke)連(lian)續(xu)監測(ce),高效簡便評估(gu)因離子遷(qian)移現象(xiang)引起的壽(shou)命(ming)及(ji)絕緣(yuan)電阻劣化相關問(wen)題。適用標準(zhun):JPCA-ET04、IPC-TM-6502.6.3F、IPC-TM-650_2.6.3.1E、IPC-TM-650_2.6.3.4A、IPC-TM-650_2.6.3.6。

          • 產品型號:
          • 廠(chang)商性(xing)質:生產廠(chang)家
          • 更(geng)新(xin)時間(jian):2025-09-15
          • 訪  問(wen)  量(liang):3899

          詳(xiang)細(xi)介(jie)紹

          品牌(pai)華(hua)測(ce)儀(yi)器(qi)應(ying)用領(ling)域(yu)電氣,綜合(he)

          面(mian)對電子產(chan)品越來越小型輕量(liang)及(ji)高(gao)密(mi)度封(feng)裝,華(hua)測(ce)絕緣(yuan)電阻劣化(離子遷(qian)移)評估(gu)系統配(pei)之(zhi)以(yi)高(gao)溫高(gao)濕(shi)試驗箱聯動(dong),適用標準(zhun):JPCA-ET04IPC-TM-6502.6.3FIPC-TM-650_2.6.3.1EIPC-TM-650_2.6.3.4AIPC-TM-650_2.6.3.6


          測(ce)試步驟(zhou):

          壹(yi)、從(cong)整(zheng)盤線纜中(zhong)截取(qu)樣品線10m(不(bu)小於(yu)10m,測(ce)量(liang)誤(wu)差應(ying)不(bu)超(chao)過1%),然後(hou)打彎(wan)兩端剝(bo)開100mm放在(zai)水(shui)浴中(zhong),留(liu)在水(shui)外面的兩端長(chang)度應不(bu)小於(yu)250mm

          二(er)、接上(shang)電源,打(da)開設(she)備。接上(shang)設備的兩根(gen)測(ce)試線,壹(yi)根(gen)為(wei)紅色的高壓(ya)端(duan)接(jie)線纜線芯(xin)的導(dao)體上(shang)作(zuo)為測(ce)試的壹(yi)極,另(ling)壹(yi)根(gen)黑色(se)的低(di)端測(ce)試線接上(shang)壹(yi)個導(dao)體放在(zai)水(shui)中(zhong)作(zuo)為測(ce)試的另壹(yi)極。

          三(san)、根(gen)據(ju)試驗要求調(tiao)節(jie)電壓檔旋鈕(niu)選擇需要的電壓。然後(hou)開始(shi)調(tiao)節(jie)電阻檔旋鈕(niu),在(zai)調(tiao)節(jie)的過程(cheng)中(zhong)壹(yi)邊調(tiao)節(jie)壹(yi)邊註意(yi)數(shu)碼管顯示(shi)的數值(zhi)直到(dao)數(shu)值(zhi)發(fa)生變化,停(ting)止調(tiao)節(jie)電阻檔旋鈕(niu),此(ci)時調(tiao)節(jie)定時器(qi)為(wei)60s,然後(hou)啟動(dong)定時器(qi)並(bing)把測(ce)試旋鈕(niu)調(tiao)到(dao)測(ce)試位置。此時就開(kai)始(shi)測(ce)試了,定時60s結束(shu)後(hou)儀(yi)器(qi)會(hui)自動(dong)結束(shu)測(ce)試,此時數(shu)碼管顯示(shi)的數值(zhi)乘(cheng)以電阻檔的調(tiao)節(jie)旋鈕(niu)對(dui)應的數值(zhi)就是所(suo)取樣品線的絕緣(yuan)電阻值(zhi)。

          四(si)、測(ce)試完畢後(hou),應把(ba)測(ce)試旋鈕(niu)調(tiao)到(dao)放電狀(zhuang)態,等1minutes中(zhong)後(hou)取下樣品和測(ce)試線。

          五(wu)、完成(cheng)測(ce)試。







          絕緣(yuan)電阻劣化離子遷(qian)移評估(gu)系統/電路板(ban)測(ce)試

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