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簡(jian)要(yao)描述:功能(neng)材料電學綜合測(ce)試(shi)系(xi)統(tong)可完(wan)成功(gong)能(neng)材料鐵電、壓(ya)電、熱釋(shi)電、介(jie)電、絕(jue)緣電阻等(deng)電(dian)學測試(shi),以及高、低(di)溫環境下的電學測試(shi)。與電(dian)學檢(jian)測(ce)儀(yi)器(qi)在通訊(xun)協議(yi)、數(shu)據(ju)庫(ku)處理(li)、軟(ruan)件(jian)兼(jian)容性做了大量(liang)的接口。無(wu)論在軟(ruan)件(jian)與硬(ying)件(jian)方(fang)面,使本(ben)套(tao)儀(yi)器(qi)在未來易於(yu)擴展(zhan)。節(jie)省(sheng)改(gai)造(zao)時間(jian)與硬(ying)件(jian)成本(ben)。
產品分(fen)類
Product Category功(gong)能(neng)材料測試(shi)儀(yi)器(qi)
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| 品牌(pai) | 華測儀(yi)器(qi) | 產地類別(bie) | 國(guo)產 |
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功能(neng)材料電學綜合測(ce)試(shi)系(xi)統(tong)
鐵電(dian)參(can)數(shu)測試(shi)功(gong)能(neng)
Dynamic Hysteresis 動態(tai)電(dian)滯(zhi)回(hui)線(xian)測(ce)試(shi)頻(pin)率;Static Hysterestic 靜態(tai)電(dian)滯(zhi)回(hui)線(xian)測(ce)試(shi);
PUND 脈沖測(ce)試(shi);Fatigue 疲勞(lao)測(ce)試(shi);Retention保持(chi)力;
Imprint印跡;Leakage current漏(lou)電流(liu)測(ce)試(shi);Thermo Measurement 變溫測試(shi)功(gong)能(neng)。
壓電(dian)參(can)數(shu)測試(shi)功(gong)能(neng)
可進行(xing)壓電(dian)陶(tao)瓷(ci)的準靜態(tai)d33等(deng)參(can)數測(ce)試(shi),也可通過(guo)高壓(ya)放大器(qi)與位移傳感(gan)器(qi)(如激(ji)光幹(gan)涉儀(yi))動(dong)態法(fa)測(ce)量壓電系(xi)數(shu)測(ce)量。
熱釋(shi)電(dian)測(ce)試(shi)功(gong)能(neng)
主要(yao)用(yong)於(yu)薄膜(mo)及塊(kuai)體材料變溫的熱釋電測(ce)試(shi)。采用電(dian)流(liu)法(fa)進行(xing)測量(liang)材料的熱釋電電(dian)流(liu)、熱(re)釋(shi)電(dian)系數、剩余極(ji)化(hua)強(qiang)度(du)對(dui)溫度和(he)時間(jian)的曲線。
薄膜(mo)材料變溫範圍:-196℃到(dao)+600℃;
塊體材料變溫範圍:室溫到(dao)200℃、室溫到(dao)600℃、室溫到(dao)800℃

介電(dian)溫譜(pu)測(ce)試(shi)功(gong)能(neng)
用於(yu)分析寬頻(pin)、高低(di)溫環境條(tiao)件(jian)下(xia)功能(neng)材料的阻抗Z、電抗X、導(dao)納Y、電導(dao)G、電納(na)B、電感(gan)L、介電(dian)損(sun)耗(hao)D、因數(shu)Q等(deng)物(wu)理(li)量(liang),同(tong)時還可以分(fen)析被(bei)測樣(yang)品隨(sui)溫度、頻(pin)率、時間(jian)、偏壓變(bian)化(hua)的曲線。也可進行(xing)壓電(dian)陶(tao)瓷(ci)的居裏(li)溫度測(ce)試(shi)。
熱激(ji)發極(ji)化(hua)電(dian)流(liu)測(ce)試(shi)儀(yi) TSDC
用於(yu)研究材功材料的壹些關鍵因素,諸(zhu)如(ru)分(fen)子(zi)弛(chi)豫、相轉變、玻(bo)璃(li)化(hua)溫度等(deng)等(deng),通(tong)過(guo)TSDC技術(shu)也可以比(bi)較(jiao)直觀(guan)的研究材料的弛(chi)豫時間(jian)、活(huo)化(hua)能(neng)等(deng)相(xiang)關的介電特(te)性。
絕(jue)緣電阻測試(shi)功(gong)能(neng)
電壓(ya)輸(shu)出與電(dian)流(liu)測(ce)量(liang),保障測試(shi)的,適(shi)用於(yu)功能(neng)材料在高溫環境材料的數據(ju)的檢(jian)測(ce)。例如(ru):陶(tao)瓷(ci)材料、矽橡膠(jiao)測(ce)試(shi)、PCB、雲(yun)母(mu)、四氟材料電阻測(ce)試(shi)、也可做為(wei)科研院(yuan)所新(xin)材料的高溫絕(jue)緣電阻的測試(shi)。
高溫四探針測試(shi)功(gong)能(neng)
符合(he)功(gong)能(neng)材料導(dao)體、半導(dao)體材料與其(qi)它新(xin)材料在高溫環境下測(ce)試(shi)多(duo)樣化(hua)的需求(qiu)。雙電(dian)測數字(zi)式四探針測試(shi)儀(yi)是(shi)運(yun)用(yong)直線(xian)或(huo)方(fang)形(xing)四探針雙位測量。
塞貝(bei)克(ke)系(xi)數/電阻(zu)測(ce)量(liang)系統(tong)
適(shi)用於(yu)半導(dao)體,陶(tao)瓷(ci)材料,金屬材料等(deng)多(duo)種材料的多(duo)種熱電分析;可根據(ju)用(yong)戶(hu)需(xu)求(qiu)配置薄膜(mo)測(ce)量(liang)選件(jian),低溫選件(jian)溫度範(fan)圍-100℃到(dao)200℃,高阻(zu)選件高至(zhi)10MΩ。
電卡(ka)效應測(ce)試(shi)功(gong)能(neng)
還可以用(yong)於(yu)測試(shi)材料在寬溫度範(fan)圍內(nei)的電卡。
溫度範(fan)圍:-50℃到(dao)200℃、熱流(liu)時間(jian)範圍:1s-1000s,大電(dian)壓可達10kV,
波形(xing):用戶(hu)自(zi)定、脈沖、三(san)角(jiao)波、正(zheng)弦(xian)波、任意(yi)波形(xing)、預定義波形(xing)。
功能(neng)材料電學綜合測(ce)試(shi)系(xi)統(tong)
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