儲能(neng)新(xin)材(cai)料電學(xue)綜(zong)合測(ce)試系統(tong)

隨著(zhe)能(neng)源(yuan)需求(qiu)的不斷增加(jia)以(yi)及對(dui)環(huan)境(jing)友(you)好能(neng)源(yuan)的需求(qiu)，新型能(neng)源(yuan)儲能(neng)材(cai)料(liao)的研究成(cheng)為(wei)了(le)當(dang)前的熱門領域(yu)之(zhi)壹(yi)。在開(kai)發新壹(yi)代(dai)的儲能(neng)新(xin)材(cai)料時(shi)，對(dui)其(qi)性能(neng)的測(ce)試與(yu)分(fen)析是至(zhi)關(guan)重要(yao)的壹(yi)環，儲能(neng)新(xin)材(cai)料電學(xue)綜(zong)合測(ce)試系統(tong)可以通(tong)過(guo)各功(gong)能(neng)測(ce)試模(mo)塊(kuai)，系(xi)統(tong)的幫(bang)組(zu)科研人員從能(neng)量(liang)密(mi)度(du)、功(gong)率(lv)密度(du)、循(xun)環(huan)壽命、安全(quan)性四個(ge)方面(mian)對(dui)新(xin)材(cai)料(liao)性能(neng)進行分(fen)析檢測(ce)，評(ping)估材(cai)料的性能(neng)指(zhi)標(biao)，判斷是否(fou)符(fu)合應(ying)用(yong)要(yao)求。

系統(tong)配(pei)置(zhi)

測(ce)試模(mo)塊(kuai)

01.電壓(ya)擊穿(chuan)（介(jie)電場強(qiang)）

由(you)能(neng)量(liang)密(mi)度(du)可知(zhi)，擊穿(chuan)場強(qiang)相(xiang)對(dui)於介(jie)電常數對(dui)於材料能(neng)量(liang)密(mi)度(du)的影響(xiang)更為(wei)突(tu)出(chu)，獲得(de)高(gao)能(neng)量(liang)密(mi)度(du)對(dui)復合材料(liao)擊穿(chuan)場強(qiang)提出(chu)了更高(gao)的要求。

通(tong)過(guo)上(shang)位機(ji)系統(tong)控制(zhi)高(gao)壓(ya)擊穿(chuan)測(ce)試模(mo)塊(kuai)，可以安全(quan)、便(bian)捷(jie)、準(zhun)確(que)的對(dui)測(ce)試樣品(pin)進行工頻(pin)下(xia)的交流(liu)、高(gao)壓(ya)直(zhi)流(liu)擊穿(chuan)試驗(yan)，測(ce)試出(chu)擊穿(chuan)場強(qiang)。甚(shen)至可以通(tong)過(guo)測(ce)試軟(ruan)件(jian)設(she)置直(zhi)流(liu)輸出(chu)時(shi)間(jian)，以(yi)完(wan)成(cheng)樣品的極(ji)化過(guo)程。

02.高(gao)低(di)頻(pin)介(jie)電頻(pin)譜(pu)、溫(wen)譜

用(yong)於分(fen)析寬(kuan)頻(pin)、高(gao)低(di)溫(wen)環境下(xia)儲能(neng)新(xin)材(cai)料的阻(zu)抗Z、電抗(kang)X、導納Y、電導G、電納B、電感(gan)L、介(jie)電損耗D、品質(zhi)因(yin)數Q等(deng)物理(li)量(liang)，同(tong)時(shi)還(hai)可以分(fen)析被測(ce)樣品(pin)隨溫(wen)度(du)、頻率(lv)、時(shi)間(jian)、偏(pian)壓變化的曲(qu)線。

03.高(gao)溫(wen)絕緣(yuan)電阻(zu)

高(gao)精(jing)度(du)的電壓(ya)輸出(chu)與(yu)電流(liu)測(ce)量(liang)，即(ji)使在高(gao)低(di)溫(wen)環境下(xia)可能(neng)很(hen)好(hao)的屏蔽背景電流(liu)，保(bao)障測(ce)試品質(zhi)，適(shi)用(yong)與(yu)儲能(neng)新(xin)材(cai)料在不(bu)同(tong)環境(jing)溫(wen)度(du)下(xia)絕緣(yuan)性(xing)能(neng)的檢測(ce)。

04.熱釋(shi)電測(ce)試

不論是薄(bo)膜還(hai)是塊(kuai)體(ti)形式(shi)的儲能(neng)材(cai)料(liao)，都可對(dui)其(qi)進行熱釋(shi)電性(xing)能(neng)測(ce)試。采用(yong)電流(liu)法進行測(ce)量(liang)，材(cai)料(liao)的熱釋電電流(liu)、熱釋(shi)電系(xi)數、剩余極(ji)化強(qiang)度(du)對(dui)溫(wen)度(du)和時(shi)間(jian)的曲(qu)線。

05.TSDC熱刺(ci)激(ji)極(ji)化電流(liu)

熱刺(ci)激(ji)電流(liu)（TSC）是研究熱(re)釋(shi)電材(cai)料(liao)中(zhong)陷阱結(jie)構(gou)和(he)陷(xian)阱結(jie)構(gou)所(suo)控制(zhi)的空間電荷(he)存(cun)貯及運(yun)輸特性(xing)的工具，同(tong)時(shi)也(ye)是研究熱(re)點(dian)材料結(jie)構(gou)轉變(bian)和(he)分(fen)子(zi)運(yun)動的重要(yao)手段(duan)。諸(zhu)如：分(fen)子(zi)弛豫(yu)、相(xiang)轉變(bian)、玻(bo)璃化溫(wen)度(du)等(deng)等(deng)，通(tong)過(guo)TSDC技術(shu)也可以直(zhi)觀(guan)的研究材(cai)料(liao)的弛豫時(shi)間(jian)、活(huo)化能(neng)等(deng)相(xiang)關介(jie)電特(te)性(xing)、

06.充放(fang)電儲能(neng)密(mi)度(du)測(ce)試

用(yong)於研究介(jie)電儲能(neng)材(cai)料(liao)高(gao)電壓(ya)放(fang)電性(xing)能(neng)，同(tong)目前常見的方法是通(tong)過(guo)電滯(zhi)回線計算高(gao)壓(ya)下(xia)電介(jie)質能(neng)量(liang)密(mi)度(du)，測(ce)試時(shi)，樣(yang)品(pin)的電荷(he)釋放至高(gao)壓(ya)源(yuan)上(shang)，而(er)非釋放(fang)至負(fu)載(zai)上(shang)，也(ye)就(jiu)是說，通(tong)過(guo)電滯(zhi)回線測(ce)得(de)的能(neng)量(liang)密(mi)度(du)會大與(yu)樣(yang)品實際釋(shi)放(fang)的能(neng)量(liang)密(mi)度(du)，不能(neng)正確(que)評(ping)估儲能(neng)材(cai)料(liao)的正常放電性(xing)能(neng)。華(hua)測(ce)充放(fang)電測(ce)試具有(you)專門(men)設(she)計的電容(rong)放(fang)電電路來測(ce)量(liang)，首(shou)先將(jiang)測(ce)試材料(liao)充電到給定電壓(ya)，之(zhi)後(hou)通(tong)過(guo)閉合高(gao)速(su)MOS高(gao)壓(ya)開(kai)關(guan)，將(jiang)存(cun)儲在(zai)儲能(neng)材(cai)料(liao)中(zhong)的能(neng)量(liang)釋(shi)放(fang)到電阻(zu)器負(fu)載(zai)中(zhong)，更符(fu)合電介(jie)質充放(fang)電原(yuan)理(li)。

07.電聲(sheng)脈(mai)沖法空(kong)間電荷(he)測(ce)量(liang)

空間(jian)電荷(he)是指(zhi)在(zai)材料(liao)特定區域(yu)內電荷(he)分(fen)布不(bu)均(jun)勻(yun)的現象。該現象是由(you)於載流(liu)子(zi)的擴散和漂移(yi)運(yun)動所(suo)導致(zhi)的，在材料的局部區域產生(sheng)了電荷(he)累積，從而(er)使材料改變(bian)了(le)原(yuan)本的電中(zhong)性狀態。空(kong)間(jian)電荷(he)的存(cun)在對(dui)材(cai)料(liao)的電學(xue)性能(neng)有(you)著(zhe)重要(yao)的影響(xiang)，可能(neng)導致(zhi)電場畸(ji)變(bian)、絕緣(yuan)性(xing)能(neng)下(xia)降等(deng)問題(ti)。

電聲(sheng)脈(mai)沖法（PEA）空(kong)間電荷(he)測(ce)試可以便(bian)捷(jie)準(zhun)確(que)地(di)測(ce)量(liang)固體(ti)儲能(neng)材(cai)料(liao)內部空(kong)間(jian)電荷(he)分(fen)布,電聲(sheng)脈(mai)沖法可以測(ce)量(liang)較(jiao)厚的介(jie)質，可以在(zai)帶(dai)電狀態下(xia)直(zhi)接(jie)測(ce)量(liang)絕(jue)緣(yuan)測(ce)試樣品(pin)中(zhong)的空間電荷(he)分(fen)布，最(zui)小(xiao)可測(ce)空間(jian)電荷(he)密度(du)為(wei)4μC·cm^-3,最(zui)小(xiao)可測(ce)試樣厚度(du)為(wei)0.2mm。

08.靜電電壓(ya)

靜電是壹(yi)種處於靜止(zhi)狀態的電荷(he)，雖然其(qi)總電荷(he)量(liang)不(bu)大，但其(qi)瞬間(jian)釋(shi)放(fang)所(suo)產生(sheng)的高(gao)電壓(ya)與(yu)大電流(liu)非常容易對(dui)周(zhou)邊電路、設(she)備乃(nai)至(zhi)人員造(zao)成(cheng)損害(hai)。對(dui)儲能(neng)材(cai)料(liao)的靜電性(xing)能(neng)（包括面(mian)電荷(he)密度(du)與(yu)電阻(zu)）進行測(ce)試，可以對(dui)後(hou)期防靜電工(gong)程設(she)計(ji)和改(gai)善(shan)儲能(neng)系(xi)統(tong)的抗靜電性(xing)能(neng)設(she)計(ji)提供數據支(zhi)持，對(dui)周(zhou)圍(wei)電路的靜電敏(min)感(gan)電子(zi)元器(qi)件選型提供參考(kao)依(yi)據。

配(pei)置(zhi)模(mo)塊(kuai)

儲能(neng)新(xin)材(cai)料電學(xue)綜(zong)合測(ce)試系統(tong)可進行電壓(ya)擊穿(chuan)（介(jie)電場強(qiang)）、高(gao)低(di)頻(pin)介(jie)電頻(pin)譜(pu)、溫(wen)譜、高(gao)溫(wen)絕緣(yuan)電阻(zu)、熱釋(shi)電測(ce)試、TSDC熱刺(ci)激(ji)極(ji)化電流(liu)、充放(fang)電儲能(neng)密(mi)度(du)測(ce)試、電聲(sheng)脈(mai)沖法空(kong)間電荷(he)測(ce)量(liang)、靜(jing)電電壓(ya)等(deng)。

儲能(neng)新(xin)材(cai)料電學(xue)綜(zong)合測(ce)試系統(tong)/介(jie)電場強(qiang)

儲能(neng)新(xin)材(cai)料電學(xue)綜(zong)合測(ce)試系統(tong)/介(jie)電場強(qiang)