
當(dang)前(qian)位(wei)置(zhi):首(shou)頁(ye) > 產(chan)品(pin)中心(xin) > 半(ban)導體(ti)封裝材(cai)料測試系(xi)統 > TSDC測(ce)試系(xi)統 > HC-TSC2000半(ban)導體(ti)封裝材(cai)料TSDC測試系(xi)統簡(jian)要(yao)描述(shu):半(ban)導體(ti)封裝材(cai)料TSDC測試系(xi)統因為熱(re)刺(ci)激(ji)電流(liu)與材(cai)料的這(zhe)些(xie)參數(如h與τ)密切相關,故(gu)它(ta)是壹(yi)種研究介(jie)電材(cai)料、絕緣材(cai)料、半(ban)導體(ti)材(cai)料等(deng)的有(you)效(xiao)手段。tsc是指當(dang)樣(yang)品(pin)受到電場極化(hua)後(hou),去(qu)掉電場,熱(re)激(ji)時,樣(yang)品(pin)從(cong)極化(hua)態轉變(bian)到平(ping)衡(heng)態的過(guo)程(cheng)中,在(zai)外電路(lu)中得(de)到的電流(liu),稱為(wei)熱(re)激(ji)退(tui)極(ji)化(hua)電流(liu)。
產(chan)品(pin)分類
Product Category相關文(wen)章(zhang)
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| 品(pin)牌(pai) | 華(hua)測(ce)儀(yi)器(qi) | 產地類別 | 國(guo)產(chan) |
|---|---|---|---|
| 應用(yong)領(ling)域 | 化(hua)工,能(neng)源(yuan),電子/電池(chi),電氣(qi),綜合(he) |
半(ban)導體(ti)封裝材(cai)料TSDC測試系(xi)統
熱(re)刺(ci)激(ji)理(li)論(lun)是在(zai)介質物(wu)理的基礎上(shang)發展(zhan)起來的,研(yan)究這(zhe)壹(yi)理論(lun)的方(fang)法(fa)即(ji)熱(re)刺(ci)激(ji)法(fa)比(bi)較簡(jian)單實(shi)用(yong)而且又能較(jiao)準(zhun)確(que)地測(ce)量出某(mou)些(xie)物(wu)質(如電介質(zhi)、絕緣材(cai)料、半(ban)導體(ti)、駐(zhu)極(ji)體(ti)等(deng))的微觀參(can)數(shu),熱(re)刺(ci)激(ji)法(fa)是壹(yi)面(mian)對(dui)材(cai)料升溫壹(yi)面(mian)進行測(ce)量,即(ji)非(fei)等(deng)溫(wen)測量。由於材(cai)料(例如介電材(cai)料)中的荷(he)電粒子(zi)的微觀參(can)數(shu)(如活化能(neng)h、松(song)弛(chi)時間(jian)τ等(deng))不(bu)同(tong),用(yong)熱(re)刺(ci)激(ji)法(fa)就很(hen)容易(yi)將材(cai)料中的各(ge)種不同(tong)h或(huo)τ的荷(he)電粒子(zi)分離(li)開來,從(cong)而求出(chu)各自(zi)的參(can)數(shu)。因為熱(re)刺(ci)激(ji)電流(liu)與材(cai)料的這(zhe)些(xie)參數(如h與τ)密切相關,故(gu)它(ta)是壹(yi)種研究介(jie)電材(cai)料、絕緣材(cai)料、半(ban)導體(ti)材(cai)料等(deng)的有(you)效(xiao)手段。tsc是指當(dang)樣(yang)品(pin)受到電場極化(hua)後(hou),去(qu)掉電場,熱(re)激(ji)時,樣(yang)品(pin)從(cong)極化(hua)態轉變(bian)到平(ping)衡(heng)態的過(guo)程(cheng)中,在(zai)外電路(lu)中得(de)到的電流(liu),稱為(wei)熱(re)激(ji)退(tui)極(ji)化(hua)電流(liu)。
壹(yi)個系(xi)統就可(ke)以(yi)進行塊(kuai)體(ti)陶瓷(ci)材(cai)料的熱(re)激(ji)發(fa)極(ji)化(hua)電流(liu)TSDC、電阻和(he)鐵電進行綜(zong)合(he)評價(jia),設(she)備可(ke)以(yi)遠程(cheng)接(jie)入(ru)華(hua)測(ce)遠(yuan)程(cheng)服務(wu)平(ping)臺,可(ke)針對(dui)用(yong)戶應(ying)用(yong)和(he)要(yao)求的硬(ying)件(jian)升級(ji)服務(wu),對(dui)用(yong)戶遠(yuan)程(cheng)指(zhi)導及(ji)技(ji)術支持
特點(dian):
支持的硬(ying)件(jian):
內(nei)置或(huo)外(wai)置(zhi)的高(gao)壓(ya)放大器(qi)(+/-100V到+/-10 kV)
塊體陶瓷(ci)樣(yang)品(pin)夾具
溫(wen)度(du)控制器(qi)和(he)溫(wen)度(du)腔(qiang)
測試功(gong)能:
熱(re)釋(shi)電測試
漏電流(liu)測試
疲勞(lao)測(ce)試
用(yong)戶定義(yi)激(ji)勵(li)波形
半(ban)導體(ti)封裝材(cai)料TSDC測試系(xi)統系(xi)統原(yuan)理:
介(jie)質材(cai)料在(zai)受熱(re)過(guo)程(cheng)中建(jian)立(li)極化態或(huo)解(jie)除(chu)極化態時所產(chan)生的短路(lu)電流(liu)。基本方(fang)法(fa)是將試樣夾在(zai)兩電極之間(jian),加(jia)熱(re)到壹(yi)定溫(wen)度(du)使樣品(pin)中的載(zai)流(liu)子激(ji)發,然後(hou)施(shi)加(jia)壹(yi)個直(zhi)流(liu)的極(ji)化(hua)電壓,經(jing)過(guo)壹(yi)段時間(jian)使樣(yang)品(pin)充分極(ji)化,以(yi)便載(zai)流(liu)子向(xiang)電極漂(piao)移或(huo)偶極(ji)子(zi)充分取(qu)向(xiang),隨後(hou)立(li)即(ji)降溫(wen)到低溫,使各類極(ji)化(hua)“凍(dong)結(jie)",然後(hou)以(yi)等(deng)速(su)率(lv)升溫,同(tong)時記(ji)錄(lu)試樣經(jing)檢流(liu)計短路(lu)的去(qu)極(ji)化(hua)電流(liu)隨溫(wen)度(du)的變(bian)化關系(xi),即(ji)得到TSDC譜“凍(dong)結(jie)",然後(hou)以(yi)等(deng)速(su)率(lv)升溫,同(tong)時記(ji)錄(lu)試樣經(jing)檢流(liu)計短路(lu)的去(qu)極(ji)化(hua)電流(liu)隨溫(wen)度(du)的變(bian)化關系(xi),即(ji)得到TSDC譜
系(xi)統應(ying)用(yong):
廣泛應用(yong)於電力、絕緣、生物(wu)分子(zi)等(deng)領(ling)域,用(yong)於研(yan)究材(cai)料的壹(yi)些關鍵因素,諸(zhu)如分子(zi)弛豫、相轉變(bian)、玻(bo)璃(li)化溫(wen)度(du)等(deng)等(deng),通(tong)過TSDC技(ji)術也可(ke)以(yi)比較(jiao)直(zhi)觀(guan)的研(yan)究材(cai)料的弛(chi)豫時間(jian)、活化能(neng)等(deng)相關的介(jie)電特性(xing)。TSDC技(ji)術也可(ke)以(yi)比較(jiao)直(zhi)觀(guan)的研(yan)究材(cai)料的弛(chi)豫時間(jian)、活化能(neng)等(deng)相關的介(jie)電特性(xing)。
主(zhu)要(yao)技(ji)術參數:
極(ji)化電壓:±0-10kV(最(zui)大電壓)
極(ji)化(hua)電流(liu):10fA~20mA
控溫(wen)精(jing)度(du):±0.5℃
測量精(jing)度(du):0.05%
升降溫(wen)速(su)率(lv)快:0.01~ 30 ℃/min
溫(wen)度(du)範圍寬:- 185 ~ 500 ℃
升降溫(wen)速(su)率(lv)快:(0.01 ~ 30)℃/min
多種獨立(li)變(bian)量:溫度(du)、極化電壓、極(ji)化(hua)時間(jian)、升降溫(wen)速(su)率(lv)等(deng)
多種測量模(mo)式:
熱(re)激(ji)勵(li)去(qu)極(ji)化、熱(re)激(ji)勵(li)極(ji)化(hua)、等(deng)溫(wen)極化(hua)時域(yu)、等(deng)溫(wen)電導率(lv)時域(yu)、等(deng)溫(wen)弛豫譜等(deng)
多種測量參數:樣(yang)品(pin)電流(liu)、電流(liu)密度(du)、電荷(he)變(bian)化、介電常數(shu)變(bian)化等(deng)
通(tong)訊(xun):USB接(jie)口(kou)

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