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          • 半(ban)導(dao)體封(feng)裝材料高(gao)低(di)溫絕緣電阻(zu)測試(shi)系統(tong)
            半(ban)導(dao)體封(feng)裝材料高(gao)低(di)溫絕緣電阻(zu)測試(shi)系統(tong)

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            半(ban)導(dao)體封(feng)裝材料高(gao)低(di)溫絕緣電阻(zu)測試(shi)系統(tong)華測儀(yi)器(qi)通過多(duo)年研(yan)究(jiu)開(kai)發了壹(yi)種(zhong)可(ke)實(shi)現(xian)高(gao)的(de)精(jing)度(du)溫(wen)控(kong),高(gao)屏蔽(bi)幹擾信(xin)號的(de)循(xun)環(huan)熱(re)風(feng)加(jia)熱(re)方(fang)式,在高(gao)速(su)加(jia)熱(re)及高(gao)速(su)冷(leng)卻(que)時(shi),具(ju)有(you)均(jun)勻(yun)的(de)溫(wen)度(du)分(fen)布。 可(ke)實(shi)現(xian)寬(kuan)域均(jun)熱(re)區,高(gao)速(su)加(jia)熱(re)、高(gao)速(su)冷(leng)卻(que) ,加(jia)熱(re)箱(xiang)體整體密(mi)封(feng),無氣(qi)氛汙染(ran)。
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          • SIR-450半(ban)導(dao)體封(feng)裝材料 高(gao)低(di)溫絕緣電阻(zu)測試(shi)系統(tong)
            SIR-450半(ban)導(dao)體封(feng)裝材料 高(gao)低(di)溫絕緣電阻(zu)測試(shi)系統(tong)

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            半(ban)導(dao)體封(feng)裝材料 高(gao)低(di)溫絕緣電阻(zu)測試(shi)系統(tong)高(gao)低(di)溫環(huan)境(jing)下(xia)的(de)絕緣電阻(zu)測試(shi)技術用於預測EMC的(de)HTRB性(xing)能。電介(jie)質(zhi)樣(yang)品暴(bao)露(lu)在高(gao)電場強(qiang)度(du)和(he)高(gao)溫環(huan)境(jing)下(xia)。在這種(zhong)情(qing)況(kuang)下(xia),高(gao)分(fen)子聚合(he)物(wu)材料在高(gao)溫環(huan)境(jing)下(xia)具(ju)有(you)負(fu)阻(zu)性(xing)的(de)特(te)征(zheng),電阻(zu)(率(lv))隨著(zhe)溫(wen)度(du)的(de)上(shang)升而(er)下(xia)降,HTRB性(xing)能之(zhi)間(jian)的(de)相關性(xing)表(biao)明(ming),隨著(zhe)溫(wen)度(du)的(de)上(shang)升電阻(zu)率(lv)越(yue)下(xia)降嚴重(zhong),而(er)HTRB性(xing)能越(yue)差,因此(ci),材料的(de)電阻(zu)率(lv)是HTRB失(shi)效測量的(de)壹(yi)個關(guan)鍵(jian)測量手段(duan)。
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          • 半(ban)導(dao)體封(feng)裝材料高(gao)溫絕緣電阻(zu)測試(shi)系統(tong)
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            半(ban)導(dao)體封(feng)裝材料高(gao)溫絕緣電阻(zu)測試(shi)系統(tong)運用三電極(ji)法(fa)設計(ji)原(yuan)理(li)測量。利(li)用新(xin)穎的(de)電阻(zu)測試(shi)系統(tong),重復(fu)性(xing)與(yu)穩(wen)定性(xing)更(geng)好(hao),提升(sheng)了夾(jia)具(ju)的(de)抗(kang)幹擾能力(li),同時(shi)大(da)大(da)提高(gao)精(jing)確(que)度(du),可(ke)應用於產品檢(jian)測以(yi)及新(xin)材料電學性(xing)能研(yan)究(jiu)等用途。
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