半導(dao)體(ti)封裝材(cai)料(liao)高低溫(wen)絕緣(yuan)電阻測(ce)試系(xi)統(tong)

半導(dao)體(ti)封裝材(cai)料(liao)高低溫(wen)絕緣(yuan)電阻測(ce)試系(xi)統(tong)

半導(dao)體(ti)封裝材(cai)料(liao)高低溫(wen)絕緣(yuan)電阻測(ce)試系(xi)統(tong)產(chan)品(pin)介紹(shao)：

高低溫(wen)環境下(xia)的絕緣(yuan)電阻測(ce)試技(ji)術用於預測(ce)EMC的(de)HTRB性能。電介質(zhi)樣品暴露在高電場(chang)強度和高溫(wen)環境下(xia)。在這種情況(kuang)下(xia)，高分子聚合(he)物(wu)材料(liao)在高溫(wen)環境下(xia)具有負(fu)阻(zu)性(xing)的(de)特征，電阻（率）隨著溫(wen)度的(de)上升(sheng)而下(xia)降(jiang)，HTRB性(xing)能之(zhi)間的(de)相(xiang)關(guan)性(xing)表(biao)明(ming)，隨(sui)著(zhe)溫(wen)度的(de)上升(sheng)電阻率越下(xia)降(jiang)嚴(yan)重(zhong)，而HTRB性(xing)能越(yue)差(cha)，因(yin)此，材料(liao)的電阻率是(shi)HTRB失(shi)效(xiao)測(ce)量的壹個關(guan)鍵測(ce)量手段(duan)。關(guan)於環氧(yang)塑封料(liao)（EMC， Epoxy Molding Compound）高低溫(wen)測試(shi)技(ji)術，已(yi)證明此測試(shi)方式是(shi)有效(xiao)的(de)，同(tong)時(shi)加(jia)速國產化(hua)IGBT、MOSFET等(deng)功(gong)率器件的(de)研(yan)發(fa)。如(ru)無錫(xi)凱華、中(zhong)科(ke)科(ke)化、飛(fei)凱材料(liao)等(deng)企(qi)業。

設(she)備(bei)優(you)勢：

1、消除電網(wang)諧波對采集(ji)精(jing)度(du)的(de)影(ying)響(xiang)

在(zai)超高阻、弱信號測量過程(cheng)中(zhong)、輸(shu)入(ru)偏(pian)置電流和泄(xie)漏(lou)電流都會引起測量誤(wu)差(cha)。同(tong)時(shi)電網(wang)中(zhong)大(da)量使用變(bian)頻(pin)器(qi)等(deng)高頻(pin)、高功(gong)率設(she)備(bei)，將對電網(wang)造(zao)成諧波幹擾(rao)。以致(zhi)影(ying)響(xiang)弱(ruo)信號的采集(ji)，華測儀(yi)器公司推出的(de)抗幹擾模塊(kuai)以及(ji)用(yong)新測(ce)試分析技(ji)術,實現(xian)了(le)高達(da)1fA(10-15 A)的(de)測(ce)量分辨(bian)率,從(cong)而滿(man)足了(le)很(hen)多(duo)半導(dao)體(ti),功(gong)能(neng)材料(liao)和納米器件的測試(shi)需(xu)求(qiu)。

2、消除不(bu)規(gui)則輸(shu)入(ru)的(de)自動(dong)平(ping)均值(zhi)功(gong)能(neng) 強數據處(chu)理及(ji)內(nei)部屏蔽(bi)

自(zi)動(dong)平(ping)均值(zhi)是(shi)檢(jian)測電流的變(bian)化(hua)，並(bing)自(zi)動(dong)將其(qi)進(jin)行平(ping)均化(hua)的(de)功(gong)能(neng)， 在查看(kan)測(ce)量結(jie)果(guo)的(de)同(tong)時(shi)不(bu)需(xu)要改(gai)變(bian)設(she)置。通(tong)過自動(dong)排(pai)除充電電流的過(guo)渡響(xiang)應(ying)時(shi)或(huo)接(jie)觸不(bu)穩(wen)定導(dao)致(zhi)偏差(cha)較大。電流輸(shu)入(ru)端(duan)口全新采用大(da)口徑(jing)三(san)軸連接(jie)器(qi)，是(shi)將內(nei)部(bu)屏蔽(bi)連接(jie)至GUARD(COM)線，外部(bu)屏蔽(bi)連接(jie)至GROUND的(de)3層(ceng)同(tong)軸設(she)計。兼(jian)顧抗幹擾的穩(wen)定性和高壓檢(jian)查時(shi)的(de)安(an)全(quan)性(xing)。

3、采用測(ce)量前等(deng)待的(de)方式，讓材(cai)料(liao)受熱均勻(yun)

當(dang)溫(wen)度達(da)到(dao)設(she)定溫(wen)度後(hou)，樣(yang)品的均勻(yun)受熱會(hui)有壹(yi)定(ding)的滯(zhi)後(hou)現(xian)象(xiang)，采用達(da)到(dao)設(she)備(bei)溫(wen)度保持(chi)時(shi)間(jian)，采用測(ce)量前等(deng)待的(de)方式。可(ke)以讓材(cai)料(liao)受熱更(geng)均勻(yun)，測(ce)量更加(jia)科(ke)學合(he)理。

4、強大的操作軟(ruan)件(jian)

測(ce)試系(xi)統(tong)的(de)軟(ruan)件(jian)平(ping)臺 Huacepro ，基於labview系(xi)統(tong)開(kai)發(fa)，符(fu)合功(gong)能(neng)材料(liao)的各項測(ce)試(shi)需(xu)求(qiu)，具(ju)備(bei)強大(da)的穩定性與操作安全(quan)性，並(bing)具(ju)備(bei)斷電資(zi)料(liao)的保存功(gong)能(neng)，圖像(xiang)資(zi)料(liao)也可(ke)保存恢(hui)復。支(zhi)持(chi)最(zui)新的(de)國際標(biao)準(zhun)，兼容XP、win7、win10系(xi)統(tong)。

產品參(can)數：

設(she)備(bei)型號：SIR-450

溫(wen)度範(fan)圍(wei)：-185 ~ 350 °C

控(kong)溫(wen)精度(du)：0.5 °C

升(sheng)溫(wen)斜率：10°C/min（可(ke)設(she)定）

電阻：1×10¹⁶Ω

電阻率：1×10³ Ω ~ 1×10¹⁶Ω

輸(shu)入(ru)電壓：220V

樣品尺(chi)寸：φ＜25mm，d＜4mm

電極(ji)材(cai)料(liao)：黃銅或(huo)銀;

夾具(ju)輔(fu)助(zhu)材料(liao)：99氧化鋁陶瓷(ci)

絕緣材(cai)料(liao)：99氧化鋁陶瓷(ci)

測試功(gong)能(neng)：高低溫(wen)電阻率

數據傳輸(shu)：RS-232

設(she)備(bei)尺寸：180 x 210 x 50mm