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        1. 您好!歡(huan)迎訪(fang)問北(bei)京華測試(shi)驗儀器有(you)限(xian)公(gong)司網(wang)站(zhan)!
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          半(ban)導體(ti)封(feng)裝(zhuang)材(cai)料(liao)高低溫絕(jue)緣(yuan)電阻測(ce)試(shi)系統的(de)場(chang)景應用(yong)

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          半(ban)導體(ti)封(feng)裝(zhuang)材(cai)料(liao)高低溫絕(jue)緣(yuan)電阻測(ce)試(shi)系統的(de)場(chang)景應用(yong)


          高低(di)溫環(huan)境(jing)下(xia)的(de)絕(jue)緣電阻測(ce)試(shi)技術用於預(yu)測(ce)EMC的(de)HTRB性能。電(dian)介(jie)質(zhi)樣品暴(bao)露在高電場(chang)強度和(he)高溫環(huan)境(jing)下(xia)。在這種(zhong)情況下,高分子聚合(he)物(wu)材料(liao)在高溫環(huan)境(jing)下(xia)具有(you)負(fu)阻性的(de)特征(zheng),電(dian)阻(zu)(率)隨著(zhe)溫度的(de)上升(sheng)而(er)下(xia)降(jiang),HTRB性能之間的(de)相關(guan)性表(biao)明,隨著(zhe)溫度的(de)上升(sheng)電阻率越下降(jiang)嚴重(zhong),而(er)HTRB性能越(yue)差(cha),因(yin)此(ci),材(cai)料(liao)的(de)電(dian)阻率是HTRB失效測量的(de)壹(yi)個關鍵(jian)測量(liang)手(shou)段(duan)。

          關於環(huan)氧(yang)塑封(feng)料(liao)(EMC, Epoxy Molding Compound)高低(di)溫測(ce)試(shi)技術,已證明此(ci)測(ce)試(shi)方(fang)式是(shi)有(you)效(xiao)的(de),同時加速國(guo)產(chan)化(hua)IGBT、MOSFET等(deng)功(gong)率器件的(de)研發。

          應用(yong)場(chang)景:

          l 電子(zi)元(yuan)器件(jian):在電子產(chan)品中,電(dian)容器(qi)、電阻器(qi)、半(ban)導體(ti)器件(jian)等(deng)需要(yao)在不同溫度下(xia)進行(xing)試(shi)驗,以評(ping)估(gu)其性能和(he)可靠(kao)性。例(li)如(ru),鋰電(dian)池(chi)和(he)太(tai)陽(yang)能電(dian)池(chi)在高低溫環(huan)境(jing)下(xia)的(de)表(biao)現直接(jie)影響其應(ying)用(yong)效果(guo),因(yin)此(ci)需要(yao)進行(xing)高(gao)低溫試(shi)驗;

          l 新能源(yuan)材(cai)料(liao):對(dui)於新能源(yuan)材(cai)料(liao)如(ru)鋰電(dian)池(chi)和(he)太(tai)陽(yang)能電(dian)池(chi),高(gao)低(di)溫試(shi)驗尤為(wei)重(zhong)要(yao)。這些(xie)材(cai)料在惡劣(lie)溫度下(xia)的(de)性能表(biao)現(xian)直(zhi)接(jie)關(guan)系到其實際應(ying)用效(xiao)果(guo)和壽命(ming);

          l 汽車(che)零(ling)部(bu)件:汽車零(ling)部(bu)件需要(yao)在不同的(de)氣(qi)候條(tiao)件(jian)下(xia)進(jin)行(xing)試(shi)驗,以評(ping)估(gu)其耐(nai)用性和(he)可靠(kao)性。車(che)輛在不同氣候條(tiao)件(jian)下(xia)會遇(yu)到各種(zhong)惡劣(lie)溫度,因(yin)此(ci)汽(qi)車(che)零(ling)部(bu)件的(de)高(gao)低溫試(shi)驗是確保其性能穩(wen)定(ding)的(de)關(guan)鍵(jian);

          l 半(ban)導體(ti)材料(liao):半(ban)導體(ti)材料(liao)的(de)電(dian)阻率測試(shi)在高低溫條(tiao)件(jian)下進行(xing),可以用於測(ce)量(liang)矽(Si)、鍺(Ge)、砷(shen)化(hua)鎵(GaAs)、銻化(hua)銦(InSb)等(deng)材(cai)料(liao)的(de)電(dian)阻率。這種(zhong)測試(shi)方(fang)法廣泛(fan)應(ying)用(yong)於半(ban)導體(ti)材料(liao)的(de)研發和生產(chan)過(guo)程(cheng)中。

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          北(bei)京華測試(shi)驗儀器有(you)限(xian)公(gong)司
          地(di)址:北(bei)京海澱區
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