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        1. 您好(hao)!歡(huan)迎訪問北(bei)京(jing)華(hua)測(ce)試(shi)驗(yan)儀(yi)器有限公司(si)網站!
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          當(dang)前(qian)位(wei)置:首(shou)頁 > 產(chan)品(pin)中(zhong)心(xin) > 半(ban)導(dao)體封裝(zhuang)材(cai)料(liao)測試(shi)系(xi)統 > 高低溫(wen)絕緣電阻測(ce)試(shi)系(xi)統 > SIR-450半(ban)導(dao)體封裝(zhuang)材(cai)料(liao) 高低溫(wen)絕緣電阻測(ce)試(shi)系(xi)統

          半(ban)導(dao)體封裝(zhuang)材(cai)料(liao) 高低溫(wen)絕緣電阻測(ce)試(shi)系(xi)統

          簡(jian)要(yao)描述:半(ban)導(dao)體封裝(zhuang)材(cai)料(liao) 高低溫(wen)絕緣電阻測(ce)試(shi)系(xi)統高低溫(wen)環境下(xia)的(de)絕緣電阻測(ce)試(shi)技(ji)術用(yong)於預測(ce)EMC的(de)HTRB性(xing)能。電介質(zhi)樣品(pin)暴露在(zai)高(gao)電場(chang)強(qiang)度(du)和高溫(wen)環境下(xia)。在這(zhe)種(zhong)情(qing)況下,高(gao)分子(zi)聚合(he)物(wu)材(cai)料(liao)在高(gao)溫(wen)環境下(xia)具(ju)有負(fu)阻性(xing)的(de)特(te)征,電阻(率(lv))隨著(zhe)溫(wen)度的(de)上(shang)升而(er)下(xia)降(jiang),HTRB性(xing)能之間的(de)相(xiang)關(guan)性(xing)表(biao)明,隨著(zhe)溫(wen)度的(de)上(shang)升電阻率(lv)越下降嚴重(zhong),而(er)HTRB性(xing)能越差,因此,材(cai)料(liao)的(de)電阻率(lv)是(shi)HTRB失(shi)效(xiao)測(ce)量的(de)壹個(ge)關(guan)鍵測(ce)量手段(duan)。

          • 產品(pin)型(xing)號:SIR-450
          • 廠(chang)商性質:生產(chan)廠(chang)家
          • 更新(xin)時(shi)間(jian):2025-09-15
          • 訪  問  量:1832

          詳(xiang)細介(jie)紹

          品(pin)牌(pai)華測(ce)儀(yi)器應(ying)用領域(yu)化工(gong),能源,電子/電池(chi),汽車及零部(bu)件(jian),綜合(he)
          溫(wen)度範圍(wei)-185℃ ~ 350℃控溫(wen)精度0.5℃
          升溫(wen)斜(xie)率(lv)10℃/min(可設(she)定)電阻1~10^16Ω
          電阻率(lv)1×10^3 Ω ~ 1×10^16Ω輸(shu)入電壓220V
          樣品(pin)尺(chi)寸φ<25mm,d<4mm電極材(cai)料(liao)黃銅(tong)或銀(yin);
          夾(jia)具(ju)輔(fu)助(zhu)材(cai)料(liao)99氧化鋁陶(tao)瓷(ci)絕緣材(cai)料(liao)99氧化鋁陶(tao)瓷(ci)
          測試(shi)功(gong)能高低溫(wen)電阻率(lv)數(shu)據傳(chuan)輸RS-232
          設(she)備尺寸180 x 210 x 50mm


          半(ban)導(dao)體封裝(zhuang)材(cai)料(liao) 高低溫(wen)絕緣電阻測(ce)試(shi)系(xi)統


          半(ban)導(dao)體封裝(zhuang)材(cai)料(liao) 高低溫(wen)絕緣電阻測(ce)試(shi)系(xi)統


          研(yan)究(jiu)前(qian)景:

          環氧塑(su)封料(liao)(EMC, Epoxy Molding Compound)是(shi)用(yong)於半(ban)導(dao)體封裝(zhuang)的(de)壹種(zhong)熱固(gu)性化學材(cai)料(liao),是由環氧樹(shu)脂(zhi)為(wei)基體樹(shu)脂(zhi),以(yi)高(gao)性能酚醛(quan)樹(shu)脂(zhi)為(wei)固(gu)化劑(ji),加入矽(gui)微粉等為填(tian)料(liao),以(yi)及添加(jia)多種(zhong)助劑(ji)混配而(er)成(cheng)的(de)粉狀(zhuang)模(mo)塑(su)料(liao),為後(hou)道(dao)封裝(zhuang)的(de)主(zhu)要(yao)原(yuan)材(cai)料(liao)之壹,目前(qian)95%以(yi)上(shang)的(de)微電子器件(jian)都(dou)是環氧塑(su)封器件(jian)。環氧塑(su)封料(liao)具(ju)有保(bao)護(hu)芯片不受外界環境的(de)影(ying)響(xiang),抵(di)抗(kang)外部溶(rong)劑(ji)、濕氣(qi)、沖(chong)擊,保(bao)證(zheng)芯片與(yu)外界環境電絕緣等功(gong)能。環氧塑(su)封料(liao)對高(gao)功(gong)率半(ban)導(dao)體器件(jian)的(de)高(gao)溫(wen)反向(xiang)偏壓(ya)(HTRB)性能有重要(yao)控(kong)制作(zuo)用。


          半(ban)導(dao)體封裝(zhuang)材(cai)料(liao) 高低溫(wen)絕緣電阻測(ce)試(shi)系(xi)統產(chan)品(pin)概(gai)述:

          高(gao)低溫(wen)環境下(xia)的(de)絕緣電阻測(ce)試(shi)技(ji)術用(yong)於預測(ce)EMC的(de)HTRB性(xing)能。電介質(zhi)樣品(pin)暴露在(zai)高(gao)電場(chang)強(qiang)度(du)和高溫(wen)環境下(xia)。在這(zhe)種(zhong)情(qing)況下,高(gao)分子(zi)聚合(he)物(wu)材(cai)料(liao)在高(gao)溫(wen)環境下(xia)具(ju)有負(fu)阻性(xing)的(de)特(te)征,電阻(率(lv))隨著(zhe)溫(wen)度的(de)上(shang)升而(er)下(xia)降(jiang),HTRB性(xing)能之間的(de)相(xiang)關(guan)性(xing)表(biao)明,隨著(zhe)溫(wen)度的(de)上(shang)升電阻率(lv)越下降嚴重(zhong),而(er)HTRB性(xing)能越差,因此,材(cai)料(liao)的(de)電阻率(lv)是(shi)HTRB失(shi)效(xiao)測(ce)量的(de)壹個(ge)關(guan)鍵測(ce)量手段(duan)。關於環氧塑(su)封料(liao)(EMC, Epoxy Molding Compound)高低溫(wen)測試(shi)技(ji)術,已(yi)證(zheng)明此測(ce)試(shi)方(fang)式是有效(xiao)的(de),同(tong)時(shi)加(jia)速(su)國(guo)產(chan)化IGBT、MOSFET等功(gong)率器件(jian)的(de)研(yan)發。如(ru)無錫凱(kai)華、中(zhong)科(ke)科(ke)化、飛(fei)凱(kai)材(cai)料(liao)等企業(ye)。


          應(ying)用場(chang)景:

          電子元(yuan)器件(jian):在(zai)電子產(chan)品(pin)中(zhong),電容器、電阻器、半(ban)導(dao)體器件(jian)等需(xu)要(yao)在(zai)不同(tong)溫(wen)度下進(jin)行試(shi)驗(yan),以(yi)評(ping)估其性能和可靠性。例(li)如(ru),鋰(li)電池(chi)和太陽能電池(chi)在高(gao)低溫(wen)環境下(xia)的(de)表(biao)現(xian)直接影(ying)響(xiang)其應(ying)用效(xiao)果(guo),因(yin)此(ci)需(xu)要(yao)進(jin)行高低溫(wen)試(shi)驗(yan);新(xin)能源材(cai)料(liao):對於新(xin)能源材(cai)料(liao)如(ru)鋰(li)電池(chi)和太陽能電池(chi),高低溫(wen)試(shi)驗(yan)尤為重要(yao)。這(zhe)些材(cai)料(liao)在惡(e)劣溫(wen)度下的(de)性(xing)能表(biao)現(xian)直接關(guan)系(xi)到(dao)其實際應(ying)用效(xiao)果(guo)和壽命(ming);汽車零部(bu)件:汽車零部(bu)件需(xu)要(yao)在(zai)不同(tong)的(de)氣(qi)候(hou)條(tiao)件(jian)下進(jin)行試(shi)驗(yan),以(yi)評(ping)估其耐用(yong)性和可靠性。車輛在(zai)不同(tong)氣候(hou)條(tiao)件(jian)下(xia)會(hui)

          遇(yu)到(dao)各種(zhong)惡(e)劣溫(wen)度,因此汽車零部(bu)件的(de)高(gao)低溫(wen)試(shi)驗(yan)是確保(bao)其性能穩定(ding)的(de)關(guan)鍵;半(ban)導(dao)體材(cai)料(liao):半(ban)導(dao)體材(cai)料(liao)的(de)電阻率(lv)測(ce)試(shi)在(zai)高低溫(wen)條件下進(jin)行,可以(yi)用(yong)於測(ce)量矽(gui)(Si)、鍺(zhe)(Ge)、砷(shen)化鎵(jia)(GaAs)、銻化銦(InSb)等材(cai)料(liao)的(de)電阻率(lv)。這(zhe)種(zhong)測試(shi)方(fang)法廣泛應(ying)用於半(ban)導(dao)體材(cai)料(liao)的(de)研(yan)發和生產(chan)過(guo)程(cheng)中(zhong)。


          產(chan)品(pin)優勢(shi):

          半(ban)導(dao)體封裝(zhuang)材(cai)料(liao) 高低溫(wen)絕緣電阻測(ce)試(shi)系(xi)統


          1、消(xiao)除電網諧(xie)波對采集(ji)精度的(de)影(ying)響(xiang)

          在(zai)超高(gao)阻(zu)、弱(ruo)信(xin)號測(ce)量過(guo)程(cheng)中、輸(shu)入偏置(zhi)電流和泄漏(lou)電流都(dou)會(hui)引起(qi)測(ce)量誤差。同(tong)時(shi)電網中(zhong)大(da)量使用變(bian)頻(pin)器等高頻(pin)、高(gao)功(gong)率設(she)備,將對電網造(zao)成(cheng)諧(xie)波幹擾(rao)。以(yi)致(zhi)影響(xiang)弱(ruo)信(xin)號的(de)采(cai)集(ji),華(hua)測儀(yi)器公(gong)司(si)推(tui)出(chu)的(de)抗(kang)幹擾(rao)模(mo)塊以(yi)及用新(xin)測試(shi)分(fen)析技術,實(shi)現(xian)了(le)高達(da)1fA(10-15 A)的(de)測(ce)量分(fen)辨(bian)率,從(cong)而(er)滿(man)足(zu)了很多半(ban)導(dao)體,功(gong)能材(cai)料(liao)和納米(mi)器件(jian)的(de)測(ce)試(shi)需(xu)求(qiu)。

          2、消(xiao)除不規(gui)則(ze)輸入的(de)自(zi)動(dong)平(ping)均(jun)值功(gong)能,更強(qiang)數(shu)據處(chu)理及內部(bu)屏(ping)蔽(bi)

          半(ban)導(dao)體封裝(zhuang)材(cai)料(liao) 高低溫(wen)絕緣電阻測(ce)試(shi)系(xi)統


          自(zi)動(dong)平均(jun)值是(shi)檢(jian)測(ce)電流的(de)變(bian)化,並自(zi)動將(jiang)其進(jin)行平均化的(de)功(gong)能, 在(zai)查看測(ce)量結(jie)果(guo)的(de)同(tong)時(shi)不需(xu)要(yao)改(gai)變(bian)設(she)置。通(tong)過自(zi)動排除充電電流的(de)過(guo)渡(du)響(xiang)應(ying)時(shi)或接(jie)觸(chu)不穩(wen)定(ding)導(dao)致(zhi)偏差(cha)較(jiao)大(da)。電流輸(shu)入端口(kou)全新(xin)采用(yong)大(da)口(kou)徑三軸連接器,是(shi)將(jiang)內部(bu)屏(ping)蔽(bi)連接至(zhi)GUARD(COM)線,外部屏(ping)蔽(bi)連接至(zhi)GROUND的(de)3層同(tong)軸設(she)計。兼顧抗幹擾(rao)的(de)穩(wen)定(ding)性(xing)和高壓(ya)檢(jian)查時(shi)的(de)安全性。

          3、采(cai)用(yong)測量前(qian)等待的(de)方(fang)式(shi),讓材(cai)料(liao)受熱更均勻(yun)

          半(ban)導(dao)體封裝(zhuang)材(cai)料(liao) 高低溫(wen)絕緣電阻測(ce)試(shi)系(xi)統

          4、強(qiang)大(da)的(de)操(cao)作(zuo)軟件(jian)

          測(ce)試(shi)系(xi)統的(de)軟(ruan)件(jian)平(ping)臺(tai) Huacepro ,基於labview系(xi)統開發,符合(he)功(gong)能材(cai)料(liao)的(de)各項測試(shi)需(xu)求(qiu),具(ju)備強(qiang)大(da)的(de)穩(wen)定(ding)性(xing)與(yu)操作(zuo)安全性,並具(ju)備斷電資料(liao)的(de)保(bao)存(cun)功(gong)能,圖像(xiang)資料(liao)也可保(bao)存(cun)恢(hui)復(fu)。支(zhi)持新(xin)的(de)國(guo)際標(biao)準(zhun),兼容XP、win7、win10系統。

          半(ban)導(dao)體封裝(zhuang)材(cai)料(liao) 高低溫(wen)絕緣電阻測(ce)試(shi)系(xi)統

          5、強(qiang)大(da)的(de)硬(ying)件(jian)配(pei)置(zhi)

          半(ban)導(dao)體封裝(zhuang)材(cai)料(liao) 高低溫(wen)絕緣電阻測(ce)試(shi)系(xi)統


          6、不壹樣的(de)加(jia)溫(wen)方式及更多應(ying)用場(chang)景

          半(ban)導(dao)體封裝(zhuang)材(cai)料(liao) 高低溫(wen)絕緣電阻測(ce)試(shi)系(xi)統



          產(chan)品(pin)參(can)數(shu):

          設(she)備型號SIR-450

          溫(wen)度範圍(wei)-185 ~ 350 °C

          控(kong)溫(wen)精度0.5 °C

          升溫(wen)斜(xie)率(lv)10°C/min(可設(she)定)

          電阻1×1016Ω

          電阻率(lv)1×103 Ω ~ 1×1016Ω

          輸(shu)入電壓220V

          樣品(pin)尺(chi)寸φ<25mm,d<4mm

          電極材(cai)料(liao)黃銅(tong)或銀(yin);

          夾(jia)具(ju)輔(fu)助(zhu)材(cai)料(liao)99氧化鋁陶(tao)瓷(ci)

          絕緣材(cai)料(liao)99氧化鋁陶(tao)瓷(ci)

          測(ce)試(shi)功(gong)能高(gao)低溫(wen)電阻率(lv)

          數(shu)據傳(chuan)輸RS-232

          設(she)備尺寸180 x 210 x 50mm

          半(ban)導(dao)體封裝(zhuang)材(cai)料(liao) 高低溫(wen)絕緣電阻測(ce)試(shi)系(xi)統







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