半(ban)導體封(feng)裝材料高電氣(qi)絕(jue)緣材料高壓(ya)TSDC測試系(xi)統(tong)的(de)產(chan)品(pin)原理(li)

半導(dao)體封裝材料高電氣(qi)絕(jue)緣材料高壓(ya)TSDC測試(shi)系(xi)統(tong)的(de)產(chan)品(pin)原理(li)

TSDC是壹(yi)種研究(jiu)電荷(he)存(cun)儲特性(xing)的(de)實(shi)驗(yan)技(ji)術，用(yong)於確定(ding)初始(shi)電荷(he)和捕獲(huo)電荷(he)的(de)活(huo)化(hua)能以(yi)及弛豫(yu)，該方法包括(kuo)壹個極(ji)化(hua)過程(cheng)，其中介(jie)電樣品(pin)在高溫(wen)下暴(bao)露(lu)於高電場(chang)強(qiang)度(du)下。在(zai)此(ci)之(zhi)後(hou)，試樣在外(wai)加(jia)電場(chang)的(de)作(zuo)用(yong)下迅(xun)速(su)進(jin)行(xing)冷(leng)卻(que)。以(yi)這(zhe)種方式(shi)，電荷(he)被(bei)分離(li)並(bing)固定(ding)在(zai)介(jie)電材料駐極(ji)體(ti)內。然後進(jin)行(xing)升溫(wen)將駐極(ji)體(ti)內的(de)電荷(he)進(jin)行釋(shi)放，同時配合(he)測量(liang)儀(yi)器(qi)進行(xing)測量(liang)，並(bing)為(wei)科研(yan)人(ren)員進(jin)行(xing)分析。通過TSDC測(ce)試方法研究(jiu)了EMC對(dui)功(gong)率半導體HTRB可(ke)靠性(xing)的(de)影響(xiang)，了解(jie)到(dao)EMC在高溫(wen)、高壓(ya)條(tiao)件(jian)下會(hui)發(fa)生(sheng)電極(ji)化(hua)或(huo)電取向。此外(wai)，依(yi)賴於在相應的(de)冷(leng)卻(que)環(huan)境中維持(chi)其(qi)極(ji)化(hua)狀態，它會(hui)幹(gan)擾(rao)MOS-FET半導體(ti)中反(fan)轉(zhuan)層(ceng)的(de)正(zheng)常(chang)形(xing)成。通過TSDC試(shi)驗，我們還(hai)了解(jie)了在(zai)可(ke)靠性(xing)測(ce)試中(zhong)由(you)於應用(yong)條(tiao)件(jian)而導致(zhi)的(de)材(cai)料內部極(ji)化(hua)電荷(he)的(de)數(shu)量(liang)也(ye)是壹個重(zhong)要的(de)影響(xiang)因素(su)。

HC-TSC熱激(ji)勵(li)去極(ji)化(hua)電流測量(liang)系(xi)統(tong)應用(yong)：廣(guang)泛應用(yong)於電力(li)、絕(jue)緣、生物(wu)分子等材料領(ling)域，用(yong)於研究材(cai)料性(xing)能(neng)的(de)壹(yi)些(xie)關(guan)鍵因素(su)，諸(zhu)如(ru)分子弛豫(yu)、相轉(zhuan)變(bian)、玻(bo)璃化(hua)溫(wen)度等等，通過TSDC電流也(ye)可(ke)以(yi)比較直(zhi)觀的(de)研(yan)究(jiu)材料的(de)弛豫(yu)時間、活(huo)化(hua)能等相關(guan)的(de)介(jie)電特性(xing)。TSDC電流也(ye)可(ke)以(yi)比較直(zhi)觀的(de)研(yan)究(jiu)材料的(de)弛豫(yu)時間、活(huo)化(hua)能等相關(guan)的(de)介(jie)電特性(xing)。