功(gong)率器件高(gao)壓(ya)TSDC測(ce)試系(xi)統(tong)的原理是什麽？

功(gong)率器件高(gao)壓(ya)TSDC測試系(xi)統(tong)的原理是什麽？

產品(pin)概(gai)述(shu)：

熱刺(ci)激去(qu)極化(hua)電流（TSDC）技術(shu)用於(yu)預測(ce)EMC的HTRB性能。TSDC方(fang)法(fa)包括極化(hua)過程(cheng)，在(zai)該過程(cheng)中，電介(jie)質樣(yang)品(pin)暴(bao)露(lu)在(zai)高(gao)電(dian)場(chang)強(qiang)度(du)和(he)高(gao)溫環(huan)境下(xia)。在(zai)這種情況下(xia)，電(dian)荷(he)被分(fen)離並(bing)在(zai)介(jie)電材料(liao)電子(zi)元(yuan)件中移動。盡(jin)管(guan)單(dan)個TSDC信號(hao)和(he)HTRB性能之間(jian)的相關性表明(ming)，極化(hua)峰值越

高(gao)，TSDC曲(qu)線(xian)越(yue)大(da)，而(er)HTRB性能越(yue)差，但(dan)這(zhe)並(bing)不能(neng)全(quan)解(jie)釋(shi)EMC在(zai)發出(chu)強(qiang)放(fang)電信號(hao)時的某些(xie)故(gu)障。因(yin)此，弛豫時(shi)間(jian)是(shi)解(jie)釋(shi)外(wai)層HTRB失(shi)效(xiao)樣(yang)本(ben)的另壹個關鍵(jian)參數(shu)。

關於(yu)環氧(yang)塑(su)封(feng)料(liao)（EMC， Epoxy Molding Compound）TSDC測試技術(shu)，為華測(ce)公司在(zai)國內(nei)最早(zao)提及(ji)目前已(yi)被廣(guang)泛應用(yong)到更(geng)多(duo)的半導(dao)體(ti)封裝(zhuang)材料(liao)及半導(dao)體(ti)生(sheng)產研(yan)發(fa)企(qi)業。已(yi)證(zheng)明(ming)此測(ce)試方(fang)式是(shi)有效(xiao)的，同(tong)時(shi)加(jia)速(su)國產化(hua)IGBT、MOSFET等功(gong)率器件的研發(fa)。如(ru)無(wu)錫(xi)凱華、中科科化(hua)、飛凱材料(liao)等企(qi)業。

產品(pin)原(yuan)理：TSDC是壹種研究(jiu)電荷(he)存(cun)儲(chu)特(te)性的實驗技術(shu)，用於(yu)確定(ding)初始(shi)電(dian)荷(he)和(he)捕獲電(dian)荷(he)的活(huo)化(hua)能以(yi)及弛豫，該方(fang)法(fa)包括壹個極化(hua)過程(cheng)，其中介(jie)電樣(yang)品(pin)在(zai)高(gao)溫下(xia)暴(bao)露(lu)於(yu)高(gao)電(dian)場(chang)強(qiang)度(du)下(xia)。在(zai)此之後(hou)，試樣(yang)在(zai)外加(jia)電場(chang)的作用(yong)下(xia)迅(xun)速(su)進(jin)行冷(leng)卻。以(yi)這種方(fang)式，電(dian)荷(he)被分(fen)離並(bing)固(gu)定(ding)在(zai)介(jie)電材料(liao)駐(zhu)極體(ti)內(nei)。然(ran)後(hou)進(jin)行升溫將駐(zhu)極體(ti)內(nei)的電荷(he)進(jin)行釋(shi)放(fang)，同(tong)時(shi)配(pei)合測(ce)量儀器(qi)進(jin)行測量(liang)，並(bing)為科研(yan)人(ren)員(yuan)進(jin)行分(fen)析(xi)。通過TSDC測(ce)試方(fang)法(fa)研究(jiu)了(le)EMC對(dui)功(gong)率半導(dao)體(ti)HTRB可靠(kao)性的影響，了(le)解(jie)到EMC在(zai)高(gao)溫、高(gao)壓(ya)條(tiao)件下(xia)會(hui)發(fa)生(sheng)電極化(hua)或電取(qu)向(xiang)。此(ci)外，依(yi)賴於(yu)在(zai)相應(ying)的冷(leng)卻環(huan)境中維持其極化(hua)狀態(tai)，它(ta)會(hui)幹(gan)擾(rao)MOS-FET半導(dao)體(ti)中反(fan)轉層的正常(chang)形(xing)成。通過TSDC試驗，我們(men)還了(le)解(jie)了(le)在(zai)可靠(kao)性測試中由於(yu)應用(yong)條(tiao)件而(er)導(dao)致(zhi)的材料(liao)內(nei)部極化(hua)電荷(he)的數(shu)量(liang)也(ye)是壹個重要的影響因(yin)素。

產品(pin)參數(shu)：

設備型(xing)號(hao)：HC-TSC

溫度(du)範(fan)圍：-185 ~ 600°C

控(kong)溫精(jing)度(du)：±0.25°C

升溫斜(xie)率：10°C/min（可設定）

測試頻(pin)率：最大(da)電(dian)壓(ya)：±10kV

加熱方(fang)式：直流電極加(jia)熱

冷(leng)卻方(fang)式：水冷(leng)

樣(yang)品(pin)尺(chi)寸(cun)：φ＜25mm，d＜4mm

電極材料(liao)：黃(huang)銅或銀

夾具輔(fu)助材料(liao) ：99氧化(hua)鋁(lv)陶瓷(ci)

低(di)溫制冷(leng)：液氮

測試功(gong)能(neng) ：TSDC

數(shu)據(ju)傳(chuan)輸：RS-232  

設備尺(chi)寸(cun) ：180 x 210 x 50mm