華(hua)測(ce)鐵(tie)電分(fen)析(xi)儀(yi) 國產(chan)可定(ding)制

華(hua)測(ce)鐵(tie)電分(fen)析(xi)儀(yi) 國產(chan)可定(ding)制

華(hua)測(ce)鐵(tie)電分(fen)析(xi)儀(yi) 國產(chan)可定(ding)制應用(yong)領(ling)域(yu)：
鐵(tie)電存儲器的生(sheng)產
生(sheng)產過程(cheng)中(zhong)的質量(liang)控制(zhi)，以(yi)便(bian)不會(hui)影響(xiang)到CMOS生(sheng)產過程(cheng)
在MHz的操(cao)作速(su)度下，單(dan)級電滯(zhi)回線(xian)數(shu)據

優點(dian)：
生(sheng)產過程(cheng)的工藝(yi)優化(hua)
在MHz範圍(wei)的時(shi)間(jian)影(ying)響(xiang)測(ce)試(shi)
適用(yong)於(yu)2T-2C 設(she)計(ji)和(he)1T-1C設(she)計(ji)
從模擬(ni)測(ce)試(shi)數據得(de)出內(nei)存窗(chuang)口(kou)信息(xi)
客戶可定(ding)制測(ce)試(shi)環境
升級服(fu)務
客戶支持(chi)

程(cheng)序(xu)功能(neng)：
可以(yi)在單壹(yi)器件上(shang)進行(xing)電滯(zhi)回線(xian)、PUND脈(mai)沖測(ce)試(shi)等(deng)測(ce)試(shi)過程(cheng)。
上(shang)升時間(jian)Z低(di)可實(shi)現(xian)1μm，自定(ding)義的測(ce)試(shi)脈沖可以(yi)用於測(ce)試(shi)不同(tong)類(lei)型的失(shi)效機(ji)制。預(yu)極(ji)化(hua)脈(mai)沖參數(shu)可以(yi)在測(ce)試(shi)序列(lie)裏單獨(du)設置(zhi)。
可以(yi)使用(yong)Access Time程(cheng)序(xu)進行(xing)相同(tong)脈沖強度下不(bu)同幅值相同(tong)脈(mai)沖寬度或(huo)相同(tong)脈沖幅值不同(tong)脈(mai)沖寬度的測(ce)試(shi)。
這(zhe)些(xie)測(ce)試(shi)是(shi)基(ji)於技(ji)術：原(yuan)位寄生(sheng)電容(rong)補償(chang)。

特(te)點(dian)：
FeRAM測(ce)試(shi)儀(yi)是(shi)用(yong)來記(ji)錄(lu)測(ce)試(shi)單元(yuan)電滯(zhi)回線(xian)的，測(ce)試(shi)儀(yi)生(sheng)成所需(xu)要的時(shi)間(jian)。
如(ru)果芯(xin)片的布(bu)局發生(sheng)變(bian)化(hua)，可以(yi)自動(dong)獲取(qu)材(cai)料特(te)性較(jiao)大(da)的陣列。這(zhe)種(zhong)情(qing)況下，測(ce)試(shi)儀(yi)是(shi)用(yong)壹個(ge)開關(guan)盒(he)和(he)壹個(ge)探(tan)針(zhen)臺(tai)工作(zuo)的。軟(ruan)件可以(yi)自動(dong)調(tiao)整設(she)置的參數(shu)。
參數(shu)的統計(ji)評(ping)價(jia)是(shi)通過aixPlorer完(wan)成(cheng)的。
FeRAM測(ce)試(shi)儀(yi)的優(you)點(dian)就是(shi)可以(yi)使重要信息(xi)流(liu)程(cheng)化(hua)，從而提(ti)高(gao)產(chan)量(liang)，降低(di)了成(cheng)本(ben)，從而減少(shao)了產(chan)品(pin)上(shang)市(shi)的時(shi)間(jian)。相(xiang)關的數(shu)字(zi)結(jie)果和(he)模擬(ni)實(shi)驗提(ti)供了重要信息(xi)。
FeRAM測(ce)試(shi)儀(yi)擁有高(gao)分(fen)辨測(ce)量(liang)和速(su)度到微秒的測(ce)量(liang)功能(neng)。