壓電(dian)系數(shu)測(ce)試儀器

壓電(dian)系數(shu)測(ce)試儀器除(chu)了(le)具(ju)有(you)壹般(ban)介質(zhi)材(cai)料所具有(you)的介電(dian)性和(he)彈性外(wai)，還具(ju)有壓電(dian)。壓電(dian)陶瓷(ci)經過極(ji)化(hua)處(chu)理(li)之(zhi)後(hou)，就具有了(le)各(ge)向(xiang)異(yi)性，每項參(can)數(shu)在不(bu)同方向(xiang)上所表(biao)現的數(shu)值(zhi)不(bu)同。

壓(ya)電(dian)系數(shu)測(ce)試儀器可(ke)以分析被(bei)測(ce)樣品(pin)D33常(chang)數(shu)隨(sui)溫(wen)度(du)、頻(pin)率(lv)、時間(jian)變(bian)化(hua)的曲(qu)線。通(tong)過軟件將(jiang)這些變化(hua)曲線的溫(wen)度(du)譜(pu)、時間(jian)譜(pu)等(deng)集(ji)成壹體(ti)並進(jin)行分析測(ce)量(liang)並可(ke)以直(zhi)接(jie)得(de)出(chu)樣品(pin)的壓(ya)電(dian)溫(wen)譜(pu)圖(tu)。對(dui)試(shi)樣大(da)小(xiao)及形狀(zhuang)無(wu)特殊要求(qiu)，圓(yuan)片、圓(yuan)環(huan)、圓(yuan)管、方塊(kuai)、長(chang)條、柱(zhu)形及(ji)半球殼等(deng)均(jun)可(ke)測(ce)量(liang)，可(ke)廣(guang)泛(fan)用(yong)於鐵電(dian)、壓電(dian)材料(liao)（壓電(dian)陶瓷(ci)、高分子(zi)）以及相(xiang)關(guan)器件的評(ping)價(jia)與測(ce)試。

HPZT-200壓電(dian)材料(liao)參數(shu)測(ce)試儀可(ke)測(ce)量(liang)壓(ya)電(dian)材料(liao)的介電(dian)常(chang)數(shu)、居裏(li)溫(wen)度(du)、熱(re)釋(shi)電(dian)系數(shu)、縱向(xiang)壓(ya)電(dian)應變(bian)常(chang)數(shu)d33、機電(dian)耦合(he)系數(shu)等(deng)參(can)數(shu),它是(shi)壹款(kuan)功(gong)能壓(ya)電(dian)材料(liao)測(ce)試裝置。

測(ce)量(liang)溫(wen)度(du)：室(shi)溫(wen)~650℃；

控溫(wen)精(jing)度(du)：±1℃，測(ce)溫(wen)jing度(du)：±0.1℃；

升(sheng)溫(wen)斜率(lv)：1-5℃/min（可(ke)控）；

降溫(wen)斜率(lv)：1-5℃/min（可(ke)控）；

縱向(xiang)壓(ya)電(dian)系數(shu)d33測(ce)試範圍(wei)：

高範(fan)圍(wei)：10 to 4000pC/N，

精度(du)±2%±1pC/N，負載1.0uF；

低範圍(wei)：1 to 100pC/N，

精度(du)±2%±0.1pC/N，負載1.0uF；

頻率(lv)範圍(wei)：10Hz to 2MHz ，步進(jin)：1Hz，

極(ji)性顯(xian)示：正(zheng)負

施加力範(fan)圍(wei)0.1~0.4N

響應(ying)時間(jian)：5s to 1%

樣品(pin):φ<50mm；

■ 采(cai)用(yong)RAM嵌(qian)入(ru)式開(kai)發(fa)平(ping)臺

■可(ke)以進(jin)行在(zai)線(xian)升(sheng)級、遠(yuan)程(cheng)協助及故(gu)障(zhang)診(zhen)斷(duan)；

■ 集(ji)成10.1"電(dian)容觸(chu)摸寬屏顯(xian)示(shi)，軟(ruan)件操作流暢(chang)，體(ti)驗感好(hao)；

■ 高溫(wen)爐、測(ce)量(liang)夾具(ju)、顯示(shi)及(ji)軟件(jian)集(ji)成於壹體(ti)

■ 測(ce)量(liang)jing度(du)會(hui)高(gao)，儀器穩定(ding)且易(yi)維(wei)護；

■ 實現常(chang)溫(wen)、高(gao)溫(wen)、真空、流動(dong)氣(qi)氛等(deng)多(duo)環(huan)境下(xia)測(ce)試