陶瓷(ci)材料閃燒試(shi)驗(yan)裝置(zhi)

   陶瓷(ci)材料閃燒試(shi)驗(yan)裝置(zhi)

   陶瓷(ci)材料廣泛應(ying)用於(yu)航(hang)空、機(ji)械、冶(ye)金、電 子(zi)、生(sheng)物等(deng)方面(mian)，在國(guo)民經(jing)濟發展(zhan)過程中(zhong)起到越來越重(zhong)要(yao)的作用(yong)。具(ju)有(you)耐高溫(wen)、耐酸耐堿(jian)、強(qiang)度(du)高等(deng)優點，被廣泛應(ying)用。然(ran)而(er)，陶瓷(ci)材料的制備(bei)通(tong)常(chang)需要(yao)很(hen)高的燒結溫度(du)，消耗(hao)大量(liang)能源(yuan)，生(sheng)產(chan)成本(ben)較(jiao)高，是(shi)限(xian)制其(qi)廣泛應(ying)用的壹(yi)個(ge)主(zhu)要(yao)原(yuan)因(yin)。為了(le)降(jiang)低(di)陶瓷(ci)的生(sheng)產(chan)成本(ben)和(he)獲(huo)得(de)優異(yi)的陶瓷(ci)，人們(men)采取了(le)壹(yi)系(xi)列(lie)措(cuo)施(shi)。壹(yi)方(fang)面(mian)添(tian)加(jia)燒結助劑(ji)，通(tong)過(guo)提高(gao)擴散速率(lv)或(huo)者形成低(di)溫液相(xiang)的方式提高(gao)燒(shao)結速率(lv)；另(ling)壹(yi)方(fang)面(mian)不斷開發陶瓷(ci)燒結新技(ji)術(shu)，例如(ru)熱等(deng)靜(jing)壓燒(shao)結、微波燒結、放(fang)電等(deng)離子(zi)燒結等(deng)，這些燒(shao)結技術(shu)不僅降低(di)了能耗(hao)，而(er)且(qie)使(shi)材(cai)料(liao)的得到顯(xian)著提高(gao)。

 閃燒是(shi)在2010年由(you)科(ke)羅拉(la)多(duo)大學(xue)Rishi Raj教(jiao)授(shou)提出(chu)的壹(yi)種(zhong)燒結理(li)念(nian)，指的是生(sheng)坯在(zai)壹(yi)定溫度(du)和(he)臨界(jie)電場(chang)下(xia)實現(xian)生(sheng)坯的低(di)溫極速致(zhi)密(mi)化(hua)，這個過程壹(yi)般是(shi)幾(ji)秒鐘(zhong)，這也是閃燒與(yu)場(chang)輔助燒(shao)結的主要(yao)區別(bie)。相(xiang)比(bi)於其他燒(shao)結方法(fa)而(er)言，閃燒具(ju)有(you)燒結時(shi)間(jian)短(duan)、溫(wen)度低(di)的優勢。

   陶瓷(ci)材料閃燒試(shi)驗(yan)裝置(zhi)的閃燒有(you)兩個(ge)特征現象(xiang)：快速(su)致(zhi)密(mi)化(hua)和電導急速增加。與(yu)其(qi)它(ta)陶瓷(ci)燒結方法(fa)相(xiang)比(bi)，閃燒具(ju)有(you)燒結溫度(du)極低(di)、時(shi)間(jian)超(chao)短(duan)的優勢，大大的降低(di)了能耗(hao)，為陶瓷(ci)的發展(zhan)開啟(qi)了(le)嶄(zhan)壹(yi)頁(ye)。

閃燒試(shi)驗(yan)裝置(zhi)：

閃燒過(guo)程的階段(duan)：

（1）恒壓階(jie)段(duan)(孵(fu)化(hua)階段(duan))：在位(wei)於爐(lu)體內(nei)部(bu)的素坯(pi)兩(liang)端(duan)施(shi)加初(chu)始電場(chang)，爐(lu)體按設(she)定程序(xu)升(sheng)溫，電路(lu)中(zhong)電流(liu)微乎(hu)其(qi)微。

（2）閃燒階(jie)段(duan)：當爐(lu)體溫(wen)度(du)升(sheng)高到(dao)某壹(yi)溫(wen)度(du)時(shi)，電路(lu)中(zhong)電流(liu)急劇(ju)上(shang)升(sheng)，數秒內(nei)飆(biao)升(sheng)至(zhi)設(she)定值，爐(lu)體進入保(bao)溫模式。

（3）恒流(liu)階(jie)段(duan)：電路(lu)中(zhong)電流(liu)以(yi)初(chu)始設定值恒(heng)流(liu)輸(shu)出(chu)，持(chi)續(xu)壹(yi)段(duan)時(shi)間(jian)，關閉電源(yuan)， 試樣隨爐(lu)冷卻(que)到(dao)室溫。

閃燒的影響因(yin)素：

電場(chang)強(qiang)度(du)對試(shi)樣孕育時(shi)間(jian)及(ji)致(zhi)密(mi)化(hua)的影響        電流(liu)密(mi)度(du)對試(shi)樣致(zhi)密(mi)化(hua)的影響

電流(liu)密(mi)度(du)和(he)保溫時(shi)間(jian)對晶(jing)粒尺(chi)寸的影響            不同電流(liu)密(mi)度(du)下(xia)在保(bao)溫(wen)時(shi)間(jian)對試(shi)樣致(zhi)密(mi)度(du)的影響

不同爐(lu)溫下(xia)孕育時(shi)間(jian)隨電場(chang)強(qiang)度(du)的變(bian)化(hua)

設備(bei)夠成：高溫(wen)爐(lu)、直(zhi)流(liu)高(gao)壓電源(yuan)、電壓、電流(liu)表(biao)