電(dian)介(jie)質充(chong)放電(dian)測(ce)試系統/其(qi)他(ta)

產(chan)品名稱(cheng)：電(dian)介(jie)質充(chong)放電(dian)測(ce)試系統

型(xing)號：Huace-DCS10KV

儀(yi)器簡(jian)介(jie)：

  目(mu)前常(chang)規的方法是通過(guo)電(dian)滯回線(xian)計算(suan)高壓(ya)下電(dian)介(jie)質的(de)能量密(mi)度(du)，測試時，樣品的(de)電(dian)荷(he)是放(fang)回到高壓(ya)源上，而不(bu)是釋(shi)放到負載(zai)上(shang)，通過(guo)電(dian)滯回線(xian)測(ce)得的(de)儲能密度(du)壹般會(hui)大(da)於樣(yang)品實際釋(shi)放的(de)能量密(mi)度(du)，無法(fa)正確評估(gu)電(dian)介(jie)質材(cai)料(liao)的正常(chang)放電(dian)。電(dian)介(jie)質充(chong)放電(dian)測(ce)試系統采(cai)用(yong)特(te)殊(shu)高壓(ya)開關(guan)，通過(guo)單(dan)刀雙擲控(kong)制充(chong)電(dian)和(he)放電(dian)過(guo)程，開關(guan)可(ke)以(yi)承受(shou)10kV高壓(ya)，寄(ji)生電(dian)容小，動(dong)作時(shi)間短。可(ke)以(yi)實現欠(qian)阻尼(ni)和(he)過(guo)阻尼(ni)兩(liang)種(zhong)測(ce)試模式(shi)，欠(qian)阻尼(ni)測(ce)試時，放電(dian)回路(lu)短路(lu)，不(bu)使(shi)用電(dian)阻負載(zai)，過(guo)阻尼(ni)測(ce)試時，使用較(jiao)大(da)的(de)無感電(dian)阻作為放電(dian)負(fu)載(zai)。通過(guo)示波(bo)器(qi)采(cai)集(ji)數據(ju)，能直接(jie)計算(suan)高壓(ya)下電(dian)介(jie)質的(de)能量密(mi)度(du)。

儀(yi)器特(te)點(dian)：

內置直流高壓(ya)模塊(kuai)，大電(dian)壓(ya)10kV，電(dian)流6mA；

通過(guo)電(dian)流探(tan)頭監測(ce)放電(dian)電(dian)流，可(ke)達(da)100A；

定(ding)制載(zai)樣(yang)平(ping)臺(tai)，適用於陶瓷(ci)和(he)薄(bo)膜樣(yang)品測(ce)試；

可(ke)以(yi)變(bian)溫測(ce)試，RT-250℃；

可(ke)以(yi)疲(pi)勞測試。

主(zhu)要參(can)數：

電(dian)流探(tan)頭帶寬(kuan)：120MHz

峰值(zhi)電(dian)流：100A

電(dian)流采(cai)集(ji)精(jing)度(du)：1mA

高壓(ya)源模塊(kuai)：DC 10kV（6mA）

開關(guan)適用：100萬次，耐(nai)壓(ya)15kV

溫(wen)控範圍(wei)：RT-250℃

溫(wen)度(du)穩定(ding)性和(he)精度(du)：0.1℃

測(ce)試樣品：薄(bo)膜，厚(hou)膜，陶瓷(ci)，玻(bo)璃(li)等

配(pei)置：

控(kong)制主(zhu)機(ji)（含10kV高壓(ya)源模塊(kuai)）  1臺  

電(dian)流探(tan)頭  1根(gen)

示(shi)波器(qi)（350M 5GSa/s） 1臺(tai)  可(ke)選配

電(dian)腦(nao)主(zhu)機(ji)（含數據(ju)采(cai)集(ji)系(xi)統(tong)） 1臺  可(ke)選配

電(dian)介(jie)質充(chong)放電(dian)測(ce)試系統/其(qi)他(ta)

電(dian)介(jie)質充(chong)放電(dian)測(ce)試系統/其(qi)他(ta)