低(di)壓(ya)漏電起痕(hen)/絕(jue)緣(yuan)材(cai)料(liao)測試儀是在(zai)固(gu)體(ti)絕緣(yuan)材料(liao)表面上(shang)，在規定(ding)尺(chi)寸(cun)（2mm×5mm）的(de)鉑(bo)電(dian)極之(zhi)間(jian)，施(shi)加某(mou)壹(yi)電壓並定(ding)時（30S）定(ding)高(gao)度(du)（35mm）滴下(xia)規定(ding)液(ye)滴體(ti)積的(de)汙染(ran)液體(ti)（0.1%NH4CL），用(yong)以評(ping)價(jia)固(gu)體(ti)絕緣(yuan)材料(liao)表面在電(dian)場(chang)和(he)汙染(ran)介(jie)質(zhi)聯合(he)作(zuo)用(yong)下(xia)的耐受(shou)能力，測定(ding)其相(xiang)比電(dian)痕化(hua)指(zhi)數（CT1）和(he)耐電(dian)痕化指(zhi)數（PT1）。

*電(dian)子(zi)電工(gong)漏電起痕(hen)試(shi)驗(yan)機(ji)測(ce)試(shi)儀器HCLD-III為(wei)華測(ce)公司(si)2013年(nian)重(zhong)點(dian)科(ke)研產品(pin)之壹(yi)，高壓漏電試驗(yan)儀采(cai)用(yong)控(kong)制(zhi)系統(tong)精(jing)度高(gao)，擯(bin)棄(qi)了現有(you)的低(di)壓(ya)切(qie)斷原原(yuan)理(li)，采(cai)用(yong)*的高(gao)壓真(zhen)空(kong)切(qie)斷技(ji)術，使試(shi)驗(yan)過程(cheng)合(he)理(li)。采(cai)用(yong)5組電(dian)流(liu)傳感器用(yong)以控(kong)制(zhi)每組試(shi)驗(yan)的(de)高(gao)壓切(qie)斷，使數據采(cai)集(ji)精(jing)確，同(tong)時本設(she)備采(cai)用(yong)電力系統(tong)過壓過流(liu)保護(hu)裝(zhuang)置(zhi)，使儀器。

產(chan)品(pin)*漏電起痕(hen)測(ce)試(shi)儀器HCLD-III采(cai)用(yong)控(kong)制(zhi)系統(tong)精(jing)度高(gao)，擯(bin)棄(qi)了現有(you)的低(di)壓(ya)切(qie)斷原原(yuan)理(li)，采(cai)用(yong)*的高(gao)壓真(zhen)空(kong)切(qie)斷技(ji)術，使試(shi)驗(yan)過程(cheng)合(he)理(li)。采(cai)用(yong)5組電(dian)流(liu)傳感器用(yong)以控(kong)制(zhi)每組試(shi)驗(yan)的(de)高(gao)壓切(qie)斷，使數據采(cai)集(ji)精(jing)確，同(tong)時本設(she)備采(cai)用(yong)電力系統(tong)過壓過流(liu)保護(hu)裝(zhuang)置(zhi)，使儀器an全。

產(chan)品(pin)*電氣(qi)絕緣(yuan)材(cai)料(liao)漏電起痕(hen)試(shi)驗(yan)機(ji)HCLD-III為(wei)華測(ce)公司(si)2013年(nian)重(zhong)點(dian)科(ke)研產品(pin)之壹(yi)，高壓漏電試驗(yan)儀采(cai)用(yong)控(kong)制(zhi)系統(tong)精(jing)度高(gao)，擯(bin)棄(qi)了現有(you)的低(di)壓(ya)切(qie)斷原原(yuan)理(li)，采(cai)用(yong)*的高(gao)壓真(zhen)空(kong)切(qie)斷技(ji)術，使試(shi)驗(yan)過程(cheng)合(he)理(li)。采(cai)用(yong)5組電(dian)流(liu)傳感器用(yong)以控(kong)制(zhi)每組試(shi)驗(yan)的(de)高(gao)壓切(qie)斷，使數據采(cai)集(ji)精(jing)確，同(tong)時本設(she)備采(cai)用(yong)電力系統(tong)過壓過流(liu)保護(hu)裝(zhuang)置(zhi)，使儀器an全。

高(gao)壓(ya)漏電起痕(hen)試(shi)驗(yan)機(ji) 耐電(dian)痕化和(he)蝕(shi)損(sun)的(de)試驗，擯棄了(le)現有(you)的低(di)壓(ya)切(qie)斷原原(yuan)理(li)，采(cai)用(yong)高壓(ya)真(zhen)空(kong)切(qie)斷技(ji)術，使試(shi)驗(yan)過程(cheng)合(he)理(li)。采(cai)用(yong)5組電(dian)流(liu)傳感器用(yong)以控(kong)制(zhi)每組試(shi)驗(yan)的(de)高(gao)壓切(qie)斷，使數據采(cai)集(ji)精(jing)確，同(tong)時本設(she)備采(cai)用(yong)電力系統(tong)過壓過流(liu)保護(hu)裝(zhuang)置(zhi)，使儀器。

可(ke)靠(kao)漏電起痕(hen)試(shi)驗(yan)儀優(you)質(zhi)產品(pin)供(gong)應測(ce)試儀器HCLD-III為(wei)華測(ce)公司(si)2013年(nian)重(zhong)點(dian)科(ke)研產品(pin)之壹(yi)，高壓漏電試驗(yan)儀采(cai)用(yong)控(kong)制(zhi)系統(tong)精(jing)度高(gao)，擯(bin)棄(qi)了現有(you)的低(di)壓(ya)切(qie)斷原原(yuan)理(li)，采(cai)用(yong)高壓(ya)真(zhen)空(kong)切(qie)斷技(ji)術，使試(shi)驗(yan)過程(cheng)合(he)理(li)。采(cai)用(yong)5組電(dian)流(liu)傳感器用(yong)以控(kong)制(zhi)每組試(shi)驗(yan)的(de)高(gao)壓切(qie)斷，使數據采(cai)集(ji)精(jing)確，同(tong)時本設(she)備采(cai)用(yong)電力系統(tong)過壓過流(liu)保護(hu)裝(zhuang)置(zhi)，使儀器an全。

漏電起痕(hen)試(shi)驗(yan)儀供(gong)應測(ce)試儀器優(you)質(zhi)產品(pin)供(gong)應測(ce)試儀器HCLD-III采(cai)用(yong)控(kong)制(zhi)系統(tong)精(jing)度高(gao)，擯(bin)棄(qi)了現有(you)的低(di)壓(ya)切(qie)斷原原(yuan)理(li)，采(cai)用(yong)高壓(ya)真(zhen)空(kong)切(qie)斷技(ji)術，使試(shi)驗(yan)過程(cheng)合(he)理(li)。采(cai)用(yong)5組電(dian)流(liu)傳感器用(yong)以控(kong)制(zhi)每組試(shi)驗(yan)的(de)高(gao)壓切(qie)斷，使數據采(cai)集(ji)精(jing)確，同(tong)時本設(she)備采(cai)用(yong)電力系統(tong)過壓過流(liu)保護(hu)裝(zhuang)置(zhi)，使儀器an全。

漏電起痕(hen)試(shi)驗(yan)儀 華(hua)測(ce)儀器HCLD-III采(cai)用(yong)控(kong)制(zhi)系統(tong)精(jing)度高(gao)，擯(bin)棄(qi)了現有(you)的低(di)壓(ya)切(qie)斷原原(yuan)理(li)，采(cai)用(yong)高壓(ya)真(zhen)空(kong)切(qie)斷技(ji)術，使試(shi)驗(yan)過程(cheng)合(he)理(li)。采(cai)用(yong)5組電(dian)流(liu)傳感器用(yong)以控(kong)制(zhi)每組試(shi)驗(yan)的(de)高(gao)壓切(qie)斷，使數據采(cai)集(ji)精(jing)確，同(tong)時本設(she)備采(cai)用(yong)電力系統(tong)過壓過流(liu)保護(hu)裝(zhuang)置(zhi)，使儀器an全。