高(gao)壓、低壓(ya)漏(lou)電起痕試(shi)驗儀(yi)_第(di)(2)頁(ye)-北(bei)京華測(ce)試(shi)驗儀(yi)器有(you)限(xian)公司

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HCLD-III控制精(jing)密漏(lou)電起痕試(shi)驗儀(yi)優(you)質(zhi)產品測試(shi)儀器

更新時(shi)間：2024-06-05

型號(hao)：HCLD-III

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控制精(jing)密漏(lou)電起痕試(shi)驗儀(yi)優(you)質(zhi)產品測試(shi)儀器HCLD-III適用(yong)於(yu)對電工(gong)電子產品、家(jia)用(yong)電器及其(qi)材(cai)料(liao)進(jin)行(xing)耐電痕化和蝕(shi)損(sun)的(de)試(shi)驗，模擬在(zai)工(gong)頻（48Hz - 62Hz）下，用(yong)液(ye)體(ti)汙染(ran)物和斜面(mian)試(shi)樣(yang)，通過(guo)耐電痕化和蝕(shi)損(sun)的(de)測量(liang)評(ping)定(ding)環(huan)境條件下使用(yong)的(de)電氣(qi)絕緣材(cai)料(liao)的(de)耐電痕化和蝕(shi)損(sun)等(deng)級。本(ben)機(ji)是嚴(yan)格按照(zhao)GB/T6553-2003 及(ji) IEC60587-1984設計(ji)制造。
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HCLD-III固體(ti)絕(jue)緣材(cai)料(liao)高(gao)壓漏(lou)電起痕試(shi)驗機(ji)測(ce)量(liang)儀(yi)器

更新時(shi)間：2024-06-13

型號(hao)：HCLD-III

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固(gu)體絕(jue)緣材(cai)料(liao)高(gao)壓漏(lou)電起痕試(shi)驗機(ji)測(ce)量(liang)儀(yi)器，是根(gen)據GB4706.1-2008GB4207-2003GB/T6553-2003IEC60112-2003《固體絕緣材(cai)料(liao)耐電痕化指數和相比(bi)電痕化指數的(de)測定(ding)方法(fa)》，UL746A、ASTMD3638-92、DIN53480等(deng)標準規(gui)定(ding)的(de)模擬試(shi)驗項(xiang)目(mu)。
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HCLD-III固(gu)體(ti)絕(jue)緣材(cai)料(liao)高(gao)壓漏(lou)電起痕試(shi)驗機(ji)

更(geng)新時(shi)間：2024-06-05

型號(hao)：HCLD-III

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固(gu)體絕(jue)緣材(cai)料(liao)高(gao)壓漏(lou)電起痕試(shi)驗機(ji)是(shi)根(gen)據GB4706.1-2008GB4207-2003GB/T6553-2003IEC60112-2003《固體絕緣材(cai)料(liao)耐電痕化指數和相比(bi)電痕化指數的(de)測定(ding)方法(fa)》，UL746A、ASTMD3638-92、DIN53480等(deng)標準規(gui)定(ding)的(de)模擬試(shi)驗項(xiang)目(mu)。
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HCLD-III工(gong)程塑(su)料(liao)高(gao)壓漏(lou)電起痕試(shi)驗機(ji)測(ce)試(shi)儀

更(geng)新時(shi)間：2024-06-05

型號(hao)：HCLD-III

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工(gong)程塑(su)料(liao)高(gao)壓漏(lou)電起痕試(shi)驗機(ji)測(ce)試(shi)儀是(shi)根據GB4706.1-2008GB4207-2003GB/T6553-2003IEC60112-2003《固體絕緣材(cai)料(liao)耐電痕化指數和相比(bi)電痕化指數的(de)測定(ding)方法(fa)》，UL746A、ASTMD3638-92、DIN53480等(deng)標準規(gui)定(ding)的(de)模擬試(shi)驗項(xiang)目(mu)。
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HCLD-III反(fan)應快(kuai)高(gao)壓漏(lou)電起痕試(shi)驗機(ji)測(ce)試(shi)儀器

更新時(shi)間：2024-06-05

型號(hao)：HCLD-III

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反(fan)應快(kuai)高(gao)壓漏(lou)電起痕試(shi)驗機(ji)測(ce)試(shi)儀器是在(zai)固(gu)體絕緣材(cai)料(liao)表(biao)面(mian)上(shang)，在(zai)規(gui)定尺寸（ 2mm × 5mm ）的(de)鉑(bo)電極(ji)之(zhi)間，施(shi)加某(mou)壹(yi)電壓並(bing)定時(shi)（30s）定(ding)高(gao)度(du)（ 35mm ）滴下規定液(ye)滴體(ti)積(ji)的(de)汙染(ran)液(ye)體(ti)（0.1%NH 4 CL），用(yong)以評(ping)價(jia)固體(ti)絕(jue)緣材(cai)料(liao)表(biao)面(mian)在(zai)電場(chang)和汙染(ran)介質(zhi)聯合(he)作用(yong)下的(de)耐受(shou)能(neng)力(li)，測(ce)定其相(xiang)比(bi)電痕化指數（CT1）和耐電痕化指數（PT1）。
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HCLD-IIIHC 高(gao)壓漏(lou)電起痕試(shi)驗機(ji)測(ce)試(shi)儀器

更新時(shi)間：2024-06-05

型號(hao)：HCLD-III

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HC 高(gao)壓漏(lou)電起痕試(shi)驗機(ji)測(ce)試(shi)儀器是在(zai)固(gu)體絕緣材(cai)料(liao)表(biao)面(mian)上(shang)，在(zai)規(gui)定尺寸（ 2mm × 5mm ）的(de)鉑(bo)電極(ji)之(zhi)間，施(shi)加某(mou)壹(yi)電壓並(bing)定時(shi)（30s）定(ding)高(gao)度(du)（ 35mm ）滴下規定液(ye)滴體(ti)積(ji)的(de)汙染(ran)液(ye)體(ti)（0.1%NH 4 CL），用(yong)以評(ping)價(jia)固體(ti)絕(jue)緣材(cai)料(liao)表(biao)面(mian)在(zai)電場(chang)和汙染(ran)介質(zhi)聯合(he)作用(yong)下的(de)耐受(shou)能(neng)力(li)，測(ce)定其相(xiang)比(bi)電痕化指數（CT1）和耐電痕化指數（PT1）。
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HCLD-III北(bei)京華測(ce)試(shi)驗儀(yi)器高(gao)壓漏(lou)電起痕試(shi)驗機(ji)測(ce)試(shi)儀

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北(bei)京華測(ce)試(shi)驗儀(yi)器高(gao)壓漏(lou)電起痕試(shi)驗機(ji)測(ce)試(shi)儀是(shi)根據GB4706.1-2008GB4207-2003GB/T6553-2003IEC60112-2003《固體絕緣材(cai)料(liao)耐電痕化指數和相比(bi)電痕化指數的(de)測定(ding)方法(fa)》，UL746A、ASTMD3638-92、DIN53480等(deng)標準規(gui)定(ding)的(de)模擬試(shi)驗項(xiang)目(mu)。
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HCLD-III電工(gong)電子高(gao)壓漏(lou)電起痕試(shi)驗機(ji)測(ce)試(shi)儀器

更新時(shi)間：2024-06-05

型號(hao)：HCLD-III

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電工(gong)電子高(gao)壓漏(lou)電起痕試(shi)驗機(ji)測(ce)試(shi)儀器是根(gen)據GB4706.1-2008GB4207-2003GB/T6553-2003IEC60112-2003《固體絕緣材(cai)料(liao)耐電痕化指數和相比(bi)電痕化指數的(de)測定(ding)方法(fa)》，UL746A、ASTMD3638-92、DIN53480等(deng)標準規(gui)定(ding)的(de)模擬試(shi)驗項(xiang)目(mu)。
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