電(dian)介(jie)質充放電測(ce)試系(xi)統(tong)的產品特點

電介(jie)質充放電測(ce)試系(xi)統(tong) Huace-DCS10KV

產品介(jie)紹：

Huace-DCS10KV電介(jie)質充放電測(ce)試系(xi)統(tong)主要(yao)用(yong)於(yu)研究(jiu)介(jie)電儲(chu)能材料(liao)高電(dian)壓放電性能(neng)。目(mu)

前常(chang)規(gui)的方法是通過(guo)電(dian)滯回線(xian)計算(suan)高壓下電(dian)介(jie)質的能量(liang)密(mi)度(du)，測試時，樣(yang)品(pin)的(de)電(dian)荷(he)是放回到(dao)高壓源上，而(er)不是釋放到負載(zai)上，通(tong)過(guo)電(dian)滯回線(xian)測得的儲(chu)能密(mi)度(du)壹般(ban)會大於樣(yang)品(pin)實(shi)際(ji)釋放的能(neng)量(liang)密(mi)度(du)，無(wu)法正確評估(gu)電(dian)介(jie)質材料(liao)的正(zheng)常(chang)放電(dian)性(xing)能(neng)。華測Huace-DCS10KV儲(chu)能電介(jie)質充放電系(xi)統(tong)采用(yong)專(zhuan)門設計(ji)的電(dian)容放(fang)電(dian)電路(lu)來測(ce)量(liang)，測試電路(lu)如(ru)下圖(tu)所(suo)示。在(zai)該電路中，首(shou)先(xian)將(jiang)介(jie)電膜充電(dian)到(dao)給(gei)定(ding)電(dian)壓，之後(hou)通(tong)過(guo)閉(bi)合高(gao)速(su)MOS高壓開(kai)關，存儲(chu)在電容器(qi)膜中的能量(liang)被放(fang)電到(dao)電阻器(qi)負載(zai)的原(yuan)理(li)設(she)計(ji)開(kai)發，更(geng)符合電(dian)介(jie)質充放電原(yuan)理(li)。

產品特點 ：

1、 本系(xi)統(tong)采用(yong)特(te)殊高壓開(kai)關，通過(guo)單(dan)刀雙(shuang)擲控制充電和放(fang)電(dian)過(guo)程，開(kai)關可(ke)以(yi)承受(shou)10kV高壓，寄(ji)生電容小(xiao)，動(dong)作時間(jian)短(duan)；

2、 電壓10kV，電流(liu)5mA；

3、 可(ke)外(wai)接高(gao)壓放大器(qi)或高壓直流(liu)電(dian)源；

4、 通過(guo)電(dian)流(liu)探頭(tou)檢(jian)測(ce)放電(dian)電流(liu)，可(ke)達100A；

5、 可(ke)以(yi)實(shi)現(xian)欠阻(zu)尼(ni)和過(guo)阻(zu)尼兩種測試模式(shi)，欠阻(zu)尼(ni)測試時，放(fang)電(dian)回路(lu)短(duan)路(lu)，不使用(yong)電(dian)阻負載(zai)，過(guo)阻(zu)尼測試時，使用(yong)較(jiao)大的高精(jing)

度無(wu)感電(dian)阻(zu)作為放電負載(zai)；

6、 可(ke)以(yi)作為壹個信(xin)號(hao)源，產生任(ren)意波形；

7、 通過(guo)示(shi)波器(qi)采集數據(ju)，並(bing)能直接計(ji)算(suan)儲(chu)能密(mi)度(du)；

8、 定制(zhi)載(zai)樣(yang)平臺，可(ke)適(shi)用(yong)於(yu)陶瓷和薄膜樣(yang)品(pin)測(ce)試；

9、 可(ke)以(yi)進(jin)行變(bian)溫測(ce)試，RT~200℃；

10、 可(ke)以(yi)進(jin)行疲勞測(ce)試；

11、 還可(ke)用(yong)於(yu)極化材料(liao)之用(yong)。