低(di)耗能高(gao)溫(wen)閃(shan)燒試(shi)驗(yan)儀(yi)器(qi)

低(di)耗能高(gao)溫(wen)閃(shan)燒試(shi)驗(yan)儀(yi)簡(jian)單(dan)介(jie)紹：

陶(tao)瓷材料(liao)廣(guang)泛應(ying)用(yong)於(yu)航空(kong)、機(ji)械(xie)、冶(ye)金、電(dian) 子(zi)、生物(wu)等方(fang)面(mian)，在(zai)國(guo)民經濟發(fa)展過程中起(qi)到(dao)越來(lai) 越重(zhong)要(yao)的作(zuo)用(yong)。具(ju)有耐高(gao)溫(wen)、耐酸(suan)耐堿等優(you)點，被廣(guang)泛(fan)應(ying)用(yong)。然而(er)，陶(tao)瓷材料(liao)的制(zhi)備(bei)通常(chang)需要(yao)很(hen)高(gao)的燒結(jie)溫(wen)度(du)，消(xiao)耗(hao)大量能源，生產(chan)成(cheng)本較(jiao)高(gao)，是(shi)限制(zhi)其廣(guang)泛應(ying)用(yong)的壹(yi)個(ge)主要(yao)原因(yin)。為(wei)了(le)降(jiang)低(di)陶(tao)瓷的生產(chan)成(cheng)本和(he)獲(huo)得(de)優異(yi)的陶(tao)瓷，人(ren)們采(cai)取了(le)壹(yi)系列(lie)措(cuo)施。壹(yi)方(fang)面(mian)添加燒結(jie)助(zhu)劑(ji)，通(tong)過提高(gao)擴散(san)速(su)率(lv)或者形(xing)成(cheng)低(di)溫(wen)液(ye)相的方(fang)式提高(gao)燒結(jie)速率(lv)；另(ling)壹方(fang)面(mian)不斷(duan)開(kai)發(fa)陶(tao)瓷燒結(jie)新技(ji)術，例(li)如熱(re)等靜(jing)壓(ya)燒結(jie)、微波(bo)燒結(jie)、放(fang)電(dian)等離(li)子(zi)燒結(jie)等，這(zhe)些(xie)燒結(jie)技(ji)術不僅(jin)降(jiang)低(di)了(le)能耗(hao)，而(er)且(qie)使材料(liao)的得(de)到(dao)顯著提(ti)高(gao)。

閃燒是(shi)在2010年(nian)由(you)科羅(luo)拉多(duo)大學(xue)Rishi Raj教授(shou)提(ti)出的壹(yi)種燒結(jie)理念(nian)，指的是(shi)生坯(pi)在壹(yi)定(ding)溫(wen)度(du)和(he)臨界電(dian)場下(xia)實(shi)現生坯(pi)的低(di)溫(wen)極(ji)速(su)致(zhi)密(mi)化，這(zhe)個(ge)過程壹般是(shi)幾秒(miao)鐘(zhong)，這(zhe)也(ye)是(shi)閃燒與(yu)場輔助(zhu)燒結(jie)的主(zhu)要(yao)區(qu)別(bie)。相比於(yu)其他燒結(jie)方法(fa)而(er)言，閃(shan)燒具(ju)有燒結(jie)時間(jian)短(duan)、溫(wen)度(du)低(di)的優(you)勢(shi)。

低(di)耗能高(gao)溫(wen)閃(shan)燒試(shi)驗(yan)儀(yi)的閃(shan)燒有兩個(ge)特征(zheng)現象(xiang)：快速(su)致(zhi)密(mi)化和(he)電(dian)導急速(su)增加。與(yu)其(qi)它陶(tao)瓷燒結(jie)方法(fa)相比，閃燒具(ju)有燒結(jie)溫(wen)度(du)極(ji)低(di)、時間(jian)超短(duan)的優(you)勢(shi)，大大的降(jiang)低(di)了(le)能耗(hao)，為(wei)陶(tao)瓷的發(fa)展開(kai)啟(qi)了(le)嶄(zhan)壹頁(ye)。

閃(shan)燒試(shi)驗(yan)裝置：

閃(shan)燒裝置所(suo)需的技(ji)術參(can)數：

為(wei)了(le)探(tan)索頻(pin)率(lv)在(zai)閃(shan)燒過程中的作(zuo)用(yong)，gittings等人(ren)以(yi)生物(wu)陶(tao)瓷為(wei)研(yan)究對象，系統(tong)地調(tiao)查了(le)溫(wen)度(du)和(he)頻(pin)率對該材料(liao)電(dian)導率的影(ying)響(xiang)，實(shi)驗溫(wen)度(du)範(fan)圍(wei)為(wei) 200-1000 ℃，從直(zhi)流(liu)測(ce)試(shi)到(dao)交流(liu)。當(dang)交(jiao)流(liu)頻率(lv)增加到(dao)1 MHz時，陶(tao)瓷電(dian)導率相比室溫(wen)出現了(le)5個(ge)數量級(ji)的強(qiang)勁(jin)增長，這(zhe)可(ke)能會(hui)鼓勵研(yan)究人員(yuan)在未(wei)來繼續探索頻(pin)率(lv)效(xiao)應(ying)。

低(di)耗能高(gao)溫(wen)閃(shan)燒試(shi)驗(yan)儀(yi)器(qi)

低(di)耗能高(gao)溫(wen)閃(shan)燒試(shi)驗(yan)儀(yi)器(qi)