鐵(tie)電材料綜(zong)合(he)測(ce)試(shi)系統

鐵(tie)電材料綜(zong)合(he)測(ce)試(shi)系統

優點(dian)

可測(ce)量(liang)壓電陶(tao)瓷居(ju)裏溫(wen)度(du)、靜態(tai)壓電常(chang)數(shu)；

測(ce)量(liang)壓電材料介(jie)電-1KHZ下的(de)介電常(chang)數(shu)及(ji)介(jie)質(zhi)損耗(hao)測(ce)試(shi)；

可測(ce)量(liang)壓電材料積分電荷(he)法(fa)熱(re)釋電系數(shu)測(ce)試(shi)

它可測(ce)量(liang)壓電陶(tao)瓷的(de)因(yin)數(shu)及(ji)機電耦合(he)系數(shu)

可選配不(bu)同的(de)測(ce)試(shi)裝置進(jin)行不(bu)同環境下的(de)壓電陶(tao)瓷參數(shu)測(ce)試(shi)        

本儀(yi)器(qi)可配合(he)高壓放大器實(shi)現壓電及(ji)鐵(tie)電材料的(de)綜合(he)測(ce)

HCTD-2000x                                                

產品(pin)介(jie)紹(shao)

產品(pin)簡(jian)介(jie)

鐵(tie)電材料綜(zong)合(he)測(ce)試(shi)系統既(ji)可適(shi)用(yong)於壓電陶(tao)瓷材料居(ju)裏溫(wen)度(du)、縱(zong)向(xiang)壓電應變(bian)常(chang)數(shu)(靜態(tai))、強(qiang)場介(jie)電、熱釋電系數(shu)、因(yin)數(shu)及(ji)機電耦合(he)系數(shu)等;如(ru)增加(jia)高(gao)壓放大器模塊(kuai)，也(ye)可實(shi)現鐵(tie)電材料的(de)電學(xue)測(ce)試(shi)；配合(he)高低(di)溫(wen)測(ce)試(shi)環境同時(shi)可以測(ce)量(liang)不(bu)同環境溫(wen)度下的(de)材料參數(shu)。該系統可廣泛地(di)應用(yong)於如(ru)各(ge)種(zhong)鐵(tie)電/壓電/熱釋電薄膜(mo)、厚(hou)膜(mo)、塊(kuai)體材料和(he)電子陶(tao)瓷、鐵(tie)電傳(chuan)感器(qi)/執(zhi)行器/存儲器(qi)等領域(yu)的(de)研(yan)究。為壹體的(de)綜合(he)測(ce)試(shi)系統。

設備內(nei)置完整(zheng)的(de)工控(kong)計(ji)算機主機、測(ce)試(shi)版路、運算放大器、數(shu)據(ju)處(chu)理(li)單(dan)元(yuan)等，包(bao)括工控(kong)計(ji)算機主板、CPU(i3 或以上(shang))、RAM(4G 或以上(shang))、硬盤(pan)(120G 固態(tai)硬盤(pan))、網(wang)卡(ka)、USB 接口(kou)、VGA 接口(kou)、預(yu)裝Windows 7 操作(zuo)系統、鐵(tie)電分析(xi)儀測(ce)試(shi)軟(ruan)件(jian)等。

鐵(tie)電模塊(kuai)測(ce)試(shi)功能

鐵(tie)電模塊(kuai)標(biao)準(zhun)測(ce)試(shi)功能：
動(dong)態(tai)電滯(zhi)回線測(ce)試(shi)頻率(lv)（0.001Hz~150kHz）；
脈(mai)沖測(ce)試(shi)：min脈(mai)沖寬度2μs，小上(shang)升(sheng)時(shi)間(jian)1μs；
疲勞(lao)測(ce)試(shi):max頻率(lv)300kHz；
保持力(li)測(ce)試(shi)；
靜態(tai)電滯(zhi)回線測(ce)試(shi)；
印(yin)跡(ji)測(ce)試(shi)；
漏(lou)電流測(ce)試(shi)：1pA to 1A。

高壓放大器模塊(kuai)參數(shu)

高壓電源：DC~150kHz
輸出電壓： 1600Vp-p（±800Vp）(可選)
輸出電流：40mA
輸出波(bo)形(xing)：正弦(xian)波(bo)、三角(jiao)波、梯(ti)形(xing)波(bo)等

壓電模塊(kuai)測(ce)試(shi)功能

電容-電壓曲(qu)線、損耗(hao)曲(qu)線；
壓電測(ce)試(shi)（蝴(hu)蝶(die)曲(qu)線、d33 曲(qu)線）；
熱釋電測(ce)試(shi)；
e31、h31 測(ce)試(shi)；
靜態(tai)加(jia)載(zai)力(li)條(tiao)件(jian)下的(de)測(ce)試(shi)；
測(ce)量(liang)範(fan)圍(wei)(D33）：2至(zhi)4000pC/N
測(ce)試(shi)頻率(lv)：20HZ-10M;
測(ce)試(shi)精度(du)：0.05%
測(ce)量(liang)參數(shu):Cp/Cs、Lp/Ls、Rp/Rs、|Z|、|Y|、R、X、G、B、θ、D、Q、Vac、Iac
施力(li)裝置：約4公(gong)斤

電滯(zhi)回線和(he)蝴(hu)蝶(die)曲(qu)線

典型的(de)PZT樣(yang)品的(de)d33曲(qu)線

薄膜(mo)探針臺(tai)

（室溫測(ce)試(shi)）（可用(yong)於薄膜(mo)和(he)厚(hou)膜(mo)室溫鐵(tie)電測(ce)試(shi)）

薄膜(mo)變(bian)溫探針臺(tai)
（室溫到(dao)200℃）（可用(yong)於厚(hou)膜(mo)鐵(tie)電、壓電（d33）、熱釋電測(ce)試(shi)）

薄膜(mo)四探針探針臺(tai)

（室溫到(dao)200℃）（可用(yong)於厚(hou)膜(mo)鐵(tie)電、壓電（e31）、熱釋電測(ce)試(shi)）

薄膜(mo)寬溫區探針冷(leng)熱臺(tai)

（-196℃到(dao)+600℃）（可用(yong)於薄膜(mo)和(he)厚(hou)膜(mo)變(bian)溫的(de)鐵(tie)電和(he)熱釋電測(ce)試(shi)）

壓電常(chang)數(shu)測(ce)試(shi)原理(li)

1、5－加(jia)壓裝置絕緣(yuan)座(zuo)；2、4－加(jia)壓裝置引出電極; 3-試(shi)樣(yang); c-並聯電容器(qi) F3 -試(shi)加(jia)試(shi)樣(yang)上(shang)的(de)力(li); K- 短(duan)路開關;6、靜電計

熱釋電系數(shu)測(ce)試(shi)原理(li)

1、冰(bing)點；2、熱電偶；3、屏蔽(bi)溫度(du)室；4、試(shi)樣(yang)；5、絕緣(yuan)保溫層；6、積分電容；7、靜電計；8、函(han)數(shu)分(fen)析儀(yi)；9、加(jia)熱(re)器；10、絕緣(yuan)支架；11、絕緣(yuan)油(you)

高壓放大器

輸出形(xing)式：差分(fen)輸(shu)出

輸出帶(dai)寬：DC～150kHz

大輸出電壓：1600Vp-p（±800Vp）

大輸出電流：40mAp

大輸出功率：32W

選擇(ze)TREK高壓放大器

Trek 610E
電壓範圍(wei)±10kV

電流範(fan)圍(wei)0-2mA

大頻率600Hz

Trek 609E-6
電壓範圍(wei)±4kV

電流範(fan)圍(wei)0-20mA

max頻(pin)率6000Hz