
當(dang)前(qian)位置:首(shou)頁(ye) > 產品中心(xin) > 新(xin)品推薦 > 塞(sai)貝(bei)克系(xi)數電(dian)阻(zu)測(ce)試儀(yi) > 塞(sai)貝(bei)克系(xi)數電(dian)阻(zu)測(ce)試儀(yi)熱(re)電(dian)效(xiao)應(ying)研(yan)究簡(jian)要(yao)描(miao)述(shu):塞(sai)貝(bei)克系(xi)數電(dian)阻(zu)測(ce)試儀(yi)熱(re)電(dian)效(xiao)應(ying)研(yan)究,可(ke)以同時(shi)測(ce)定(ding)樣(yang)品在RT至(zhi)1500℃溫(wen)度(du)範圍內的(de)塞(sai)貝(bei)克系(xi)數和電(dian)阻(zu)率。
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| 品牌 | 華測(ce)儀(yi)器(qi) | 應(ying)用(yong)領域(yu) | 能源(yuan),航空(kong)航天(tian),汽(qi)車及(ji)零部(bu)件(jian),電(dian)氣(qi),綜合(he) |
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塞(sai)貝(bei)克系(xi)數電(dian)阻(zu)測(ce)試儀(yi)熱(re)電(dian)效(xiao)應(ying)研(yan)究
塞(sai)貝(bei)克系(xi)數電(dian)阻(zu)測(ce)試儀(yi)應(ying)用(yong)領域(yu):
熱電(dian)材(cai)料開(kai)發與(yu)性(xing)能(neng)優化
• 測(ce)量半(ban)導(dao)體、方鈷(gu)礦(kuang)、Skutterudite等(deng)熱電(dian)材(cai)料的(de)塞(sai)貝(bei)克系(xi)數與(yu)電(dian)導(dao)率,計算(suan)ZT值(熱(re)電(dian)優值);
• 評估(gu)材料(liao)在高(gao)溫(如1500℃)或惡劣環境(真(zhen)空(kong)/還原氣(qi)氛)下的熱電(dian)轉(zhuan)換(huan)效率(lv)。
能源(yuan)材料(liao)與(yu)器(qi)件(jian)研究
• 鋰離(li)子電(dian)池(chi)電(dian)極(ji)材(cai)料(liao)、固(gu)態電(dian)解(jie)質(zhi)的電(dian)阻(zu)率與(yu)界(jie)面接觸(chu)特性(xing)分(fen)析(xi);
• 燃料(liao)電(dian)池(chi)催(cui)化(hua)劑在氧(yang)化/還原氣(qi)氛中的導電(dian)性(xing)能(neng)測(ce)試。
電(dian)子(zi)與(yu)功能材料表(biao)征(zheng)
• 半導(dao)體薄(bo)膜(mo)、導電(dian)高(gao)分子(zi)、金屬(shu)氧(yang)化物(wu)的(de)電(dian)輸(shu)運特性(xing)研(yan)究;
• 高溫(wen)超導材(cai)料、陶(tao)瓷基復合(he)材料(liao)的電(dian)阻(zu)-溫度(du)關(guan)系(xi)曲(qu)線(xian)測(ce)定(ding)。
工(gong)業(ye)材(cai)料質(zhi)量控(kong)制(zhi)與(yu)工(gong)藝(yi)優化
• 合(he)金、陶(tao)瓷、碳材(cai)料的(de)熱(re)-電(dian)協(xie)同性(xing)能(neng)檢測(ce),指(zhi)導(dao)燒結(jie)工(gong)藝(yi)參(can)數調整(zheng);
• 高溫(wen)塗層(ceng)、耐腐(fu)蝕材料(liao)在模(mo)擬工(gong)況(如(ru)真(zhen)空(kong)、惰(duo)性(xing)氣(qi)氛)下的電(dian)學(xue)行為(wei)評估(gu)。
科研(yan)與(yu)標準化測(ce)試
• 高校(xiao)及(ji)科研院(yuan)所用(yong)於熱電(dian)效(xiao)應(ying)、導(dao)電(dian)機制(zhi)等基(ji)礎(chu)理論(lun)研究;
• 依(yi)據國際(ji)標準(如ASTM E1225)開展材料熱(re)電(dian)性(xing)能(neng)認(ren)證測(ce)試。
產品參(can)數
產品型(xing)號(hao):HC-RD-1100
溫度(du)範圍:RT ~ 800/1100/1500℃
測(ce)量原理;塞(sai)貝(bei)克系(xi)數:靜態直流法 ; 電(dian)阻(zu)率:四(si)端法(fa)
氣(qi)氛:惰性(xing)、氧(yang)化、還原、真(zhen)空(kong)
樣品支架(jia):三明(ming)治(zhi)結構夾與(yu)兩(liang)電(dian)極(ji)之(zhi)間
樣品尺寸(圓(yuan)柱(zhu)形或棱(leng)柱形):2 至(zhi) 5 mm(面(mian)寬(kuan)),23mmφ6mm,23mm
樣品尺寸(圓(yuan)盤(pan)狀):10、 12.7、 25.4 mm
可(ke)調探頭(tou)距離(li):4、 6、 8 mm
塞(sai)貝(bei)克系(xi)數測(ce)量範(fan)圍:1 ~ 2500μV/K 準確(que)度(du)±7%;重復性(xing)±3%
電(dian)導(dao)率測(ce)量範(fan)圍:0.01 ~ 2*10 5 s/cm 準確(que)度(du)±5-8%;再(zai)現(xian)性(xing)±3%
電(dian)源(yuan):0 ~ 1A,具長(chang)期(qi)穩定性(xing)
電(dian)極(ji)材(cai)料(liao):鎳(nie)(-100至(zhi)500°C)/鉑(bo)(-100至(zhi)+1500°C)
熱電(dian)偶(ou):K/S/C型(xing)



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