評(ping)估(gu)絕(jue)緣材料劣化(hua)程(cheng)度(du)離子遷移(yi)評(ping)估(gu)系統

絕緣電阻(zu)劣化(hua)（離子遷移(yi)）評(ping)估(gu)系統

評(ping)估(gu)絕(jue)緣材料的(de)劣化(hua)程(cheng)度(du)和離子遷移(yi)現象

評(ping)估(gu)絕(jue)緣材料劣化(hua)程(cheng)度(du)離子遷移(yi)評(ping)估(gu)系統產品介紹(shao)：

離子遷移(yi)是(shi)指(zhi)電路板上(shang)的(de)金(jin)屬如銅(tong)、銀(yin)、錫(xi)等(deng)在(zai)壹定條件下(xia)發生離子化並(bing)在(zai)電(dian)場(chang)作(zuo)用(yong)下(xia)通(tong)過絕緣層向(xiang)另壹極(ji)遷(qian)移(yi)而(er)導致絕緣性能下(xia)降(jiang)。絕(jue)緣電阻(zu)劣化(hua)（離子遷移(yi)）評(ping)估(gu)系統是(shi)壹種信賴(lai)性試驗(yan)設(she)備(bei)。它(ta)通過(guo)在(zai)印刷(shua)電路板上(shang)施加(jia)固(gu)定(ding)的(de)直(zhi)流(liu)電(dian)壓(ya)，並(bing)經(jing)過(guo)長(chang)時(shi)間(jian)的(de)測試(shi)（1~1000小(xiao)時(shi)可按(an)需定(ding)制(zhi)），觀(guan)察線路是(shi)否有(you)瞬(shun)間(jian)短路的(de)現象發生，並(bing)記錄(lu)電阻(zu)值(zhi)的(de)變化(hua)狀(zhuang)況(kuang)，從(cong)而評估(gu)絕(jue)緣材料的(de)劣化(hua)程(cheng)度(du)和離子遷移(yi)現象的(de)影響(xiang)。

評估(gu)絕(jue)緣材料劣化(hua)程(cheng)度(du)離子遷移(yi)評(ping)估(gu)系統應用(yong)領(ling)域(yu)：

封(feng)裝材料：助(zhu)焊(han)劑、印刷(shua)電路板、光刻(ke)膠、釬料、樹脂、導電膠等(deng)有關印刷(shua)電路板、高密度(du)封(feng)裝的(de)材料；

電子材料：印BGA、CSP等(deng)精細(xi)節(jie)距IC封(feng)裝件；

有(you)機半(ban)導體：PPV、NDI、OFETs、OSCs、OLEDs等(deng)；

電子元器件：電(dian)容、連接(jie)器等(deng)其他電(dian)子元器件及(ji)材料；

絕緣材料：各(ge)種絕緣材料的(de)吸濕性特性評估(gu)。

技(ji)術參數：

測量(liang)電壓(ya)：100~1500V（可定(ding)制(zhi)）

測試(shi)通道(dao)：128通道（可定(ding)制(zhi)至高960通道(dao)）

測試(shi)時(shi)長(chang)：可連(lian)續(xu)運行1500小(xiao)時(shi)

測試(shi)溫(wen)度(du)：85℃（可定(ding)制(zhi)）

測試(shi)濕度(du)：85%（可定(ding)制(zhi)）

測量(liang)範圍(wei)：1×105~1×1015Ω

極(ji)化(hua)電(dian)壓(ya)：100~1500V（可定(ding)制(zhi)）

掃(sao)描周(zhou)期(qi)：最快2分鐘（128通道）

恒溫(wen)試驗(yan)箱(xiang)

型(xing)號(hao)：HC-80    溫(wen)度(du)範圍(wei)：RT ~ +100℃    內部容積（L）：80

型(xing)號(hao)：HC-512     溫(wen)度(du)範圍(wei)：RT ~ +200℃   內部容積（L）：512

迷妳高低溫(wen)環境箱(xiang)

型(xing)號(hao)：HC-35   溫(wen)度(du)範圍(wei)：-40 ~ +100℃   內部容積（L）：35

型(xing)號(hao)：HC-70   溫(wen)度(du)範圍(wei)：-70 ~ +200℃  內部容積（L）：70