儲(chu)能新(xin)材料電(dian)學綜合(he)測試系(xi)統(tong)

隨(sui)著(zhe)能源需(xu)求(qiu)的(de)不(bu)斷(duan)增(zeng)加(jia)以(yi)及(ji)對(dui)環境友(you)好(hao)能源的(de)需(xu)求(qiu)，新(xin)型能源儲(chu)能材料(liao)的(de)研(yan)究(jiu)成為了(le)當(dang)前(qian)的(de)熱(re)門領域(yu)之(zhi)壹(yi)。在(zai)開(kai)發新(xin)壹代的(de)儲(chu)能新(xin)材料時(shi)，對(dui)其(qi)性(xing)能的(de)測(ce)試與(yu)分析是至(zhi)關重(zhong)要的(de)壹(yi)環，儲(chu)能新(xin)材料電(dian)學綜合(he)測試系(xi)統(tong)可以(yi)通(tong)過(guo)各(ge)功(gong)能測試模塊(kuai)，系(xi)統(tong)的(de)幫(bang)組科研(yan)人員從(cong)能量(liang)密度、功率(lv)密度、循(xun)環壽命(ming)、安全(quan)性(xing)四(si)個方面(mian)對(dui)新(xin)材料性(xing)能進行(xing)分析檢(jian)測，評(ping)估材料的(de)性(xing)能指標(biao)，判(pan)斷(duan)是(shi)否(fou)符(fu)合(he)應用要求(qiu)。

系(xi)統(tong)配(pei)置

測(ce)試模塊(kuai)

01.電(dian)壓(ya)擊(ji)穿(chuan)（介電場(chang)強）

由(you)能量(liang)密度可知，擊穿(chuan)場(chang)強相對(dui)於介電常(chang)數對(dui)於材(cai)料(liao)能量(liang)密度的(de)影響(xiang)更(geng)為突出，獲(huo)得(de)高(gao)能量(liang)密度對(dui)復(fu)合(he)材料擊(ji)穿(chuan)場(chang)強提出了(le)更(geng)高的(de)要求(qiu)。

通(tong)過(guo)上(shang)位機(ji)系(xi)統(tong)控制高壓擊穿(chuan)測(ce)試模塊(kuai)，可(ke)以(yi)安(an)全(quan)、便(bian)捷、準確(que)的(de)對(dui)測(ce)試樣品進(jin)行(xing)工(gong)頻下的(de)交流(liu)、高壓直(zhi)流(liu)擊穿(chuan)試驗，測(ce)試出擊(ji)穿(chuan)場(chang)強。甚至(zhi)可以(yi)通(tong)過(guo)測(ce)試軟(ruan)件(jian)設置(zhi)直(zhi)流(liu)輸出時(shi)間，以(yi)完(wan)成(cheng)樣品的(de)極(ji)化(hua)過(guo)程。

02.高(gao)低(di)頻介電頻譜、溫譜

用於分析寬(kuan)頻、高低溫環境下(xia)儲(chu)能新(xin)材料的(de)阻(zu)抗Z、電(dian)抗X、導(dao)納Y、電(dian)導(dao)G、電(dian)納B、電(dian)感(gan)L、介電損(sun)耗(hao)D、品(pin)質因數Q等(deng)物理(li)量(liang)，同時(shi)還可(ke)以(yi)分析被測(ce)樣品隨(sui)溫(wen)度、頻率、時(shi)間、偏壓變(bian)化(hua)的(de)曲(qu)線(xian)。

03.高(gao)溫(wen)絕(jue)緣電阻

高(gao)精(jing)度的(de)電(dian)壓(ya)輸(shu)出與(yu)電流(liu)測量(liang)，即(ji)使(shi)在(zai)高(gao)低(di)溫(wen)環境下(xia)可(ke)能很(hen)好(hao)的(de)屏(ping)蔽(bi)背景(jing)電流(liu)，保障測試品質，適(shi)用與(yu)儲(chu)能新(xin)材料在(zai)不同(tong)環境溫(wen)度下絕(jue)緣性(xing)能的(de)檢(jian)測。

04.熱(re)釋(shi)電測試

不(bu)論是(shi)薄膜(mo)還(hai)是塊(kuai)體形(xing)式(shi)的(de)儲(chu)能材料(liao)，都可對(dui)其(qi)進行(xing)熱(re)釋(shi)電性(xing)能測試。采(cai)用電流(liu)法(fa)進行(xing)測(ce)量(liang)，材料(liao)的(de)熱(re)釋(shi)電電流(liu)、熱(re)釋(shi)電系(xi)數、剩(sheng)余(yu)極(ji)化強度對(dui)溫(wen)度和時(shi)間的(de)曲(qu)線(xian)。

05.TSDC熱(re)刺激極(ji)化(hua)電流(liu)

熱(re)刺激電(dian)流(liu)（TSC）是研究(jiu)熱(re)釋(shi)電材料(liao)中陷(xian)阱結構和陷(xian)阱結構所控(kong)制的(de)空(kong)間(jian)電(dian)荷存(cun)貯(zhu)及(ji)運(yun)輸(shu)特(te)性(xing)的(de)工(gong)具(ju)，同(tong)時(shi)也是(shi)研究(jiu)熱(re)點材料結構(gou)轉變(bian)和(he)分子運(yun)動(dong)的(de)重(zhong)要手(shou)段。諸如(ru)：分子弛(chi)豫、相轉(zhuan)變(bian)、玻(bo)璃(li)化(hua)溫(wen)度等(deng)等(deng)，通(tong)過(guo)TSDC技術(shu)也(ye)可(ke)以(yi)直(zhi)觀(guan)的(de)研(yan)究(jiu)材料(liao)的(de)弛(chi)豫(yu)時(shi)間、活(huo)化(hua)能等(deng)相(xiang)關(guan)介電特(te)性(xing)、

06.充(chong)放(fang)電(dian)儲(chu)能密度測試

用於研(yan)究(jiu)介電儲(chu)能材料(liao)高(gao)電壓放(fang)電性(xing)能，同目(mu)前(qian)常(chang)見的(de)方(fang)法(fa)是通(tong)過電(dian)滯回線(xian)計算高壓(ya)下電(dian)介質能量(liang)密度，測試時(shi)，樣品的(de)電(dian)荷釋(shi)放至(zhi)高壓(ya)源上，而非釋(shi)放至(zhi)負載(zai)上(shang)，也就(jiu)是說，通(tong)過(guo)電滯回線(xian)測得(de)的(de)能量(liang)密度會大與(yu)樣品實(shi)際(ji)釋(shi)放的(de)能量(liang)密度，不能正確(que)評(ping)估儲(chu)能材料(liao)的(de)正(zheng)常(chang)放電(dian)性(xing)能。華測(ce)充放(fang)電(dian)測(ce)試具有專(zhuan)門設(she)計(ji)的(de)電(dian)容放電(dian)電(dian)路來(lai)測量(liang)，首先將(jiang)測(ce)試材料(liao)充電(dian)到(dao)給(gei)定(ding)電(dian)壓，之後通過閉(bi)合(he)高速MOS高(gao)壓(ya)開(kai)關，將存儲(chu)在儲(chu)能材料(liao)中(zhong)的(de)能量(liang)釋(shi)放到(dao)電(dian)阻(zu)器(qi)負載(zai)中(zhong)，更(geng)符合(he)電介質充放電原理(li)。

07.電(dian)聲(sheng)脈(mai)沖法(fa)空間(jian)電荷測(ce)量(liang)

空(kong)間(jian)電(dian)荷是(shi)指(zhi)在(zai)材料特(te)定(ding)區(qu)域(yu)內(nei)電(dian)荷分布不(bu)均勻(yun)的(de)現象(xiang)。該(gai)現象(xiang)是(shi)由(you)於載(zai)流(liu)子的(de)擴(kuo)散(san)和漂(piao)移運(yun)動(dong)所(suo)導(dao)致(zhi)的(de)，在(zai)材(cai)料(liao)的(de)局(ju)部(bu)區(qu)域(yu)產生了(le)電(dian)荷累積(ji)，從(cong)而使(shi)材料(liao)改(gai)變(bian)了(le)原本(ben)的(de)電(dian)中(zhong)性(xing)狀態(tai)。空間電(dian)荷的(de)存(cun)在(zai)對(dui)材(cai)料的(de)電(dian)學(xue)性(xing)能有著(zhe)重(zhong)要的(de)影響(xiang)，可(ke)能導(dao)致(zhi)電(dian)場(chang)畸(ji)變(bian)、絕(jue)緣(yuan)性(xing)能下降(jiang)等(deng)問(wen)題(ti)。

電(dian)聲(sheng)脈(mai)沖法(fa)（PEA）空間(jian)電荷測(ce)試可以(yi)便(bian)捷準確(que)地(di)測(ce)量(liang)固體儲(chu)能材料(liao)內(nei)部空間(jian)電荷分布,電(dian)聲脈沖法(fa)可以(yi)測(ce)量(liang)較厚的(de)介質，可以(yi)在(zai)帶(dai)電(dian)狀態(tai)下直接(jie)測(ce)量(liang)絕緣(yuan)測(ce)試樣品中(zhong)的(de)空(kong)間(jian)電(dian)荷分布，最(zui)小(xiao)可(ke)測空間電(dian)荷密(mi)度為4μC·cm^-3,最(zui)小(xiao)可(ke)測試樣厚度為0.2mm。

08.靜(jing)電(dian)電(dian)壓

靜(jing)電(dian)是(shi)壹種(zhong)處(chu)於靜(jing)止(zhi)狀態(tai)的(de)電(dian)荷，雖然(ran)其(qi)總電(dian)荷量(liang)不大，但(dan)其瞬間釋(shi)放所產生的(de)高(gao)電(dian)壓(ya)與(yu)大電(dian)流(liu)非常(chang)容易對(dui)周(zhou)邊(bian)電路、設(she)備(bei)乃(nai)至(zhi)人員造(zao)成損(sun)害。對(dui)儲(chu)能材料(liao)的(de)靜(jing)電(dian)性(xing)能（包括(kuo)面(mian)電荷密(mi)度與(yu)電阻(zu)）進行(xing)測(ce)試，可以(yi)對(dui)後期防(fang)靜(jing)電工程設計(ji)和(he)改(gai)善(shan)儲(chu)能系(xi)統(tong)的(de)抗靜電(dian)性(xing)能設計(ji)提(ti)供數據(ju)支持(chi)，對(dui)周(zhou)圍電路的(de)靜(jing)電(dian)敏(min)感(gan)電子(zi)元(yuan)器件選(xuan)型(xing)提(ti)供參(can)考依據(ju)。

配(pei)置模(mo)塊(kuai)

儲(chu)能新(xin)材料電(dian)學綜合(he)測試系(xi)統(tong)可進(jin)行(xing)電(dian)壓(ya)擊(ji)穿(chuan)（介電場(chang)強）、高低(di)頻介電頻譜、溫譜、高(gao)溫(wen)絕(jue)緣電(dian)阻、熱(re)釋(shi)電測試、TSDC熱(re)刺激極(ji)化(hua)電流(liu)、充放電(dian)儲(chu)能密度測試、電聲(sheng)脈沖法(fa)空間(jian)電荷測(ce)量(liang)、靜電(dian)電(dian)壓(ya)等(deng)。

儲(chu)能新(xin)材料電(dian)學綜合(he)測試系(xi)統(tong)/高溫(wen)絕(jue)緣電(dian)阻(zu)

儲(chu)能新(xin)材料電(dian)學綜合(he)測試系(xi)統(tong)/高溫(wen)絕(jue)緣電(dian)阻(zu)