儲能(neng)新(xin)材(cai)料(liao)電學(xue)綜合測(ce)試(shi)系(xi)統

隨著能(neng)源需(xu)求(qiu)的不斷增(zeng)加以及對環境友(you)好(hao)能(neng)源的需(xu)求(qiu)，新(xin)型能(neng)源儲能(neng)材(cai)料(liao)的研(yan)究(jiu)成為了(le)當前(qian)的熱門(men)領域(yu)之(zhi)壹。在(zai)開(kai)發新(xin)壹代的儲能(neng)新(xin)材(cai)料(liao)時，對其性(xing)能(neng)的測(ce)試(shi)與分析是至關重要(yao)的壹環，儲能(neng)新(xin)材(cai)料(liao)電學(xue)綜合測(ce)試(shi)系(xi)統可以通過(guo)各功能(neng)測(ce)試(shi)模塊，系統的幫(bang)組科(ke)研(yan)人(ren)員(yuan)從(cong)能(neng)量密度(du)、功率密度(du)、循(xun)環壽(shou)命、安(an)全(quan)性(xing)四(si)個方(fang)面對新(xin)材(cai)料(liao)性(xing)能(neng)進(jin)行(xing)分析檢測(ce)，評(ping)估(gu)材(cai)料(liao)的性(xing)能(neng)指標(biao)，判(pan)斷(duan)是(shi)否符合應(ying)用(yong)要(yao)求(qiu)。

測(ce)試(shi)模塊

01.電(dian)壓(ya)擊(ji)穿（介電(dian)場強）

由能(neng)量密度(du)可知，擊(ji)穿場強相對於介電(dian)常數(shu)對於材(cai)料(liao)能(neng)量密度(du)的影響更為(wei)突出，獲得(de)高能(neng)量密度(du)對復合材(cai)料(liao)擊(ji)穿場強提(ti)出(chu)了(le)更高(gao)的要求(qiu)。

通過(guo)上位機系(xi)統控(kong)制高壓(ya)擊(ji)穿測(ce)試(shi)模塊，可以安(an)全(quan)、便(bian)捷、準(zhun)確的對測(ce)試(shi)樣品進(jin)行(xing)工(gong)頻(pin)下(xia)的交流、高(gao)壓(ya)直流(liu)擊(ji)穿試驗，測(ce)試(shi)出(chu)擊(ji)穿場強。甚(shen)至可以通過(guo)測(ce)試(shi)軟(ruan)件(jian)設置直流輸出(chu)時間(jian)，以完成樣品的極化過(guo)程。

02.高低頻(pin)介電(dian)頻(pin)譜(pu)、溫(wen)譜(pu)

用(yong)於(yu)分析寬頻(pin)、高(gao)低溫環境下(xia)儲能(neng)新(xin)材(cai)料(liao)的阻抗Z、電(dian)抗X、導(dao)納(na)Y、電(dian)導(dao)G、電(dian)納(na)B、電(dian)感(gan)L、介電(dian)損(sun)耗(hao)D、品質因(yin)數(shu)Q等(deng)物(wu)理(li)量，同(tong)時還可以分析被測(ce)樣品隨溫度、頻(pin)率(lv)、時間(jian)、偏(pian)壓(ya)變(bian)化(hua)的曲線(xian)。

03.高(gao)溫(wen)絕緣電(dian)阻

高精度(du)的電壓(ya)輸出(chu)與電流(liu)測(ce)量(liang)，即(ji)使在(zai)高低(di)溫(wen)環(huan)境下(xia)可能(neng)很好(hao)的屏(ping)蔽(bi)背(bei)景(jing)電流，保障(zhang)測(ce)試(shi)品質，適用(yong)與儲能(neng)新(xin)材(cai)料(liao)在(zai)不同(tong)環(huan)境溫(wen)度(du)下(xia)絕(jue)緣(yuan)性(xing)能(neng)的檢測(ce)。

04.熱釋電(dian)測(ce)試(shi)

不論(lun)是薄(bo)膜還(hai)是(shi)塊體形式(shi)的儲能(neng)材(cai)料(liao)，都可對其進(jin)行(xing)熱釋電(dian)性(xing)能(neng)測(ce)試(shi)。采(cai)用(yong)電(dian)流法(fa)進(jin)行(xing)測(ce)量(liang)，材(cai)料(liao)的熱釋電(dian)電(dian)流、熱釋電(dian)系(xi)數(shu)、剩(sheng)余(yu)極化強度對溫度(du)和時間(jian)的曲線(xian)。

05.TSDC熱刺(ci)激極化電流

熱刺(ci)激電流（TSC）是研(yan)究(jiu)熱釋電(dian)材(cai)料(liao)中(zhong)陷(xian)阱(jing)結(jie)構和陷(xian)阱(jing)結(jie)構所控(kong)制的空間(jian)電(dian)荷(he)存(cun)貯(zhu)及運(yun)輸(shu)特(te)性(xing)的工(gong)具(ju)，同(tong)時也是研(yan)究(jiu)熱點材(cai)料(liao)結構轉變(bian)和分子(zi)運(yun)動(dong)的重要(yao)手(shou)段(duan)。諸如(ru)：分子(zi)弛(chi)豫、相轉變(bian)、玻璃(li)化(hua)溫度(du)等(deng)等(deng)，通過(guo)TSDC技(ji)術也(ye)可以直(zhi)觀的研(yan)究(jiu)材(cai)料(liao)的弛豫時間(jian)、活(huo)化能(neng)等(deng)相關介電(dian)特性(xing)、

06.充放(fang)電儲能(neng)密度(du)測(ce)試(shi)

用(yong)於(yu)研(yan)究(jiu)介電(dian)儲能(neng)材(cai)料(liao)高電壓(ya)放(fang)電性(xing)能(neng)，同目(mu)前常(chang)見的方(fang)法(fa)是(shi)通過(guo)電滯(zhi)回線(xian)計算(suan)高壓(ya)下(xia)電(dian)介質能(neng)量密度(du)，測(ce)試(shi)時，樣品的電荷(he)釋放(fang)至高(gao)壓(ya)源上(shang)，而(er)非釋放(fang)至負載(zai)上(shang)，也(ye)就是(shi)說(shuo)，通過(guo)電滯(zhi)回線(xian)測(ce)得(de)的能(neng)量密度(du)會(hui)大(da)與樣品實際(ji)釋放(fang)的能(neng)量密度(du)，不(bu)能(neng)正(zheng)確評(ping)估儲能(neng)材(cai)料(liao)的正(zheng)常放(fang)電性(xing)能(neng)。華(hua)測(ce)充放(fang)電測(ce)試(shi)具(ju)有(you)專(zhuan)門設計的電容放(fang)電電(dian)路(lu)來(lai)測(ce)量(liang)，首先(xian)將測(ce)試(shi)材(cai)料(liao)充電(dian)到(dao)給(gei)定電(dian)壓(ya)，之後通過(guo)閉(bi)合高(gao)速(su)MOS高壓(ya)開(kai)關，將存(cun)儲在(zai)儲能(neng)材(cai)料(liao)中(zhong)的能(neng)量釋放(fang)到(dao)電阻(zu)器負載(zai)中(zhong)，更符合電(dian)介質充放(fang)電原(yuan)理(li)。

07.電(dian)聲(sheng)脈沖法(fa)空(kong)間(jian)電(dian)荷(he)測(ce)量(liang)

空間(jian)電(dian)荷(he)是(shi)指在(zai)材(cai)料(liao)特定區域(yu)內(nei)電(dian)荷(he)分布不(bu)均(jun)勻(yun)的現(xian)象。該(gai)現(xian)象是(shi)由於載(zai)流(liu)子(zi)的擴散和漂(piao)移(yi)運(yun)動(dong)所(suo)導(dao)致的，在(zai)材(cai)料(liao)的局部區(qu)域(yu)產生(sheng)了(le)電荷(he)累(lei)積，從而(er)使材(cai)料(liao)改變(bian)了(le)原本(ben)的電中(zhong)性(xing)狀(zhuang)態(tai)。空間(jian)電(dian)荷(he)的存(cun)在(zai)對材(cai)料(liao)的電學(xue)性(xing)能(neng)有著重要(yao)的影響，可能(neng)導(dao)致電(dian)場(chang)畸(ji)變(bian)、絕(jue)緣性(xing)能(neng)下(xia)降(jiang)等(deng)問題(ti)。

電(dian)聲(sheng)脈沖法(fa)（PEA）空(kong)間(jian)電(dian)荷(he)測(ce)試(shi)可以便(bian)捷準(zhun)確地測(ce)量(liang)固(gu)體(ti)儲能(neng)材(cai)料(liao)內(nei)部(bu)空(kong)間(jian)電(dian)荷(he)分布,電(dian)聲(sheng)脈沖法(fa)可以測(ce)量(liang)較(jiao)厚(hou)的介質，可以在(zai)帶(dai)電(dian)狀(zhuang)態(tai)下(xia)直(zhi)接(jie)測(ce)量(liang)絕(jue)緣(yuan)測(ce)試(shi)樣品中(zhong)的空間(jian)電(dian)荷(he)分布，最(zui)小(xiao)可測(ce)空(kong)間(jian)電(dian)荷(he)密度(du)為(wei)4μC·cm^-3,最小(xiao)可測(ce)試(shi)樣厚(hou)度(du)為(wei)0.2mm。

08.靜(jing)電(dian)電(dian)壓(ya)

靜(jing)電(dian)是(shi)壹種(zhong)處(chu)於(yu)靜(jing)止(zhi)狀(zhuang)態(tai)的電荷(he)，雖(sui)然其總電(dian)荷(he)量(liang)不大(da)，但(dan)其(qi)瞬(shun)間(jian)釋放(fang)所產生(sheng)的高電壓(ya)與大(da)電(dian)流(liu)非常容易對周邊電(dian)路(lu)、設備乃(nai)至人(ren)員(yuan)造(zao)成損(sun)害(hai)。對儲能(neng)材(cai)料(liao)的靜(jing)電(dian)性(xing)能(neng)（包括(kuo)面(mian)電(dian)荷(he)密度(du)與電阻(zu)）進(jin)行(xing)測(ce)試(shi)，可以對後期(qi)防靜(jing)電(dian)工(gong)程設計和改善儲能(neng)系統的抗靜(jing)電(dian)性(xing)能(neng)設計提(ti)供數(shu)據(ju)支(zhi)持，對周圍電路(lu)的靜(jing)電(dian)敏感(gan)電子(zi)元(yuan)器(qi)件(jian)選(xuan)型提供參考依(yi)據(ju)。

配(pei)置模塊

儲能(neng)新(xin)材(cai)料(liao)電學(xue)綜合測(ce)試(shi)系(xi)統可進(jin)行(xing)電壓(ya)擊(ji)穿（介電(dian)場強）、高低(di)頻(pin)介電(dian)頻(pin)譜(pu)、溫(wen)譜(pu)、高(gao)溫(wen)絕(jue)緣電阻、熱釋電(dian)測(ce)試(shi)、TSDC熱刺(ci)激極化電流、充放(fang)電儲能(neng)密度(du)測(ce)試(shi)、電(dian)聲(sheng)脈沖法(fa)空(kong)間(jian)電(dian)荷(he)測(ce)量(liang)、靜(jing)電(dian)電(dian)壓(ya)等(deng)。

儲能(neng)新(xin)材(cai)料(liao)電學(xue)測(ce)試(shi)/TSDC熱刺(ci)激極化電流

儲能(neng)新(xin)材(cai)料(liao)電學(xue)測(ce)試(shi)/TSDC熱刺(ci)激極化電流