半(ban)導(dao)體封(feng)裝材(cai)料高(gao)壓(ya)TSDC熱(re)刺激測(ce)試系統

半(ban)導(dao)體封(feng)裝材(cai)料高(gao)壓(ya)TSDC熱(re)刺激測(ce)試系統

產品(pin)介(jie)紹(shao)：

 研(yan)究前景：

環氧塑(su)封(feng)料（EMC， Epoxy Molding Compound）是(shi)用(yong)於(yu)半(ban)導(dao)體封(feng)裝的(de)壹(yi)種熱(re)固性(xing)化(hua)學材(cai)料，是(shi)由環氧樹(shu)脂為(wei)基體(ti) 樹(shu)脂，以高(gao)性(xing)能酚(fen)醛樹(shu)脂為(wei)固化劑(ji)，加(jia)入(ru)矽(gui)微(wei)粉等(deng)為(wei)填料，以及添加(jia)多(duo)種(zhong)助劑(ji)混(hun)配(pei)而(er)成的(de)粉狀模(mo)塑料，為(wei)後道封(feng)裝的(de)主(zhu)要(yao)原材料之(zhi)壹(yi)，目(mu)前(qian)95%以上(shang)的(de)微(wei)電子器(qi)件(jian)都(dou)是(shi)環氧塑(su)封(feng)器(qi)件(jian)。環氧塑(su)封(feng)料具有保護芯片不受外(wai)界(jie)環境的(de)影響(xiang)，抵抗外(wai)部溶劑(ji)、濕(shi)氣(qi)、沖(chong)擊，保證(zheng)芯片與外(wai)界(jie)環境電絕緣(yuan)等(deng)功能。環氧塑(su)封(feng)料對高(gao)功率(lv)半(ban)導(dao)體器(qi)件(jian)的(de)高(gao)溫反向偏壓(ya)（HTRB）性(xing)能有重(zhong)要控(kong)制(zhi)作用。

 產品(pin)概(gai)述：

熱(re)刺激去極(ji)化(hua)電流（TSDC）技(ji)術(shu)用(yong)於預測(ce)EMC的(de)HTRB性(xing)能。TSDC方(fang)法(fa)包(bao)括極(ji)化(hua)過(guo)程，在該過(guo)程中，電介(jie)質(zhi)樣品(pin)暴露在高(gao)電場強(qiang)度(du)和(he)高(gao)溫環境下。在(zai)這種(zhong)情(qing)況(kuang)下，電荷被(bei)分離並(bing)在(zai)介(jie)電材料電子元(yuan)件(jian)中移動。盡管(guan)單個TSDC信(xin)號和(he)HTRB性(xing)能之(zhi)間(jian)的(de)相(xiang)關性(xing)表(biao)明，極(ji)化峰值越(yue)

高(gao)，TSDC曲線越(yue)大(da)，而(er)HTRB性(xing)能越(yue)差(cha)，但這並(bing)不能wanquan解釋EMC在發出強(qiang)放電信(xin)號時(shi)的(de)某(mou)些故障。因此(ci)，弛(chi)豫(yu)時(shi)間(jian)是(shi)解釋外(wai)層HTRB失效(xiao)樣本(ben)的(de)另(ling)壹(yi)個關(guan)鍵參數(shu)。

關(guan)於環氧塑(su)封(feng)料（EMC， Epoxy Molding Compound）TSDC測(ce)試技(ji)術(shu)，為(wei)華測(ce)公司(si)在國內最早提及目(mu)前(qian)已被(bei)廣泛(fan)應(ying)用到(dao)更(geng)多的(de)半(ban)導(dao)體封(feng)裝材(cai)料及半(ban)導(dao)體生產研(yan)發(fa)企(qi)業(ye)。已證(zheng)明此(ci)測(ce)試方(fang)式是(shi)有效(xiao)的(de)，同時(shi)加(jia)速國(guo)產化(hua)IGBT、MOSFET等(deng)功率(lv)器(qi)件(jian)的(de)研(yan)發。如無(wu)錫凱華、中科科化、飛(fei)凱材料等(deng)企(qi)業(ye)。

 應(ying)用場景：

材(cai)料研發(fa)與性(xing)能評(ping)估：介(jie)電材料研究(jiu)、絕緣(yuan)材(cai)料評估(gu)、半(ban)導(dao)體材(cai)料分析；電子元(yuan)器(qi)件(jian)與封裝(zhuang)技(ji)術(shu)：元(yuan)器(qi)件(jian)可(ke)靠(kao)性(xing)測(ce)試、封(feng)裝材料選擇(ze)、封裝工(gong)藝優(you)化；電力與能源(yuan)領域：電力設(she)備絕(jue)緣(yuan)監(jian)測(ce)、儲(chu)能材(cai)料研究(jiu)；其他(ta)領域：生物分子材(cai)料研究(jiu)、環境監(jian)測(ce)與保護；半(ban)導(dao)體封(feng)裝材(cai)料高(gao)壓(ya)TSDC熱(re)刺激測(ce)試系統在材料研發(fa)、電子元(yuan)器(qi)件(jian)與封裝(zhuang)技(ji)術(shu)、電力與能源(yuan)領域以及其他(ta)多個領域都具有廣泛(fan)的(de)應(ying)用前景。隨(sui)著(zhe)技(ji)術(shu)的(de)不斷發展(zhan)，TSDC測(ce)試系統將(jiang)在(zai)更(geng)多領域發揮重(zhong)要作用。

產品(pin)原(yuan)理(li)：

TSDC是(shi)壹(yi)種(zhong)研(yan)究(jiu)電荷存(cun)儲(chu)特(te)性(xing)的(de)實驗技(ji)術(shu)，用(yong)於確(que)定(ding)初(chu)始(shi)電荷和(he)捕(bu)獲電荷的(de)活(huo)化(hua)能以及弛豫，該方(fang)法(fa)包(bao)括壹(yi)個極(ji)化(hua)過程，其中介(jie)電樣品(pin)在(zai)高(gao)溫下暴露於高(gao)電場強(qiang)度(du)下。在(zai)此之(zhi)後(hou)，試(shi)樣在(zai)外(wai)加(jia)電場的(de)作用下迅(xun)速進(jin)行(xing)冷(leng)卻。以這種(zhong)方(fang)式，電荷被(bei)分離並(bing)固定(ding)在(zai)介(jie)電材料駐極(ji)體內(nei)。然(ran)後(hou)進(jin)行(xing)升(sheng)溫將(jiang)駐(zhu)極體內(nei)的(de)電荷進(jin)行(xing)釋放，同時(shi)配合測(ce)量(liang)儀器(qi)進行(xing)測(ce)量(liang)，並(bing)為(wei)科研人(ren)員進(jin)行(xing)分析。通過(guo)TSDC測(ce)試方(fang)法(fa)研(yan)究(jiu)了(le)EMC對功率(lv)半(ban)導(dao)體HTRB可(ke)靠性(xing)的(de)影響(xiang)，了(le)解到(dao)EMC在高(gao)溫、高(gao)壓(ya)條(tiao)件(jian)下會發(fa)生電極化(hua)或電取向。此外(wai)，依賴於(yu)在相(xiang)應(ying)的(de)冷(leng)卻環境中維持其極(ji)化狀態，它(ta)會幹(gan)擾(rao)MOS-FET半(ban)導(dao)體中反轉(zhuan)層的(de)正(zheng)常形(xing)成(cheng)。通過(guo)TSDC試驗，我們(men)還(hai)了(le)解了(le)在可(ke)靠性(xing)測(ce)試中由於應用條(tiao)件(jian)而(er)導(dao)致(zhi)的(de)材(cai)料內部極化(hua)電荷的(de)數(shu)量(liang)也(ye)是(shi)壹(yi)個重(zhong)要的(de)影響(xiang)因素(su)。

1、消(xiao)除電網諧波對采集(ji)精度(du)的(de)影響(xiang)

在(zai)超高(gao)阻(zu)、弱信(xin)號測(ce)量(liang)過(guo)程中、輸(shu)入(ru)偏(pian)置電流和(he)泄漏電流都(dou)會引(yin)起(qi)測(ce)量(liang)誤(wu)差(cha)。同時(shi)電網中大(da)量(liang)使(shi)用(yong)變頻器(qi)等(deng)高(gao)頻、高(gao)功率(lv)設(she)備，將(jiang)對(dui)電網造(zao)成諧波幹(gan)擾(rao)。以致(zhi)影響(xiang)弱信(xin)號的(de)采集(ji)，華測(ce)儀器(qi)公司推(tui)出的(de)抗(kang)幹(gan)擾(rao)模(mo)塊以及用新測(ce)試分析技(ji)術(shu),實現了(le)高(gao)達(da)1fA(10-15 A)的(de)測(ce)量(liang)分辨率(lv),從(cong)而(er)滿足(zu)了(le)很(hen)多(duo)半(ban)導(dao)體,功能材(cai)料和(he)納米器(qi)件(jian)的(de)測(ce)試需(xu)求。

2、消(xiao)除不規(gui)則輸(shu)入(ru)的(de)自(zi)動平均(jun)值功能,更(geng)強(qiang)數(shu)據(ju)處理(li)及內部屏蔽

自(zi)動平均(jun)值是(shi)檢(jian)測(ce)電流的(de)變(bian)化，並自動(dong)將(jiang)其進(jin)行(xing)平均(jun)化的(de)功能， 在(zai)查(zha)看測(ce)量(liang)結(jie)果的(de)同時(shi)不需要(yao)改(gai)變(bian)設置(zhi)。通過(guo)自動排(pai)除充(chong)電電流的(de)過(guo)渡響應時(shi)或接觸不穩(wen)定(ding)導(dao)致(zhi)偏(pian)差(cha)較(jiao)大(da)。電流輸(shu)入(ru)端(duan)口全新采用(yong)大(da)口徑三(san)軸(zhou)連接器(qi)，是(shi)將(jiang)內(nei)部屏蔽連接至GUARD(COM)線，外(wai)部屏蔽連接至GROUND的(de)3層(ceng)同軸(zhou)設計(ji)。兼顧抗(kang)幹(gan)擾(rao)的(de)穩(wen)定(ding)性(xing)和(he)高(gao)壓(ya)檢(jian)查(zha)時(shi)的(de)安全性(xing)。

3、更(geng)強(qiang)大(da)的(de)操作軟件(jian)

測(ce)試系統的(de)軟件(jian)平臺(tai) Huacepro ，基(ji)於(yu)labview系統開發，符合(he)功能材(cai)料的(de)各(ge)項測(ce)試需(xu)求，具備強(qiang)大(da)的(de)穩(wen)定(ding)性(xing)與操作安全性(xing)，並(bing)具備斷電資(zi)料的(de)保存功能，圖像(xiang)資(zi)料也(ye)可保存恢復(fu)。支持新(xin)的(de)國(guo)際標(biao)準(zhun)，兼容(rong)XP、win7、win10系統。

4、更(geng)強(qiang)大(da)的(de)硬(ying)件(jian)配(pei)置(zhi)

5、可(ke)擴展的(de)測(ce)量(liang)模(mo)式

產品(pin)曲線：

產品(pin)參數(shu)：

設(she)備型(xing)號(hao)：HC-TSC

溫度(du)範(fan)圍：-185 ~ 600°C

控(kong)溫精度(du)：±0.25°C

升(sheng)溫斜率(lv)：10°C/min（可(ke)設定(ding)）

測(ce)試頻率(lv)：最大(da)電壓：±10kV

加(jia)熱(re)方(fang)式：直流電極加(jia)熱(re)

冷(leng)卻方(fang)式：水(shui)冷(leng)

樣品(pin)尺(chi)寸：φ＜25mm，d＜4mm

電極材(cai)料：黃(huang)銅(tong)或銀;

夾(jia)具輔(fu)助材料 ：99氧(yang)化鋁陶(tao)瓷(ci)

低(di)溫制(zhi)冷(leng)：液氮

測(ce)試功能 ：TSDC

數(shu)據(ju)傳輸(shu)：RS-232  

設(she)備尺(chi)寸(cun) ：180 x 210 x 50mm