半(ban)導(dao)體(ti)封裝材料(liao)高壓(ya)TSDC測試(shi)系(xi)統

半(ban)導(dao)體(ti)封裝材料(liao)高壓(ya)TSDC測試(shi)系(xi)統

半(ban)導(dao)體(ti)封裝材料(liao)高壓(ya)TSDC測試(shi)系(xi)統產品介(jie)紹：

研究(jiu)前景(jing)：

環氧(yang)塑(su)封(feng)料(liao)（EMC， Epoxy Molding Compound）是用於(yu)半(ban)導(dao)體(ti)封裝的壹(yi)種(zhong)熱固性(xing)化學(xue)材料(liao)，是由環氧(yang)樹(shu)脂(zhi)為基體 樹(shu)脂(zhi)，以高性(xing)能酚(fen)醛(quan)樹(shu)脂(zhi)為固化劑(ji)，加入矽(gui)微粉(fen)等(deng)為填(tian)料，以(yi)及(ji)添(tian)加多(duo)種(zhong)助劑(ji)混配(pei)而(er)成的(de)粉(fen)狀(zhuang)模(mo)塑(su)料(liao)，為後道(dao)封(feng)裝的主(zhu)要(yao)原材料(liao)之壹，目(mu)前95%以(yi)上的微電(dian)子(zi)器(qi)件(jian)都(dou)是環氧(yang)塑(su)封(feng)器(qi)件(jian)。環氧(yang)塑(su)封(feng)料(liao)具(ju)有保(bao)護(hu)芯(xin)片(pian)不受(shou)外界(jie)環境(jing)的(de)影(ying)響(xiang)，抵抗(kang)外部(bu)溶(rong)劑、濕氣、沖(chong)擊(ji)，保(bao)證(zheng)芯(xin)片(pian)與外界(jie)環境(jing)電(dian)絕緣等功(gong)能。環氧(yang)塑(su)封(feng)料(liao)對高功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)的高溫(wen)反(fan)向(xiang)偏(pian)壓(ya)（HTRB）性能有重(zhong)要(yao)控制(zhi)作(zuo)用。

產品概(gai)述(shu)：

熱刺激去(qu)極(ji)化電(dian)流（TSDC）技術(shu)用於(yu)預(yu)測(ce)EMC的(de)HTRB性能。TSDC方(fang)法(fa)包(bao)括極化過程，在(zai)該過程中，電(dian)介(jie)質樣品(pin)暴(bao)露在高電(dian)場強(qiang)度(du)和高溫(wen)環境(jing)下。在(zai)這(zhe)種(zhong)情況(kuang)下，電(dian)荷被(bei)分(fen)離(li)並(bing)在介(jie)電(dian)材料(liao)電(dian)子(zi)元件(jian)中移動。盡(jin)管(guan)單(dan)個TSDC信號和HTRB性(xing)能之間的相關性表明，極化峰(feng)值(zhi)越

高，TSDC曲(qu)線(xian)越大(da)，而(er)HTRB性能越差(cha)，但(dan)這並(bing)不能wanquan解(jie)釋(shi)EMC在(zai)發(fa)出強(qiang)放(fang)電(dian)信號時的(de)某(mou)些故(gu)障。因此(ci)，弛(chi)豫時間是解(jie)釋(shi)外層(ceng)HTRB失效樣(yang)本的另(ling)壹(yi)個(ge)關鍵(jian)參數。

關於環氧(yang)塑(su)封(feng)料(liao)（EMC， Epoxy Molding Compound）TSDC測(ce)試(shi)技術(shu)，為華測(ce)公(gong)司(si)在國(guo)內(nei)最早提(ti)及(ji)目(mu)前已(yi)被廣泛(fan)應(ying)用到(dao)更多(duo)的(de)半(ban)導(dao)體(ti)封裝材料(liao)及(ji)半(ban)導(dao)體(ti)生產研發(fa)企(qi)業(ye)。已(yi)證(zheng)明此(ci)測試(shi)方(fang)式是有(you)效的(de)，同時(shi)加速(su)國(guo)產化IGBT、MOSFET等(deng)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)的研發(fa)。如(ru)無(wu)錫(xi)凱華、中科科(ke)化、飛(fei)凱材料(liao)等企業。

應(ying)用場景：

材料(liao)研發(fa)與(yu)性(xing)能評(ping)估：介(jie)電(dian)材料(liao)研究、絕緣材料(liao)評(ping)估、半(ban)導(dao)體(ti)材料(liao)分(fen)析；電(dian)子(zi)元器(qi)件(jian)與封裝技術(shu)：元器(qi)件(jian)可靠性測(ce)試、封(feng)裝材料(liao)選擇、封裝工藝優化；電(dian)力(li)與(yu)能源領域：電(dian)力(li)設備絕緣監測、儲能材料(liao)研究；其他領域：生物(wu)分(fen)子材料(liao)研究、環境(jing)監測與(yu)保護(hu)；半(ban)導(dao)體(ti)封裝材料(liao)高壓(ya)TSDC熱刺激測試(shi)系(xi)統在材料(liao)研發(fa)、電(dian)子(zi)元器(qi)件(jian)與封裝技術(shu)、電(dian)力(li)與(yu)能源領域以(yi)及(ji)其他多(duo)個(ge)領域都(dou)具(ju)有廣泛(fan)的應(ying)用前(qian)景(jing)。隨(sui)著(zhe)技術(shu)的(de)不斷(duan)發(fa)展(zhan)，TSDC測(ce)試(shi)系(xi)統將在更多(duo)領域發(fa)揮(hui)重(zhong)要(yao)作(zuo)用。

產品原理(li)：

TSDC是壹(yi)種(zhong)研究(jiu)電(dian)荷存儲特性(xing)的實驗(yan)技術(shu)，用於(yu)確(que)定初(chu)始(shi)電(dian)荷和(he)捕(bu)獲(huo)電(dian)荷的(de)活化能以及(ji)弛(chi)豫，該方(fang)法(fa)包(bao)括壹個(ge)極化過程，其中介電(dian)樣(yang)品(pin)在(zai)高溫(wen)下暴(bao)露於高電(dian)場強(qiang)度(du)下。在(zai)此(ci)之後(hou)，試(shi)樣(yang)在外加電(dian)場的作用下迅速(su)進行(xing)冷卻。以這種(zhong)方(fang)式，電(dian)荷被(bei)分(fen)離(li)並(bing)固定在(zai)介電(dian)材料(liao)駐(zhu)極體(ti)內(nei)。然(ran)後進(jin)行(xing)升(sheng)溫將駐(zhu)極體(ti)內(nei)的(de)電(dian)荷進(jin)行(xing)釋放(fang)，同時(shi)配(pei)合測量儀器(qi)進行(xing)測量，並(bing)為科研人員(yuan)進(jin)行(xing)分(fen)析。通(tong)過TSDC測試(shi)方(fang)法(fa)研(yan)究了EMC對功率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)HTRB可靠性的(de)影響(xiang)，了(le)解(jie)到(dao)EMC在高溫(wen)、高壓(ya)條件(jian)下會(hui)發(fa)生電(dian)極(ji)化或電(dian)取向(xiang)。此(ci)外，依賴於(yu)在(zai)相應(ying)的(de)冷(leng)卻(que)環境(jing)中維持(chi)其極化狀(zhuang)態(tai)，它會(hui)幹擾(rao)MOS-FET半(ban)導(dao)體(ti)中反轉(zhuan)層(ceng)的正常形(xing)成(cheng)。通(tong)過TSDC試驗(yan)，我們(men)還了(le)解(jie)了(le)在(zai)可(ke)靠性測(ce)試中由於應(ying)用條(tiao)件(jian)而(er)導致的(de)材料(liao)內部極化電(dian)荷的(de)數量(liang)也是壹(yi)個(ge)重(zhong)要(yao)的(de)影響(xiang)因素。

1、消(xiao)除電(dian)網(wang)諧(xie)波(bo)對采集精(jing)度(du)的(de)影響(xiang)

在超(chao)高阻、弱信號測量(liang)過程中、輸(shu)入偏(pian)置電(dian)流和泄漏電(dian)流都(dou)會(hui)引起測(ce)量誤差(cha)。同時電(dian)網(wang)中大量(liang)使用變(bian)頻(pin)器(qi)等高頻(pin)、高功(gong)率(lv)設備，將對電(dian)網(wang)造(zao)成(cheng)諧(xie)波(bo)幹擾(rao)。以致影(ying)響弱信號的采集，華測(ce)儀器(qi)公(gong)司(si)推出的(de)抗(kang)幹擾(rao)模塊(kuai)以(yi)及(ji)用新(xin)測試(shi)分(fen)析技術(shu),實現了(le)高達1fA(10-15 A)的測量分(fen)辨率(lv),從(cong)而(er)滿足了(le)很(hen)多(duo)半(ban)導(dao)體(ti),功能材料(liao)和納(na)米(mi)器(qi)件(jian)的測試(shi)需(xu)求。

2、消(xiao)除不規(gui)則(ze)輸(shu)入的(de)自(zi)動平(ping)均(jun)值功能,更強(qiang)數(shu)據處理及(ji)內(nei)部屏蔽

自(zi)動平(ping)均(jun)值是檢(jian)測電(dian)流的變(bian)化，並(bing)自(zi)動將其進行(xing)平(ping)均(jun)化的(de)功(gong)能， 在查(zha)看(kan)測量(liang)結(jie)果(guo)的(de)同時不需(xu)要改(gai)變設置。通(tong)過自(zi)動排(pai)除充(chong)電(dian)電(dian)流的過渡響(xiang)應(ying)時(shi)或接觸不穩定導(dao)致偏(pian)差(cha)較大。電(dian)流輸(shu)入端(duan)口全新(xin)采用大(da)口(kou)徑三軸連(lian)接器(qi)，是將內部(bu)屏蔽連接至GUARD(COM)線(xian)，外部(bu)屏蔽連接至GROUND的3層(ceng)同軸設計。兼顧抗(kang)幹擾(rao)的穩定性(xing)和高壓(ya)檢(jian)查(zha)時(shi)的安(an)全性(xing)。

3、更強(qiang)大(da)的操(cao)作(zuo)軟件(jian)

測試(shi)系(xi)統的軟件(jian)平(ping)臺(tai) Huacepro ，基(ji)於labview系(xi)統開(kai)發(fa)，符(fu)合功能材料(liao)的各(ge)項(xiang)測試需(xu)求，具(ju)備強(qiang)大(da)的穩定性(xing)與操(cao)作(zuo)安(an)全性(xing)，並(bing)具(ju)備斷(duan)電(dian)資(zi)料(liao)的(de)保(bao)存功(gong)能，圖像資料(liao)也可(ke)保(bao)存恢(hui)復(fu)。支持(chi)新(xin)的國(guo)際(ji)標準(zhun)，兼容XP、win7、win10系(xi)統。

4、更強(qiang)大(da)的硬件(jian)配(pei)置

5、可擴(kuo)展的(de)測(ce)量(liang)模式

產品曲(qu)線(xian)：

產品參數：

設備型(xing)號：HC-TSC

溫度(du)範圍(wei)：-185 ~ 600°C

控溫精度：±0.25°C

升(sheng)溫斜率(lv)：10°C/min（可設定）

測試(shi)頻率(lv)：最大(da)電(dian)壓(ya)：±10kV

加熱方(fang)式：直(zhi)流電(dian)極(ji)加熱

冷卻(que)方(fang)式：水(shui)冷

樣品(pin)尺寸：φ＜25mm，d＜4mm

電(dian)極(ji)材料(liao)：黃銅或銀(yin);

夾具(ju)輔助(zhu)材料(liao) ：99氧(yang)化鋁(lv)陶(tao)瓷

低(di)溫(wen)制(zhi)冷(leng)：液氮

測試(shi)功能 ：TSDC

數據(ju)傳(chuan)輸(shu)：RS-232  

設備尺寸 ：180 x 210 x 50mm