電介質(zhi)充(chong)放電測(ce)試(shi)系(xi)統

華測(ce)電介質(zhi)充(chong)放電測(ce)試(shi)系(xi)統

Huace-DCS10KV

電介質(zhi)充(chong)放電測(ce)試(shi)系(xi)統產品介(jie)紹(shao)：

Huace-DCS10KV主要(yao)用於(yu)研(yan)究(jiu)介(jie)電儲(chu)能(neng)材料高電壓放電性能。目前常(chang)規的(de)方(fang)法是通過(guo)電滯回(hui)線(xian)計(ji)算(suan)高壓下電介質(zhi)的(de)能量密(mi)度，測(ce)試(shi)時(shi)，樣品的電荷(he)是放回(hui)到高壓源(yuan)上，而(er)不是(shi)釋放到負載上，通過(guo)電滯回(hui)線(xian)測(ce)得(de)的(de)儲(chu)能(neng)密(mi)度壹般會大於(yu)樣品實際(ji)釋放的能量(liang)密(mi)度，無(wu)法正確(que)評(ping)估(gu)電介質(zhi)材料的(de)正(zheng)常(chang)放電性能。華測(ce)Huace-DCS10KV儲(chu)能(neng)電介質(zhi)充(chong)放電系統(tong)采(cai)用專(zhuan)門設計(ji)的(de)電容放(fang)電電路來測(ce)量(liang)，測(ce)試(shi)電路如下圖(tu)所示。在(zai)該(gai)電路中，首(shou)先將介電膜充(chong)電到給定電壓，之後通過(guo)閉合(he)高速MOS高壓開關，存(cun)儲(chu)在(zai)電容器(qi)膜(mo)中的(de)能(neng)量(liang)被(bei)放(fang)電到電阻器(qi)負(fu)載的原理(li)設計(ji)開發(fa)，更符(fu)合(he)電介質(zhi)充(chong)放電原理(li)。

主要(yao)參(can)數：

1、電流探(tan)頭(tou)帶寬：120MHz；

2、峰值(zhi)電流：0-100A，150 A(多(duo)種(zhong)電流可監測(ce)）；

3、電流采(cai)集精度：1mA；

4、高壓源(yuan)模(mo)塊(kuai)：3KV，5KV， 10kV，15KV多(duo)可選（電流：0-5mA）；

5、開關適(shi)用：100萬(wan)次，耐壓15kV；

6、溫控(kong)範圍(wei)：0-200℃；

7、溫度穩(wen)定性和精度：0.1℃；

8、測(ce)試(shi)樣(yang)品：薄(bo)膜(mo)，厚膜(mo)，陶(tao)瓷，玻(bo)璃等；

9、可以配合(he)各(ge)種(zhong)極(ji)化(hua)設備(bei)進(jin)行(xing)多(duo)種(zhong)壓電材料和(he)介(jie)電材料的(de)測(ce)試(shi)。

產品優(you)勢 ：

1、本(ben)系統(tong)采用特(te)殊(shu)高壓開關，通(tong)過(guo)單刀(dao)雙(shuang)擲(zhi)控(kong)制充(chong)電和放(fang)電過(guo)程，開關可以承(cheng)受(shou)10kV高壓，寄生(sheng)電容小，動作(zuo)時(shi)間短；

2、電壓10kV，電流5mA；

3、可外接(jie)高壓放大(da)器或(huo)高壓直流電源(yuan)；

4、通過(guo)電流探(tan)頭(tou)檢(jian)測(ce)放(fang)電電流，可達100A；

5、可以實現欠阻(zu)尼(ni)和(he)過(guo)阻尼(ni)兩(liang)種(zhong)測(ce)試(shi)模(mo)式(shi)，欠阻(zu)尼(ni)測(ce)試(shi)時(shi)，放電回路短路，不使(shi)用電阻負(fu)載(zai)，過(guo)阻尼(ni)測(ce)試(shi)時(shi)，使(shi)用較(jiao)大的(de)高精度無(wu)感(gan)電阻作(zuo)為(wei)放(fang)電負載(zai)；

6、可以作(zuo)為(wei)壹(yi)個信號(hao)源(yuan)，產生(sheng)任(ren)意波(bo)形；

7、通過(guo)示波(bo)器(qi)采(cai)集數據(ju)，並(bing)能直接(jie)計(ji)算(suan)儲(chu)能(neng)密(mi)度；

8、定制載樣平臺(tai)，可適用於(yu)陶瓷和薄(bo)膜(mo)樣(yang)品測(ce)試(shi)；

9、可以進(jin)行(xing)變溫測(ce)試(shi)，RT~200℃；

10、可以進(jin)行(xing)疲(pi)勞(lao)測(ce)試(shi)；

11、還可用於(yu)極(ji)化(hua)材料之用。

儲(chu)能(neng)電介電放電行為(wei):

華測(ce)Huace-DCS10KV儲(chu)能(neng)電介質(zhi)充(chong)放電系統(tong)采(cai)用專(zhuan)門設計(ji)的(de)電容放(fang)電電路來測(ce)量(liang)。在(zai)該(gai)電路中，首(shou)先將介電膜充(chong)電到給定電壓，之後通過(guo)閉合(he)高速MOS高壓開關，存(cun)儲(chu)在(zai)電容器(qi)膜(mo)中的(de)能(neng)量(liang)被(bei)放(fang)電到電阻器(qi)負(fu)載。在放(fang)電過(guo)程中電壓對樣(yang)品的(de)時(shi)間依賴(lai)性可以通過(guo)檢(jian)波器進(jin)行(xing)記(ji)錄(lu)。介電材料的(de)儲(chu)能(neng)性能通常(chang)取決於放(fang)電速度，可通過(guo)改變負載電阻器(qi)的(de)電阻來(lai)調(tiao)節(jie)。通常(chang)測(ce)試(shi)系(xi)統中裝(zhuang)了具有不(bu)同電阻的(de)電阻器(qi)。在(zai)測(ce)試(shi)過(guo)程中，用戶(hu)需(xu)要選擇電阻器(qi)或(huo)幾個電阻器(qi)的(de)組合獲(huo)得(de)得(de)所需(xu)的電阻，並(bing)將電阻器(qi)或(huo)電阻的(de)組(zu)合連接(jie)到測(ce)試(shi)的(de)電介質(zhi)材料。在(zai)該(gai)電路中，選擇高壓MOSFET開關以釋放儲(chu)存(cun)的(de)能量(liang)非(fei)常(chang)重要(yao)。該(gai)開關限(xian)制(zhi)電路的最(zui)大放(fang)電速度和最(zui)大充(chong)電電壓。本(ben)套測(ce)試(shi)系(xi)統由放電采集(ji)電路、高壓放大(da)器或(huo)高壓直流電源(yuan)和控(kong)制計(ji)算(suan)機(ji)構(gou)成(cheng)。在測(ce)試(shi)中，測(ce)試(shi)人(ren)員需(xu)要通過(guo)選擇合適(shi)的(de)電阻來(lai)確(que)定測(ce)量(liang)的(de)放(fang)電速度，測(ce)試(shi)樣(yang)品上的電壓可以由計(ji)算(suan)機(ji)自(zi)動(dong)獲(huo)得(de)。