環氧塑(su)封(feng)料TSDC測(ce)試(shi)系統(tong)

環氧塑(su)封(feng)料TSDC測(ce)試(shi)系統(tong)

功(gong)率(lv)器件有機(ji)材料(liao)環氧樹(shu)脂TSDC測(ce)試(shi)系統(tong)產(chan)品(pin)介(jie)紹(shao)：

 研究前景(jing)：

環氧塑(su)封(feng)料（EMC， Epoxy Molding Compound）是用於(yu)半導(dao)體(ti)封(feng)裝的(de)壹種熱固性(xing)化學材料(liao)，是由環氧樹(shu)脂為(wei)基(ji)體(ti) 樹(shu)脂，以(yi)高(gao)性(xing)能(neng)酚醛樹脂為(wei)固化劑，加(jia)入矽微(wei)粉(fen)等為填(tian)料，以及(ji)添(tian)加(jia)多(duo)種助劑混(hun)配(pei)而(er)成(cheng)的(de)粉(fen)狀模(mo)塑料，為(wei)後道封裝的(de)主(zhu)要原(yuan)材料(liao)之(zhi)壹，目前95%以上(shang)的(de)微(wei)電子器(qi)件(jian)都是環氧塑(su)封(feng)器件。環氧塑(su)封(feng)料具有(you)保護(hu)芯(xin)片不(bu)受(shou)外(wai)界(jie)環境(jing)的(de)影(ying)響，抵(di)抗(kang)外(wai)部(bu)溶(rong)劑、濕氣(qi)、沖擊(ji)，保證(zheng)芯(xin)片與(yu)外(wai)界(jie)環境(jing)電(dian)絕(jue)緣(yuan)等功(gong)能(neng)。環氧塑(su)封(feng)料對高功(gong)率(lv)半導(dao)體(ti)器(qi)件的(de)高(gao)溫反向偏壓（HTRB）性(xing)能(neng)有重(zhong)要控(kong)制作用。

 產(chan)品(pin)概(gai)述(shu)：

熱刺激(ji)去(qu)極(ji)化電(dian)流（TSDC）技(ji)術用於預(yu)測(ce)EMC的(de)HTRB性(xing)能(neng)。TSDC方法(fa)包括極(ji)化過(guo)程，在該(gai)過程中，電(dian)介(jie)質(zhi)樣品(pin)暴露(lu)在高(gao)電(dian)場強(qiang)度和(he)高(gao)溫(wen)環境(jing)下。在這種(zhong)情(qing)況下，電荷(he)被分離(li)並(bing)在(zai)介(jie)電(dian)材料(liao)電(dian)子(zi)元件中(zhong)移(yi)動。盡(jin)管(guan)單個TSDC信號(hao)和(he)HTRB性(xing)能(neng)之間(jian)的(de)相關(guan)性(xing)表明(ming)，極(ji)化峰(feng)值(zhi)越(yue)

高(gao)，TSDC曲線(xian)越(yue)大，而(er)HTRB性(xing)能(neng)越(yue)差(cha)，但(dan)這並(bing)不(bu)能(neng)wanquan解(jie)釋(shi)EMC在發出強(qiang)放(fang)電(dian)信號(hao)時(shi)的(de)某(mou)些故障。因此，弛(chi)豫(yu)時(shi)間是解(jie)釋(shi)外(wai)層(ceng)HTRB失(shi)效樣本(ben)的(de)另(ling)壹個關(guan)鍵參(can)數。

關(guan)於(yu)環氧塑(su)封(feng)料（EMC， Epoxy Molding Compound）TSDC測(ce)試(shi)技術，為(wei)華測(ce)公司在(zai)國(guo)內最(zui)早(zao)提及目前已被廣(guang)泛(fan)應(ying)用(yong)到更(geng)多(duo)的(de)半(ban)導(dao)體(ti)封(feng)裝材料(liao)及(ji)半(ban)導(dao)體(ti)生(sheng)產(chan)研發企業(ye)。已證(zheng)明(ming)此測(ce)試(shi)方式(shi)是有效的(de)，同時(shi)加(jia)速(su)國產(chan)化(hua)IGBT、MOSFET等功(gong)率(lv)器件的(de)研發。如無錫凱(kai)華、中科科化、飛凱(kai)材料(liao)等企業(ye)。

 應(ying)用場景(jing)：

材料(liao)研發與性(xing)能(neng)評估(gu)：介(jie)電(dian)材料(liao)研究、絕(jue)緣(yuan)材料(liao)評(ping)估(gu)、半(ban)導(dao)體(ti)材料(liao)分析(xi)；電子(zi)元器(qi)件與封裝(zhuang)技(ji)術：元(yuan)器(qi)件(jian)可(ke)靠(kao)性(xing)測(ce)試(shi)、封裝材料(liao)選(xuan)擇(ze)、封(feng)裝工(gong)藝(yi)優(you)化(hua)；電(dian)力與能(neng)源(yuan)領域(yu)：電(dian)力設備(bei)絕(jue)緣(yuan)監(jian)測(ce)、儲(chu)能(neng)材料(liao)研究；其(qi)他(ta)領域(yu)：生(sheng)物分子(zi)材料(liao)研究、環境(jing)監(jian)測(ce)與(yu)保護(hu)；半導(dao)體(ti)封(feng)裝材料(liao)高(gao)壓TSDC熱刺激(ji)測(ce)試(shi)系統(tong)在材料(liao)研發、電子元(yuan)器(qi)件(jian)與封(feng)裝技(ji)術(shu)、電力與能(neng)源(yuan)領域(yu)以(yi)及其他(ta)多(duo)個領域(yu)都(dou)具有廣(guang)泛(fan)的(de)應(ying)用前景(jing)。隨(sui)著技(ji)術(shu)的(de)不(bu)斷(duan)發(fa)展(zhan)，TSDC測(ce)試(shi)系統(tong)將在(zai)更(geng)多(duo)領域(yu)發(fa)揮重(zhong)要作用。

產(chan)品(pin)原(yuan)理：

TSDC是壹種研究電(dian)荷(he)存儲(chu)特(te)性(xing)的(de)實(shi)驗技術(shu)，用(yong)於確定(ding)初(chu)始(shi)電(dian)荷(he)和(he)捕(bu)獲(huo)電荷的(de)活(huo)化(hua)能(neng)以及(ji)弛(chi)豫(yu)，該(gai)方法(fa)包括壹個極(ji)化過(guo)程，其中(zhong)介(jie)電(dian)樣品(pin)在高溫下暴露(lu)於高(gao)電(dian)場強(qiang)度下。在此之後，試樣在(zai)外(wai)加(jia)電(dian)場(chang)的(de)作用下迅速(su)進行冷卻。以(yi)這種(zhong)方(fang)式(shi)，電(dian)荷(he)被(bei)分離(li)並(bing)固定(ding)在介(jie)電(dian)材料(liao)駐(zhu)極(ji)體(ti)內。然(ran)後進行升溫將(jiang)駐(zhu)極(ji)體(ti)內的(de)電(dian)荷進行釋放(fang)，同時(shi)配(pei)合測(ce)量(liang)儀(yi)器(qi)進(jin)行測(ce)量(liang)，並(bing)為(wei)科研人員(yuan)進(jin)行分析(xi)。通過(guo)TSDC測(ce)試(shi)方法(fa)研究了(le)EMC對功(gong)率(lv)半導(dao)體(ti)HTRB可(ke)靠(kao)性(xing)的(de)影(ying)響，了(le)解(jie)到(dao)EMC在高溫、高(gao)壓條(tiao)件下會發生(sheng)電(dian)極(ji)化或電取(qu)向。此外(wai)，依賴於(yu)在(zai)相應(ying)的(de)冷(leng)卻環境(jing)中(zhong)維(wei)持(chi)其(qi)極(ji)化狀(zhuang)態(tai)，它(ta)會幹擾MOS-FET半導(dao)體(ti)中(zhong)反轉(zhuan)層(ceng)的(de)正(zheng)常形成(cheng)。通過(guo)TSDC試驗(yan)，我們還了(le)解(jie)了(le)在可(ke)靠(kao)性(xing)測(ce)試(shi)中由於應用(yong)條(tiao)件而(er)導(dao)致的(de)材料(liao)內部極(ji)化電(dian)荷的(de)數(shu)量也是壹個重(zhong)要的(de)影(ying)響因素(su)。

1、消(xiao)除(chu)電(dian)網(wang)諧波(bo)對采集(ji)精度的(de)影(ying)響

在(zai)超高(gao)阻(zu)、弱(ruo)信號(hao)測(ce)量(liang)過程中、輸入偏(pian)置(zhi)電流和(he)泄(xie)漏(lou)電(dian)流都(dou)會引起測(ce)量(liang)誤差(cha)。同時(shi)電網中大量(liang)使(shi)用變頻器(qi)等高頻、高(gao)功(gong)率(lv)設備(bei)，將(jiang)對電網造(zao)成(cheng)諧波(bo)幹擾(rao)。以(yi)致(zhi)影響弱(ruo)信號(hao)的(de)采集(ji)，華測(ce)儀(yi)器(qi)公司推(tui)出的(de)抗(kang)幹擾模(mo)塊以及(ji)用(yong)新(xin)測(ce)試(shi)分析(xi)技術(shu),實現(xian)了高(gao)達1fA(10-15 A)的(de)測(ce)量(liang)分辨(bian)率(lv),從而(er)滿足(zu)了很多(duo)半導(dao)體(ti),功(gong)能(neng)材料(liao)和(he)納(na)米(mi)器(qi)件(jian)的(de)測(ce)試(shi)需(xu)求(qiu)。

2、消(xiao)除(chu)不(bu)規則輸入的(de)自(zi)動平(ping)均值(zhi)功(gong)能(neng),更(geng)強(qiang)數(shu)據(ju)處(chu)理(li)及內部屏蔽

自(zi)動平(ping)均值(zhi)是檢測(ce)電(dian)流的(de)變化，並(bing)自(zi)動將其進(jin)行平(ping)均化的(de)功(gong)能(neng)， 在(zai)查看(kan)測(ce)量(liang)結(jie)果的(de)同時(shi)不(bu)需(xu)要(yao)改(gai)變設置(zhi)。通過(guo)自動(dong)排(pai)除(chu)充(chong)電電流的(de)過(guo)渡(du)響應(ying)時(shi)或接觸(chu)不(bu)穩(wen)定(ding)導(dao)致偏差(cha)較(jiao)大。電(dian)流輸入端(duan)口全新(xin)采用(yong)大口徑(jing)三(san)軸連(lian)接器(qi)，是將內部屏蔽連(lian)接至GUARD(COM)線(xian)，外(wai)部(bu)屏蔽連(lian)接至GROUND的(de)3層(ceng)同軸設計(ji)。兼顧(gu)抗(kang)幹擾(rao)的(de)穩(wen)定(ding)性(xing)和(he)高(gao)壓檢(jian)查時(shi)的(de)安(an)全性(xing)。

3、更(geng)強(qiang)大的(de)操作軟件

測(ce)試(shi)系統(tong)的(de)軟(ruan)件平(ping)臺 Huacepro ，基於labview系統(tong)開發(fa)，符合功(gong)能(neng)材料(liao)的(de)各(ge)項測(ce)試(shi)需(xu)求(qiu)，具(ju)備(bei)強(qiang)大的(de)穩(wen)定(ding)性(xing)與操作安(an)全性(xing)，並(bing)具(ju)備(bei)斷(duan)電(dian)資(zi)料的(de)保存功(gong)能(neng)，圖像資料(liao)也可(ke)保存恢(hui)復。支(zhi)持新的(de)國(guo)際(ji)標(biao)準(zhun)，兼容(rong)XP、win7、win10系統(tong)。

4、更(geng)強(qiang)大的(de)硬(ying)件配(pei)置(zhi)

5、可(ke)擴(kuo)展(zhan)的(de)測(ce)量(liang)模(mo)式(shi)

產(chan)品(pin)曲線(xian)：

產(chan)品(pin)參(can)數：

設(she)備(bei)型(xing)號(hao)：HC-TSC

溫(wen)度範(fan)圍(wei)：-185 ~ 600°C

控(kong)溫精度：±0.25°C

升溫斜率：10°C/min（可(ke)設定(ding)）

測(ce)試(shi)頻率：最(zui)大電(dian)壓：±10kV

加(jia)熱方式(shi)：直(zhi)流電(dian)極(ji)加(jia)熱

冷(leng)卻方(fang)式(shi)：水(shui)冷

樣品(pin)尺寸：φ＜25mm，d＜4mm

電(dian)極(ji)材料(liao)：黃(huang)銅或銀;

夾(jia)具輔(fu)助(zhu)材料(liao) ：99氧(yang)化鋁(lv)陶(tao)瓷

低溫制冷(leng)：液(ye)氮(dan)

測(ce)試(shi)功(gong)能(neng) ：TSDC

數(shu)據(ju)傳(chuan)輸：RS-232  

設(she)備(bei)尺寸 ：180 x 210 x 50mm

環氧塑(su)封(feng)料TSDC測(ce)試(shi)系統(tong)

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