儲(chu)能(neng)電介(jie)質(zhi)充放電測(ce)試(shi)系統/檢測(ce)設備(bei)

     目(mu)前常規的方(fang)法是(shi)通過電滯回(hui)線(xian)計(ji)算(suan)高壓下(xia)電介(jie)質(zhi)的能(neng)量(liang)密(mi)度，測(ce)試(shi)時，樣(yang)品的(de)電荷是(shi)放回(hui)到(dao)高壓源(yuan)上(shang)，而不(bu)是(shi)釋(shi)放到負載上(shang)，通過電滯回(hui)線(xian)測(ce)得的(de)儲(chu)能(neng)密(mi)度壹般(ban)會大(da)於(yu)樣(yang)品實(shi)際(ji)釋(shi)放的能(neng)量(liang)密(mi)度，無法(fa)正確評(ping)估(gu)電介(jie)質(zhi)材料(liao)的(de)正常放(fang)電。

     儲(chu)能(neng)電介(jie)質(zhi)充放電測(ce)試(shi)系統采用特殊高壓開(kai)關，通過單刀雙擲控制(zhi)充電和放電過(guo)程，開(kai)關可以承受(shou)10kV高壓，寄(ji)生電容(rong)小(xiao)，動作(zuo)時間短(duan)；

內(nei)置直流(liu)高壓模(mo)塊，電壓(ya)可達(da)10kV，電流(liu)6mA；

通(tong)過(guo)電流(liu)探頭(tou)監(jian)測(ce)放電電流(liu)，可達(da)100A；

可以實(shi)現欠阻尼(ni)和過阻尼(ni)兩種(zhong)測(ce)試(shi)模(mo)式(shi)，欠阻尼(ni)測(ce)試(shi)時，放電回(hui)路(lu)短(duan)路(lu)，不(bu)使用電阻(zu)負載，過阻尼(ni)測(ce)試(shi)時，使用較大(da)的無感(gan)電阻(zu)作(zuo)為放電負載；

通(tong)過(guo)示波器(qi)采集(ji)數據，並(bing)能(neng)直接計(ji)算(suan)儲(chu)能(neng)密(mi)度；

定(ding)制(zhi)載樣(yang)平(ping)臺，適(shi)用(yong)於(yu)陶瓷和薄膜樣(yang)品測(ce)試(shi)；

可以變(bian)溫測(ce)試(shi)，RT-250℃；

可以疲勞(lao)測(ce)試(shi)。

►主(zhu)要(yao)參(can)數

產(chan)品(pin)名稱： 儲(chu)能(neng)電介(jie)質(zhi)充放電測(ce)試(shi)系統

型(xing)號：HCCF-10KV

電流(liu)探頭(tou)帶(dai)寬：120MHz

峰(feng)值(zhi)電流(liu)：100A

電流(liu)采集(ji)jing度：1mA

高壓源(yuan)模(mo)塊：DC 10kV（6mA）

開(kai)關適用：100萬次，耐(nai)壓至15kV

溫(wen)控範圍：RT-250℃

溫(wen)度穩(wen)定性(xing)和jing度：0.1℃

測(ce)試(shi)樣(yang)品：薄膜，厚(hou)膜(mo)，陶瓷，玻璃(li)等

►配(pei)置

控制(zhi)主(zhu)機(ji)（含10kV高壓源(yuan)模(mo)塊）  1臺  

電流(liu)探頭(tou)  1根(gen)

示波器(qi)（350M 5GSa/s）1臺 可選配(pei)

電腦主(zhu)機(ji)（含數據采(cai)集(ji)系統）1臺 可選配(pei)

儲(chu)能(neng)電介(jie)質(zhi)充放電測(ce)試(shi)系統/檢測(ce)設備(bei)

儲(chu)能(neng)電介(jie)質(zhi)充放電測(ce)試(shi)系統/檢測(ce)設備(bei)