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          • HCDJC—100KV介(jie)電(dian)擊穿電(dian)壓試(shi)驗(yan)儀
            HCDJC—100KV介電(dian)擊穿電(dian)壓試(shi)驗(yan)儀

            更新(xin)時(shi)間(jian):2025-01-08

            型(xing)號(hao):HCDJC—100KV

            瀏覽(lan)量(liang):2198

            介(jie)電(dian)擊穿電(dian)壓試(shi)驗(yan)儀內部(bu)采用(yong)電(dian)磁屏(ping)蔽處(chu)理,減少幹(gan)擾。設(she)計(ji)技(ji)術(shu),簡(jian)單(dan)人(ren)性化(hua)。,。主要(yao)適(shi)用於(yu)固(gu)體絕緣材(cai)料(如(ru):塑料、橡(xiang)膠、層(ceng)壓材(cai)料、薄膜、樹脂、雲母(mu)、陶(tao)瓷、玻(bo)璃、絕緣漆等絕緣材(cai)料及絕緣件(jian))在工(gong)頻(pin)電(dian)壓或(huo)直(zhi)流(liu)電(dian)壓下(xia)擊(ji)穿強(qiang)度(du)和(he)耐電(dian)壓的(de)測(ce)試(shi)。
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          • HCDJC—100KV華測(ce)工(gong)頻(pin)擊(ji)穿電(dian)壓試(shi)驗(yan)設(she)備(bei)
            HCDJC—100KV華(hua)測(ce)工(gong)頻(pin)擊(ji)穿電(dian)壓試(shi)驗(yan)設(she)備(bei)

            更新(xin)時(shi)間(jian):2025-01-08

            型(xing)號(hao):HCDJC—100KV

            瀏覽(lan)量(liang):2511

            華(hua)測(ce)工(gong)頻(pin)擊(ji)穿電(dian)壓試(shi)驗(yan)設(she)備(bei),內(nei)部(bu)采用(yong)電(dian)磁屏(ping)蔽處(chu)理,減少幹(gan)擾。設(she)計(ji)技(ji)術(shu),簡(jian)單(dan)人(ren)性化(hua)。主要(yao)適(shi)用於(yu)固(gu)體絕緣材(cai)料(如(ru):塑料、橡(xiang)膠、層(ceng)壓材(cai)料、薄膜、樹脂、雲母(mu)、陶(tao)瓷、玻(bo)璃、絕緣漆等絕緣材(cai)料及絕緣件(jian))在工(gong)頻(pin)電(dian)壓或(huo)直(zhi)流(liu)電(dian)壓下(xia)擊(ji)穿強(qiang)度(du)和(he)耐電(dian)壓的(de)測(ce)試(shi)。
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          • HCDJC-100KV耐電(dian)壓強(qiang)度(du)試(shi)驗(yan)儀
            HCDJC-100KV耐電(dian)壓強(qiang)度(du)試(shi)驗(yan)儀

            更新(xin)時(shi)間(jian):2025-01-08

            型(xing)號(hao):HCDJC-100KV

            瀏覽(lan)量(liang):2078

            耐(nai)電(dian)壓強(qiang)度(du)試(shi)驗(yan)儀采用(yong)計(ji)算(suan)機控(kong)制(zhi),試(shi)驗(yan)過程(cheng)中可(ke)在(zai)線觀察試(shi)驗(yan)曲(qu)線;自(zi)動存(cun)儲(chu)試(shi)驗(yan)條(tiao)件(jian)及試(shi)驗(yan)結(jie)果等(deng)數據,並可(ke)存(cun)取、顯(xian)示、打印。本試(shi)驗(yan)機采(cai)用(yong)立式箱體結(jie)構(gou),極大(da)的(de)節省試(shi)驗(yan)室(shi)內占(zhan)地空(kong)間(jian),地腳(jiao)采用滑(hua)輪結(jie)構(gou),方便(bian)移(yi)動和(he)擺放(fang),安(an)放(fang)時(shi)需要(yao)另配(pei)安(an)裝臺(tai)的情況(kuang)。
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          • HCLD-3產品*可(ke)靠(kao)漏(lou)電(dian)起痕(hen)試(shi)驗(yan)機測(ce)試(shi)儀器
            HCLD-3產(chan)品*可(ke)靠(kao)漏(lou)電(dian)起痕(hen)試(shi)驗(yan)機測(ce)試(shi)儀器

            更新(xin)時(shi)間(jian):2023-08-29

            型(xing)號(hao):HCLD-3

            瀏覽(lan)量(liang):1968

            產(chan)品*可(ke)靠(kao)漏(lou)電(dian)起痕(hen)試(shi)驗(yan)機測(ce)試(shi)儀器HCLD-III為(wei)華測(ce)公司2013年重點(dian)科研產品之壹,高壓漏(lou)電(dian)試(shi)驗(yan)儀采用(yong)控制系統精(jing)度(du)高,擯棄了(le)現有的(de)低(di)壓切(qie)斷原(yuan)原理,采用(yong)高壓真(zhen)空(kong)切(qie)斷技(ji)術,使試(shi)驗(yan)過程(cheng)合理。采用(yong)5組(zu)電(dian)流(liu)傳(chuan)感器用以控制每組(zu)試(shi)驗(yan)的(de)高壓切(qie)斷,使數(shu)據采(cai)集(ji)精(jing)確(que),同時(shi)本設備(bei)采(cai)用電(dian)力(li)系統過壓過流(liu)保(bao)護(hu)裝(zhuang)置,使儀器。
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          • HCLD-3高壓漏(lou)電(dian)起痕(hen)試(shi)驗(yan)機符合國(guo)標(biao)GB/T6553-2003
            HCLD-3高壓漏(lou)電(dian)起痕(hen)試(shi)驗(yan)機符合國(guo)標(biao)GB/T6553-2003

            更新(xin)時(shi)間(jian):2025-09-18

            型(xing)號(hao):HCLD-3

            瀏覽(lan)量(liang):2088

            高壓漏(lou)電(dian)起痕(hen)試(shi)驗(yan)機符合國(guo)標(biao)GB/T6553-2003,高壓漏(lou)電(dian)試(shi)驗(yan)儀采用(yong)控制系統,擯棄了(le)現有的(de)低(di)壓切(qie)斷原(yuan)原理,采用(yong)高壓真(zhen)空(kong)切(qie)斷技(ji)術,使試(shi)驗(yan)過程(cheng)合理。采用(yong)5組(zu)電(dian)流(liu)傳(chuan)感器用以控制每組(zu)試(shi)驗(yan)的(de)高壓切(qie)斷,使數(shu)據采(cai)集(ji)精(jing)確(que),同時(shi)本設備(bei)采(cai)用電(dian)力(li)系統過壓過流(liu)保(bao)護(hu)裝(zhuang)置。
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          • HCLD-III固體絕緣材(cai)料漏(lou)電(dian)起痕(hen)試(shi)驗(yan)機
            HCLD-III固(gu)體絕緣材(cai)料漏(lou)電(dian)起痕(hen)試(shi)驗(yan)機

            更新(xin)時(shi)間(jian):2024-06-13

            型(xing)號(hao):HCLD-III

            瀏覽(lan)量(liang):1856

            固(gu)體絕緣材(cai)料漏(lou)電(dian)起痕(hen)試(shi)驗(yan)機,測(ce)試(shi)儀器HCLD-III適(shi)用於對電(dian)工(gong)電(dian)子(zi)產(chan)品、家用電(dian)器及其(qi)材(cai)料進(jin)行耐電(dian)痕(hen)化(hua)和(he)蝕(shi)損(sun)的(de)試(shi)驗(yan),模擬(ni)在(zai)工(gong)頻(pin)(48Hz - 62Hz)下(xia),用液體汙染(ran)物(wu)和(he)斜面試(shi)樣(yang),通(tong)過耐(nai)電(dian)痕(hen)化(hua)和(he)蝕(shi)損(sun)的(de)測(ce)量(liang)評(ping)定(ding)環境(jing)條(tiao)件(jian)下(xia)使用(yong)的(de)電(dian)氣(qi)絕緣材(cai)料的(de)耐(nai)電(dian)痕(hen)化(hua)和(he)蝕(shi)損(sun)等(deng)級。
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          • HCLD-III電(dian)氣(qi)絕緣材(cai)料漏(lou)電(dian)起痕(hen)測(ce)試(shi)儀
            HCLD-III電(dian)氣(qi)絕緣材(cai)料漏(lou)電(dian)起痕(hen)測(ce)試(shi)儀

            更新(xin)時(shi)間(jian):2024-06-13

            型(xing)號(hao):HCLD-III

            瀏覽(lan)量(liang):2050

            電(dian)氣(qi)絕緣材(cai)料漏(lou)電(dian)起痕(hen)測(ce)試(shi)儀,HCLD-III適用(yong)於對電(dian)工(gong)電(dian)子(zi)產(chan)品、家用電(dian)器及其(qi)材(cai)料進(jin)行耐電(dian)痕(hen)化(hua)和(he)蝕(shi)損(sun)的(de)試(shi)驗(yan),模擬(ni)在(zai)工(gong)頻(pin)(48Hz - 62Hz)下(xia),用液體汙染(ran)物(wu)和(he)斜面試(shi)樣(yang),通(tong)過耐(nai)電(dian)痕(hen)化(hua)和(he)蝕(shi)損(sun)的(de)測(ce)量(liang)評(ping)定(ding)在(zai)嚴酷(ku)環境(jing)條(tiao)件(jian)下(xia)使用(yong)的(de)電(dian)氣(qi)絕緣材(cai)料的(de)耐(nai)電(dian)痕(hen)化(hua)和(he)蝕(shi)損(sun)等(deng)級。本機是(shi)嚴格按照(zhao)GB/T6553-2003 及 IEC60587-1984設(she)計(ji)制(zhi)造。
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