半導體(ti)封(feng)裝(zhuang)材料(liao)絕(jue)緣(yuan)診斷分析儀(yi)/測(ce)試系統

半(ban)導體(ti)封(feng)裝(zhuang)材料(liao)絕(jue)緣(yuan)診斷分析儀(yi)/測(ce)試系統

壹(yi)、半導體(ti)封(feng)裝(zhuang)材料(liao)絕(jue)緣(yuan)診斷分析儀(yi)/測(ce)試系統產(chan)品(pin)描(miao)述(shu)

  FDS 2000是壹(yi)臺(tai)非常(chang)緊(jin)湊(cou)的設(she)備，需另(ling)配電(dian)腦(nao)進(jin)行(xing)操(cao)作。

  FDS 2000絕(jue)緣(yuan)診斷分析儀(yi)是基於電(dian)介(jie)質介(jie)電(dian)響(xiang)應(ying)理(li)論，該(gai)儀(yi)器(qi)的測(ce)試頻率(lv)範圍(wei)為1mHz-1kHz，且在低(di)頻範圍(wei)內可(ke)以選用(yong)快(kuai)速(su)測(ce)試方(fang)式， 大幅(fu)減(jian)少(shao)實驗(yan)室測(ce)量時(shi)的等待(dai)時間(jian)及(ji)現(xian)場(chang)測(ce)量的停(ting)電(dian)時(shi)間(jian)。

  FDS 2000絕(jue)緣(yuan)診斷分析儀(yi)需要配(pei)合電(dian)腦(nao)進(jin)行(xing)操(cao)作， 用(yong)戶(hu)操(cao)作界面清晰(xi)，直觀(guan)。用(yong)戶(hu)在輸入(ru)參數後，可(ke)以壹(yi)鍵得到(dao)測(ce)試曲(qu)線及(ji)評(ping)估(gu)診斷結果。

二、半(ban)導體(ti)封(feng)裝(zhuang)材料(liao)絕(jue)緣(yuan)診斷分析儀(yi)/測(ce)試系統主(zhu)要功能(neng)

1.絕(jue)緣(yuan)材料(liao)頻域(yu)介(jie)電(dian)響(xiang)應(ying)測(ce)試

當前(qian)研(yan)究中(zhong)，溫度、水分(fen)含(han)量、雜質(zhi)離子(zi)濃度等因素(su)對絕(jue)緣(yuan)材料(liao)的介(jie)電(dian)特(te)性影(ying)響(xiang)機(ji)理(li)的解釋並(bing)不完 善(shan)，因此(ci)需(xu)要合(he)理(li)的介(jie)電(dian)響(xiang)應(ying)特(te)性仿真和(he)實驗(yan)分析。

2.絕(jue)緣(yuan)系統狀態評(ping)估(gu)與診斷

作(zuo)出設(she)備維護(hu)或(huo)換(huan)決定時(shi)，需要得到(dao)足(zu)夠的絕(jue)緣(yuan)狀態(tai)信息(xi)和設(she)備的預期(qi)負(fu)載(zai)情況(kuang)。在絕(jue)緣(yuan)材料(liao)、變(bian)壓器(qi)、發(fa)電(dian)機(ji)或(huo)電(dian)纜(lan)設(she)計壽命(ming)快(kuai)到時(shi)，通(tong)過可(ke)靠(kao)的絕(jue)緣(yuan)診斷和負(fu)載(zai)管理(li)，額(e)外增(zeng)加(jia)數年運行時(shi)間(jian)可(ke)節(jie)省大量(liang)資(zi)金。

3.絕(jue)緣(yuan)系統在任意電(dian)壓激(ji)勵(li)下(xia)的介(jie)電(dian)響(xiang)應(ying)測(ce)試

根據(ju)需要(yao)自(zi)定(ding)義輸出任(ren)意(yi)電(dian)壓波形(xing)激(ji)勵(li)，滿足對不同條件(jian)下(xia)不(bu)同絕(jue)緣(yuan)材料(liao)不同方面的測(ce)試需(xu)求，好(hao)地適(shi)應(ying)用(yong)戶(hu)需(xu)求。

♦多(duo)功能(neng)測(ce)試儀(yi)除了進(jin)行(xing)油(you)浸(jin)式變(bian)壓器(qi)的水分(fen)分(fen)析以外，IFDS多(duo)功能(neng)測(ce)試儀(yi)還可(ke)以測(ce)試套(tao)管和其(qi)它(ta)電(dian)力設(she)備，功能(neng)包(bao)括(kuo)：

介(jie)損測(ce)量

電(dian)容測(ce)量

高壓環測(ce)試

升壓測(ce)試

直流(liu)絕(jue)緣(yuan)電(dian)阻(zu)測(ce)試（絕(jue)緣(yuan)電(dian)阻(zu)、吸收(shou)比、極(ji)化(hua)指數）

勵磁(ci)電(dian)流(liu)測(ce)量

IFDS的大測(ce)試電(dian)壓是500 V(DC/AC峰(feng)值(zhi))，使(shi)用(yong)選(xuan)配(pei)的TREK放大器(qi)，大(da)測(ce)試電(dian)壓可(ke)達(da)2 kV(DC/AC 峰(feng)值(zhi))。

三(san)、半導體(ti)封(feng)裝(zhuang)材料(liao)絕(jue)緣(yuan)診斷分析儀(yi)/測(ce)試系統主(zhu)要參數工(gong)作(zuo)環境

應(ying)用(yong)場(chang)合(he)：儀器(qi)適(shi)用(yong)於實驗(yan)室絕(jue)緣(yuan)材料(liao)研究和(he)多(duo)種工(gong)業(ye)環境

環境溫度：0～+40℃

相(xiang)對濕度：0%～85%，不凝結(jie)大(da)氣壓力：70～106Kpa

海拔(ba)高(gao)度：≤2000m

其(qi)他：無(wu)振動(dong)、無塵(chen)埃(ai)、無腐蝕(shi)性氣(qi)體(ti)、無可(ke)燃(ran)性氣(qi)體(ti)、無油霧(wu)、水蒸氣(qi)、滴(di)水或(huo)鹽分等

常(chang)規

電(dian)源(yuan)電(dian)壓：220V±10%，50Hz

功率(lv)：40VA（MAX）

信號采集(ji)率(lv)：52.1kS/s（MAX高），分辨率(lv)24位

頻域(yu)介(jie)電(dian)譜測(ce)試頻率(lv)範圍(wei)：1mHz-1kHz

測(ce)量時(shi)間(jian)：掃頻模式(shi)約40min，快(kuai)速(su)模(mo)式(shi)約12min

尺寸(cun)：400×400×105mm

測(ce)量單(dan)元(yuan)

端口：INPUT，OUTPUT，采集(ji)，通(tong)訊，接(jie)地

輸出電(dian)壓幅(fu)值(zhi)範(fan)圍(wei)：0-500V，電(dian)壓上升速(su)率(lv)150V/μs

輸出電(dian)壓直流(liu)偏(pian)置：≤1V

高壓電(dian)源(yuan)內(nei)部(bu)電(dian)容：300pF

有效(xiao)測(ce)量電(dian)流(liu)範(fan)圍(wei)：2×10-13-2×10-3A(交(jiao)流(liu)峰值(zhi))

測(ce)試絕(jue)緣(yuan)阻抗(kang)範圍(wei)：5000-1015Ω

電(dian)流(liu)測(ce)量誤(wu)差：≤1%

過流保(bao)護啟動：交(jiao)流(liu)峰值(zhi)達(da)到(dao)40mA，5ms

校(xiao)正：允許(xu)現(xian)場(chang)校(xiao)正

PC要(yao)求

操(cao)作系統：Windows 2000/XP/Vista/7/8/10

處(chu)理(li)器(qi)：Pentium 500 MHz或(huo)以上

內(nei)存：512Mb RAM或(huo)以上

接(jie)口：2個USB2.0