
當(dang)前(qian)位(wei)置:首頁 > 技術(shu)文(wen)章 > Huace650T高(gao)低(di)溫冷(leng)熱臺測試功(gong)能(neng)及配(pei)套設(she)備(bei)說(shuo)明Huace650T高(gao)低(di)溫冷(leng)熱臺測試功(gong)能(neng)及配(pei)套設(she)備(bei)說(shuo)明
壹、核心測試功(gong)能(neng)
Huace650T高(gao)低(di)溫冷(leng)熱臺作為(wei)高(gao)精(jing)度溫控(kong)實(shi)驗平臺,主要面(mian)向(xiang)材(cai)料、半(ban)導體(ti)、光學等(deng)領(ling)域的(de)溫度(du)敏(min)感(gan)性測試,核(he)心(xin)功(gong)能(neng)包(bao)括(kuo):
寬範圍(wei)溫(wen)度控(kong)制(zhi)
溫度調(tiao)節(jie)範圍(wei)覆(fu)蓋 -185℃(液氮(dan)低(di)溫)至(zhi)600℃(高(gao)溫(wen)),支(zhi)持快(kuai)速(su)升降(jiang)溫(wen)(典型(xing)速(su)率0.1~10℃/min,部分模式可(ke)達(da)20℃/min),滿(man)足惡(e)劣(lie)溫度(du)環境下的(de)樣品(pin)性(xing)能(neng)評估。
控(kong)溫(wen)精(jing)度(du)高(gao)達(da) ±0.1℃(常(chang)溫(wen)區(qu))及 ±0.5℃(惡(e)劣(lie)溫區(qu)),溫度均(jun)勻(yun)性(xing)優於(yu)±1℃(樣品(pin)區(qu)域),確(que)保(bao)實(shi)驗數據(ju)的(de)穩(wen)定(ding)性和(he)重(zhong)復(fu)性。
多場(chang)景樣品(pin)測試適配
兼容薄片、薄膜、粉(fen)末、器(qi)件(如(ru)芯片(pian)、傳感(gan)器(qi)) 等(deng)多(duo)種樣品(pin)形(xing)態(tai),樣(yang)品(pin)臺尺寸(cun)可(ke)選(xuan)(常(chang)規Φ10~50mm),支(zhi)持真(zhen)空(kong)(≤10-4Pa)或(huo)惰(duo)性(xing)氣(qi)體(ti)氛圍(如(ru)N₂、Ar),避(bi)免(mian)樣(yang)品(pin)氧化(hua)或(huo)水汽(qi)幹擾。
配備光(guang)學窗口(石英/藍(lan)寶石材(cai)質(zhi)),可(ke)透(tou)過可(ke)見(jian)光、紫外光(guang)或(huo)紅(hong)外(wai)光(guang),滿(man)足原位顯(xian)微(wei)觀(guan)察、光譜分析等(deng)需(xu)求(qiu)。
動(dong)態(tai)力學(xue)與物理性(xing)能測試
可(ke)集成(cheng)拉(la)伸(shen)、壓(ya)縮(suo)、彎曲等(deng)力學(xue)夾具(ju),實現(xian)材料在高(gao)低(di)溫下的(de)應力-應變曲線、彈(dan)性模量(liang)、斷裂強(qiang)度等(deng)力學(xue)性能(neng)測試。
支(zhi)持介(jie)電常(chang)數(shu)、電阻(zu)率、熱膨(peng)脹系(xi)數 等(deng)物理參數的(de)原位(wei)測量(liang),適用(yong)於(yu)半(ban)導體(ti)材料、復(fu)合(he)材(cai)料(liao)的(de)溫度(du)響(xiang)應特性研究(jiu)。
二、可(ke)配(pei)合(he)使(shi)用(yong)的(de)設(she)備(bei)
Huace650T通過(guo)標(biao)準化(hua)接口(kou)(如(ru)機械固定(ding)孔位、電氣(qi)信號接口、光(guang)學通路(lu))與多(duo)種分析設(she)備(bei)聯用(yong),擴(kuo)展測試維(wei)度(du):
顯(xian)微(wei)成(cheng)像(xiang)設(she)備(bei)
光學顯(xian)微(wei)鏡(jing)/金相顯(xian)微(wei)鏡(jing):觀(guan)察樣品(pin)在溫(wen)度(du)變化(hua)中(zhong)的(de)微(wei)觀(guan)結構(gou)演變(如(ru)相變、裂紋擴展)。
掃(sao)描電子(zi)顯(xian)微(wei)鏡(jing)(SEM)/原子力顯(xian)微(wei)鏡(jing)(AFM):結合(he)專(zhuan)用(yong)轉(zhuan)接(jie)裝(zhuang)置,實現(xian)納(na)米級形(xing)貌(mao)與溫(wen)度場(chang)的(de)關(guan)聯分析(需(xu)定(ding)制真(zhen)空(kong)/高(gao)低(di)溫樣品(pin)臺接口(kou))。
光譜分析設(she)備(bei)
紫外-可(ke)見(jian)-近紅(hong)外(wai)分光光度計(ji)(UV-Vis-NIR):測試材(cai)料(liao)的(de) 透(tou)過率、吸收(shou)率、熒光(guang)光譜 隨(sui)溫度(du)的(de)變化(hua),用(yong)於(yu)光(guang)學材料(如(ru)量(liang)子點(dian)、光纖)的(de)性能(neng)評估。
拉(la)曼光譜儀/傅裏葉變換紅(hong)外(wai)光(guang)譜儀(FTIR):分析分子振動(dong)模式或(huo)官(guan)能團(tuan)的(de)溫度(du)依(yi)賴(lai)性,揭示(shi)材(cai)料(liao)的(de)化(hua)學結(jie)構(gou)變化(hua)。
電學(xue)與熱學(xue)測試設(she)備(bei)
精密LCR表/源表(biao):測量(liang)樣品(pin)的(de) 電阻(zu)、電容、介損(sun) 等(deng)電學(xue)參數,適用(yong)於(yu)半(ban)導體(ti)器(qi)件(如(ru)二極管(guan)、晶(jing)體(ti)管)的(de)高(gao)低(di)溫特性測試。
熱導(dao)儀/差(cha)示(shi)掃(sao)描量(liang)熱儀(yi)(DSC):聯用(yong)後(hou)可(ke)同(tong)步(bu)獲(huo)取(qu)熱導(dao)率、比熱容及相(xiang)變潛熱等(deng)熱學(xue)數據(ju),深(shen)入(ru)分析材料的(de)熱穩(wen)定(ding)性。
環境控(kong)制(zhi)與輔(fu)助設(she)備(bei)
真空(kong)系(xi)統/氣(qi)氛控(kong)制(zhi)系(xi)統:提(ti)供(gong)高(gao)真(zhen)空(kong)或(huo)特(te)定(ding)氣(qi)體(ti)氛圍,適配對環境敏(min)感(gan)的(de)樣品(pin)測試。
數據(ju)采(cai)集與控(kong)制(zhi)系(xi)統:通過(guo)軟件(如(ru)LabVIEW、MATLAB)實現溫(wen)度、力學(xue)參數、外(wai)部設(she)備(bei)數(shu)據(ju)的(de)同(tong)步(bu)采(cai)集與自動(dong)化(hua)分析。
三、應用(yong)領(ling)域
l 材料科(ke)學:金屬合(he)金的(de)相變研究(jiu)、高(gao)分子材料的(de)玻璃(li)化(hua)轉(zhuan)變溫度(du)(Tg)測試。
l 半(ban)導體(ti)與電子(zi):芯(xin)片封(feng)裝(zhuang)材(cai)料(liao)的(de)熱可(ke)靠(kao)性(xing)評估、柔性(xing)電子(zi)器(qi)件的(de)高(gao)低(di)溫耐(nai)久性(xing)測試。
l 新(xin)能(neng)源:電池(chi)電極材(cai)料的(de)溫度(du)依(yi)賴(lai)性電化(hua)學反(fan)應研究(jiu)、光(guang)伏材料(liao)的(de)光吸(xi)收(shou)效率溫度特性。
l 通過(guo)功(gong)能(neng)模塊(kuai)化(hua)設(she)計(ji)和(he)設(she)備(bei)聯用(yong)能(neng)力,Huace650T成(cheng)為(wei)高(gao)低(di)溫環境下多物理場(chang)耦合(he)測試的(de)核心(xin)平臺,滿足科(ke)研機構(gou)、企(qi)業研發中(zhong)的(de)高(gao)精(jing)度實驗需(xu)求(qiu)。


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