華(hua)測(ce)儀(yi)器(qi)壓電(dian)材料(liao)電(dian)場(chang)應(ying)變(bian)特性的(de)測(ce)試(shi)儀(yi)新(xin)品上(shang)市(shi)

華(hua)測(ce)儀(yi)器(qi)壓電(dian)材料(liao)電(dian)場(chang)應(ying)變(bian)特性的(de)測(ce)試(shi)儀(yi)新(xin)品上(shang)市(shi)

華(hua)測(ce)儀(yi)器(qi)全新(xin)推(tui)出的(de)微型(xing)激(ji)光(guang)測(ce)振(zhen)傳(chuan)感器,激(ji)光(guang)測(ce)振(zhen)儀(yi)是壹種小型(xing)激(ji)光(guang)傳感(gan)平(ping)臺(tai)，將這兩(liang)種(zhong)主(zhu)流(liu)的傳(chuan)感功(gong)能(neng)結合在(zai)壹個光(guang)學平(ping)臺(tai)上(shang)，可(ke)實(shi)現(xian)位移測(ce)量(liang)和(he)振(zhen)動(dong)測(ce)量(liang)等(deng)多(duo)種功(gong)能(neng)， 激(ji)光(guang)測(ce)振(zhen)儀(yi)在保持(chi)高精度測(ce)量(liang)的(de)同(tong)時(shi)還極大(da)降(jiang)低了模(mo)塊尺(chi)寸(cun)和(he)成(cheng)本。微型(xing)激(ji)光(guang)測(ce)振(zhen)傳(chuan)感器/激(ji)光(guang)測(ce)振(zhen)儀(yi)產(chan)品性能(neng)方面(mian)覆(fu)蓋(gai)從低頻到高頻甚(shen)至超聲(sheng)測(ce)量(liang)領域(yu)DC~2.5MHz的頻(pin)率範(fan)圍相應(ying)，較大(da)測(ce)量(liang)速(su)度20m/s，振(zhen)幅(fu)分(fen)辨(bian)率(lv)20pm，頻(pin)率(lv)精度小於(yu)0.1%

產(chan)品優(you)勢

1、無(wu)源(yuan)化(hua)：無(wu)源(yuan)化(hua)光(guang)纖光(guang)學頭(tou)設(she)計，不(bu)存在(zai)有源(yuan)電(dian)路。

2、便(bian)攜性：可(ke)固定於三腳架，配有為儀(yi)器(qi)定(ding)制的拉(la)桿箱(xiang)，方(fang)便(bian)攜帶

3、大(da)量(liang)程(cheng)：較大(da)測(ce)量(liang)範(fan)圍可(ke)達(da)到(dao)10m，較大(da)測(ce)量(liang)速(su)度可(ke)達(da) 24.5m/s。

4、可(ke)定(ding)制(zhi)：可(ke)根(gen)據(ju)客(ke)戶(hu)要求選擇適當量程(cheng)和(he)頻(pin)率(lv)範(fan)圍，為客(ke)戶(hu)進(jin)行定制(zhi)。

5、個性化(hua)軟(ruan)件：可(ke)根(gen)據(ju)客(ke)戶(hu)需(xu)求配(pei)備具有 實(shi)時(shi)評(ping)價測(ce)量(liang)結果、實(shi)時(shi)顯 示(shi)變(bian)化(hua)趨(qu)勢等(deng)智能化(hua)功(gong)能(neng) 的(de)軟(ruan)件。

6、非接觸(chu)式(shi)測(ce)量(liang)：可(ke)解(jie)決接觸(chu)式(shi)測(ce)量(liang)在(zai)實(shi)際 應(ying)用(yong)中受測(ce)量(liang)環(huan)境（高溫(wen)、 強(qiang)磁、腐蝕性材質(zhi)等(deng)）影響(xiang)而(er)無(wu)法(fa)完成的(de)測(ce)試(shi)。

7、完(wan)整(zheng)的(de)解決方案(an)：包(bao)含了光(guang)學調(tiao)試、電(dian)路去(qu) 噪(zao)、信(xin)號處(chu)理、數據(ju)采(cai)集及(ji) 軟(ruan)件分(fen)析(xi)功(gong)能(neng)。

8、人(ren)眼安全：采(cai)用(yong)人(ren)眼安全的(de)不(bu)可(ke)見紅(hong) 外光(guang)作為測(ce)量(liang)光(guang)。

主(zhu)要技(ji)術指(zhi)標(biao)：

鐵電(dian)分(fen)析(xi)儀(yi)

電(dian)壓範(fan)圍：0.1V ~ ±1000V（可(ke)調(tiao)）

頻(pin)率(lv)範(fan)圍：0.01Hz ~ 1MHz

溫(wen)度(du)範(fan)圍：-40°C ~ 300°C

數據(ju)采(cai)集速(su)率：較高1000點/秒，確(que)保高的精度的(de)測(ce)量(liang)

10kV功(gong)率(lv)放大(da)器(qi)

輸出電(dian)壓範(fan)圍：0 ~ 10KV 直流(liu)或(huo)峰(feng)值(zhi)交(jiao)流(liu)

輸出電(dian)流(liu)範圍：0 ~ 40mA 直流(liu)或(huo)峰(feng)值(zhi)交(jiao)流(liu)

輸入電(dian)壓範(fan)圍：0 - 10V 直流(liu)或(huo)峰(feng)值(zhi)交(jiao)流(liu)

輸入阻抗(kang)：25kΩ

直(zhi)流(liu)電(dian)壓增(zeng)益：1000V/V

直(zhi)流(liu)電(dian)壓增(zeng)益精度：優(you)於滿(man)量程(cheng)的0.2%

內(nei)部(bu)電(dian)容(rong)：300pF (高壓輸出)

直(zhi)流(liu)失調(tiao)電(dian)壓：低於±2V

小信(xin)號帶(dai)寬(kuan) (-3dB)：DC 優於10KHz

大(da)信(xin)號帶(dai)寬(kuan)(-3dB)：DC 優於5KHz

輸出噪(zao)聲(sheng)：低於40mV rms

激(ji)光(guang)測(ce)振(zhen)儀(yi)

指(zhi)示(shi)激(ji)光(guang)波長：636 nm

測(ce)量(liang)激(ji)光(guang)波長：1550 nm

工(gong)作(zuo)距(ju)離(li)：0.35 m ~ 10 m

小信(xin)號：10 kHz

較大(da)測(ce)量(liang)速(su)度：±24.5 m/s

位移範(fan)圍：±4900 mm

輸出電(dian)壓範(fan)圍：±10V

頻(pin)率(lv)範(fan)圍：DC～3MHz

采(cai)樣(yang)率(lv)：不(bu)低於15360000

激(ji)光(guang)測(ce)振(zhen)儀(yi)配合高低溫(wen)冷(leng)熱(re)臺(tai)對壓電(dian)器(qi)件(jian)測(ce)量(liang)

1. 連(lian)接到(dao)Huace FE-3000鐵電(dian)分(fen)析(xi)儀(yi)上(shang)的激(ji)光(guang)測(ce)振(zhen) 儀(yi)可(ke)精確(que)測(ce)量(liang)沈積在懸臂(bi)和(he)膜(mo)上(shang)或(huo)沈積在基板上(shang)的壓電(dian)薄膜(mo)的(de)壓電(dian)系(xi)數；

2. 鐵電(dian)測(ce)試(shi)系(xi)統(tong)與激(ji)光(guang)幹(gan)涉儀相結合，在(zai)D33振(zhen)動(dong)過程(cheng)中可(ke)以(yi)達(da)到0.2pA(0.02nm)分(fen)辨(bian)率(lv)；

3. 高低溫(wen)冷(leng)熱(re)臺(tai)可(ke)以(yi)添加(jia)到薄膜(mo)壓電(dian)測(ce)試(shi)套(tao)件(jian)中(zhong)，可(ke)以(yi)在(zai)單個樣品在(zai) -196℃至 600℃的溫(wen)度(du)中(zhong)進(jin)行測(ce)量(liang)。

激(ji)光(guang)測(ce)振(zhen)儀(yi)配合懸臂(bi)梁測(ce)量(liang)對(dui)薄膜(mo)應(ying)變(bian)測(ce)量(liang)

激(ji)光(guang)測(ce)振(zhen)儀(yi)與薄膜(mo)壓電(dian)測(ce)試(shi)(E31)相(xiang)結合，可(ke)測(ce)量(liang)沈積在懸臂(bi)上(shang)的壓電(dian)薄膜(mo)的(de)壓電(dian)系(xi)數(E31、D31和(he)E33)。 應(ying)用(yong)場景：壓電(dian)疲(pi)勞、壓電(dian)老化(hua)、過(guo)程(cheng)監(jian)控(kong)。