半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)料(liao)電(dian)阻率測(ce)試(shi)確(que)保惡(e)劣溫(wen)度下汽車零(ling)部(bu)件(jian)的試(shi)驗(yan)是(shi)其(qi)性(xing)能(neng)穩定(ding)的關(guan)鍵(jian)？

半導(dao)體(ti)材(cai)料(liao)電(dian)阻率測(ce)試(shi)確(que)保惡(e)劣溫(wen)度下汽車零(ling)部(bu)件(jian)的試(shi)驗(yan)是(shi)其(qi)性(xing)能(neng)穩定(ding)的關(guan)鍵(jian)？

產品(pin)概(gai)述(shu)：

高低(di)溫(wen)環境下的絕緣電(dian)阻測(ce)試(shi)技術(shu)用(yong)於(yu)預測(ce)EMC的HTRB性(xing)能(neng)。電(dian)介質樣品(pin)暴(bao)露(lu)在(zai)高電(dian)場強(qiang)度(du)和高溫(wen)環境下。在(zai)這種情(qing)況下，高分(fen)子聚(ju)合(he)物材(cai)料(liao)在(zai)高溫(wen)環境下具有(you)負(fu)阻(zu)性(xing)的特(te)征，電(dian)阻（率）隨(sui)著溫(wen)度的上(shang)升(sheng)而下降，HTRB性(xing)能(neng)之間的相(xiang)關性(xing)表(biao)明(ming)，隨(sui)著溫(wen)度的上(shang)升(sheng)電(dian)阻率越(yue)下降嚴重(zhong)，而HTRB性(xing)能(neng)越(yue)差(cha)，因(yin)此(ci)，材(cai)料(liao)的電(dian)阻率是HTRB失(shi)效(xiao)測(ce)量的壹(yi)個(ge)關(guan)鍵(jian)測(ce)量手段。關(guan)於(yu)環氧塑(su)封(feng)料(liao)（EMC， Epoxy Molding Compound）高(gao)低(di)溫(wen)測(ce)試(shi)技術(shu)，已證(zheng)明(ming)此(ci)測(ce)試(shi)方(fang)式(shi)是(shi)有效(xiao)的，同(tong)時加(jia)速(su)國產(chan)化(hua)IGBT、MOSFET等功率器(qi)件(jian)的研(yan)發(fa)。如無(wu)錫凱華(hua)、中科(ke)科(ke)化、飛凱材(cai)料(liao)等企業。

應用(yong)場景(jing)：

電(dian)子元(yuan)器(qi)件(jian)：在(zai)電(dian)子產品(pin)中，電(dian)容(rong)器(qi)、電(dian)阻器(qi)、半導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)等需(xu)要在(zai)不同溫(wen)度下進(jin)行試(shi)驗(yan)，以(yi)評(ping)估其(qi)性(xing)能(neng)和可靠性(xing)。例如(ru)，鋰(li)電(dian)池和太陽能(neng)電(dian)池在(zai)高低(di)溫(wen)環境下的表(biao)現(xian)直接(jie)影響其(qi)應(ying)用(yong)效(xiao)果(guo)，因此(ci)需(xu)要進(jin)行高低(di)溫(wen)試(shi)驗(yan)；新(xin)能(neng)源材(cai)料(liao)：對(dui)於(yu)新能(neng)源材(cai)料(liao)如(ru)鋰(li)電(dian)池和太陽能(neng)電(dian)池，高(gao)低(di)溫(wen)試(shi)驗(yan)尤(you)為(wei)重(zhong)要。這(zhe)些材(cai)料(liao)在(zai)惡(e)劣溫(wen)度下的性(xing)能(neng)表(biao)現(xian)直接(jie)關系到其(qi)實(shi)際應(ying)用(yong)效(xiao)果(guo)和壽命(ming)；汽車零(ling)部(bu)件(jian)：汽車零(ling)部(bu)件(jian)需(xu)要在(zai)不同的氣候(hou)條件(jian)下進(jin)行試(shi)驗(yan)，以(yi)評(ping)估其(qi)耐用(yong)性(xing)和可靠性(xing)。車(che)輛(liang)在(zai)不同氣候(hou)條件(jian)下會

遇到(dao)各種(zhong)惡(e)劣溫(wen)度，因(yin)此(ci)汽車零(ling)部(bu)件(jian)的高(gao)低(di)溫(wen)試(shi)驗(yan)是(shi)確(que)保其(qi)性(xing)能(neng)穩定(ding)的關(guan)鍵(jian)；半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)料(liao)：半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)料(liao)的電(dian)阻率測(ce)試(shi)在(zai)高低(di)溫(wen)條件(jian)下進(jin)行，可以用(yong)於(yu)測(ce)量矽(gui)（Si）、鍺（Ge）、砷化(hua)鎵(jia)（GaAs）、銻化銦（InSb）等材(cai)料(liao)的電(dian)阻率。這種(zhong)測(ce)試(shi)方(fang)法(fa)廣(guang)泛應用(yong)於(yu)半導(dao)體(ti)材(cai)料(liao)的研(yan)發(fa)和生產過(guo)程中。

1、消除(chu)電(dian)網諧(xie)波對(dui)采集精(jing)度(du)的影(ying)響

在(zai)超高阻、弱信號測(ce)量過(guo)程中、輸(shu)入(ru)偏置(zhi)電(dian)流和泄(xie)漏電(dian)流都會引起測(ce)量誤差。同時電(dian)網中大(da)量(liang)使用(yong)變(bian)頻(pin)器(qi)等高頻、高功(gong)率設備(bei)，將(jiang)對(dui)電(dian)網造(zao)成(cheng)諧(xie)波幹擾(rao)。以(yi)致(zhi)影(ying)響弱信號的采集，華(hua)測(ce)儀器(qi)公司(si)推出(chu)的抗(kang)幹擾(rao)模塊以(yi)及用(yong)最(zui)新(xin)測(ce)試(shi)分(fen)析(xi)技術(shu),實(shi)現(xian)了(le)高(gao)達1fA(10-15 A)的測(ce)量分(fen)辨率,從(cong)而滿(man)足(zu)了(le)很(hen)多(duo)半(ban)導(dao)體(ti),功能(neng)材(cai)料(liao)和納(na)米(mi)器(qi)件(jian)的測(ce)試(shi)需(xu)求。

2、消除(chu)不(bu)規則輸(shu)入(ru)的自(zi)動平(ping)均(jun)值功能(neng),更(geng)強(qiang)數(shu)據(ju)處理及內部(bu)屏(ping)蔽

自動(dong)平(ping)均(jun)值是檢測(ce)電(dian)流的變(bian)化，並(bing)自(zi)動(dong)將(jiang)其(qi)進(jin)行平(ping)均(jun)化的功(gong)能(neng)， 在(zai)查看(kan)測(ce)量結果(guo)的同(tong)時不需(xu)要改(gai)變(bian)設(she)置。通過(guo)自動(dong)排(pai)除(chu)充(chong)電(dian)電(dian)流的過(guo)渡(du)響應(ying)時或接(jie)觸(chu)不穩定(ding)導致(zhi)偏(pian)差較大(da)。電(dian)流輸(shu)入(ru)端(duan)口(kou)全(quan)新采用(yong)大(da)口(kou)徑(jing)三軸連(lian)接(jie)器(qi)，是將(jiang)內部(bu)屏(ping)蔽連(lian)接(jie)至(zhi)GUARD(COM)線(xian)，外部屏(ping)蔽連(lian)接(jie)至(zhi)GROUND的3層(ceng)同軸設計(ji)。兼顧(gu)抗(kang)幹擾(rao)的穩定(ding)性(xing)和高壓(ya)檢查時的安全(quan)性(xing)。

3、強大(da)的操(cao)作軟(ruan)件(jian)

測(ce)試(shi)系統的軟(ruan)件(jian)平(ping)臺 Huacepro ，基於(yu)labview系統開發(fa)，符合(he)功(gong)能(neng)材(cai)料(liao)的各項測(ce)試(shi)需(xu)求，具備強大(da)的穩定(ding)性(xing)與(yu)操(cao)作(zuo)安全(quan)性(xing)，並(bing)具(ju)備(bei)斷(duan)電(dian)資料(liao)的保(bao)存功(gong)能(neng)，圖(tu)像資料(liao)也(ye)可保存(cun)恢復。支(zhi)持(chi)最(zui)新(xin)的國(guo)際標(biao)準(zhun)，兼容(rong)XP、win7、win10系統。

產品(pin)參(can)數(shu)：

設備(bei)型(xing)號：SIR-450

溫(wen)度範圍：-185 ~ 350 °C

控(kong)溫(wen)精度(du)：0.5 °C

升溫(wen)斜率：10°C/min（可設定(ding)）

電(dian)阻：1×10¹⁶Ω

電(dian)阻率：1×10³ Ω ~ 1×10¹⁶Ω

輸(shu)入(ru)電(dian)壓(ya)：220V

樣品(pin)尺(chi)寸：φ＜25mm，d＜4mm

電(dian)極材(cai)料(liao)：黃銅或(huo)銀

夾具輔(fu)助(zhu)材(cai)料(liao)：99氧化(hua)鋁(lv)陶(tao)瓷

絕緣材(cai)料(liao)：99氧化(hua)鋁(lv)陶(tao)瓷

測(ce)試(shi)功(gong)能(neng)：高低(di)溫(wen)電(dian)阻率

數據(ju)傳輸(shu)：RS-232

設備(bei)尺(chi)寸：180 x 210 x 50mm