介(jie)電的(de)測量(liang)

介(jie)電是(shi)介(jie)電材料(liao)重(zhong)要(yao)的，壹般(ban)指(zhi)介(jie)電常(chang)數(shu)ε‘和(he)損(sun)耗角正切(qie)tanδ。對(dui)於(yu)不(bu)同的材料(liao)，在不(bu)同的條(tiao)件(jian)下(xia)，其(qi)測量(liang)方法(fa)各不(bu)相同。

GB 3389.7-86規定了(le)壓(ya)電(dian)陶瓷(ci)材料(liao)在強(qiang)交(jiao)電場作用下(xia)介(jie)電的(de)測量(liang)方法(fa)。標(biao)準采用1kHz高壓(ya)西(xi)林電(dian)橋(qiao)來測量(liang)，其測量(liang)原理圖如圖(tu)4.2-22所(suo)示，圖(tu)中(zhong)：U為1kHz高(gao)壓(ya)信(xin)號源；C_x為被(bei)測試(shi)樣；C_N為標(biao)準電容器；R₃,R₄為高頻(pin)十進(jin)可變(bian)電(dian)阻箱；C₄為可變(bian)電(dian)容箱；G為零(ling)值指(zhi)示(shi)器。

圖4.2-22 1kHz高壓(ya)西(xi)林電(dian)橋(qiao)原理圖

當上圖(tu)的電橋(qiao)達(da)到(dao)平(ping)衡(heng)時，下(xia)式成立

    (4.2-70)

Tanδ=ωC₄R₄                   (4.2-71)

式中(zhong)，C_X為被(bei)測試(shi)樣的(de)電(dian)容量(liang)；C_N為標(biao)準電容器的(de)電容(rong)量(liang)；R₃,R₄為電阻(zu)箱(xiang)的電阻值(zhi)；C₄為電容(rong)箱(xiang)的電容值(zhi)；ω為角頻(pin)率。

當tanδ≤0.1時，式（4.2-70）可用下(xia)式代替

                     (4.2-72)

壹般(ban)取ω=2πX1000rad/s,R₄=,則(ze)有(you)

                   (4.2-73)

Tanδ=C₄X10⁶                   (4.2-74)

根(gen)據式（4.2-73）可得

             (4.2-75)

式中(zhong)，ε‘為相對(dui)自(zi)由介(jie)電常(chang)數(shu)；ε₀為真空介(jie)電常(chang)數(shu)；t為試(shi)樣厚(hou)度(du)；A為(wei)試(shi)樣的(de)電(dian)極面(mian)積(ji)。