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          低壓漏電(dian)起(qi)痕試驗(yan)儀的試(shi)驗(yan)方(fang)法(fa)與測(ce)定

          更新時(shi)間(jian):2020-04-26      點擊次數:1775

          低(di)壓漏電(dian)起(qi)痕試驗(yan)儀的試(shi)驗(yan)方(fang)法(fa)與測(ce)定
           

            低壓漏電(dian)起(qi)痕試驗(yan)儀是(shi)按(an)IEC60695、GB4207/IEC60112等(deng)標準(zhun)要求(qiu)設計(ji)制(zhi)造的檢(jian)測(ce)儀器,適(shi)用(yong)於對電(dian)工(gong)電(dian)子產品(pin)、家(jia)用(yong)電(dian)器的固體絕緣材(cai)料及(ji)其產品(pin)模(mo)擬在(zai)潮(chao)濕(shi)條(tiao)件下(xia)相(xiang)比漏(lou)電(dian)起(qi)痕指數和(he)耐(nai)漏(lou)電(dian)起(qi)痕指數的測(ce)定(ding),具(ju)有(you)簡(jian)便(bian)、準(zhun)確、可靠、實(shi)用(yong)等(deng)特(te)點(dian)。漏電(dian)起(qi)痕試驗(yan)儀實物(wu)圖漏(lou)電(dian)起(qi)痕試驗(yan)儀實物(wu)圖用(yong)於照明(ming)設備、低壓電(dian)器、家(jia)用(yong)電(dian)器、機床電(dian)器、電(dian)機、電(dian)動工(gong)具(ju)、電(dian)子儀器、電(dian)工(gong)儀表、信息技(ji)術(shu)設(she)備的研(yan)究(jiu)、生產和(he)質(zhi)檢(jian)部(bu)門(men),也(ye)適(shi)用(yong)於絕緣(yuan)材(cai)料、工(gong)程塑料(liao)、電(dian)氣連接(jie)件、輔(fu)件(jian)行業等(deng)模(mo)擬仿(fang)真(zhen)試驗(yan)。
           

            實驗原理(li):漏電(dian)起(qi)痕試驗(yan)是(shi)在(zai)固體絕緣材(cai)料表面上,在(zai)規(gui)定(ding)尺(chi)寸(cun)(2mm×5mm)的鉑(bo)電(dian)極(ji)之(zhi)間(jian),施(shi)加(jia)某(mou)壹電(dian)壓並定時(shi)(30s)定(ding)高(gao)度(35mm)滴下(xia)規(gui)定液滴體積(ji)的汙染液(ye)體(ti)(0.1%NH4Cl),用(yong)以(yi)評(ping)價固體絕緣材(cai)料表面在(zai)電(dian)場和(he)汙染介(jie)質(zhi)聯(lian)合(he)作(zuo)用(yong)下(xia)的耐(nai)受能(neng)力,測(ce)定其(qi)相(xiang)比電(dian)痕化指數(CTI)和(he)耐(nai)電(dian)痕化指數(PTI)。
           

            試驗步(bu)驟(zhou) 
           

            在(zai)每(mei)次試驗(yan)前(qian)應清洗電(dian)極(ji),檢查兩電(dian)極(ji)之(zhi)間(jian)的距(ju)離(li)。(用(yong)附送(song)的寬(kuan)度(du)校(xiao)正片(pian)來(lai)校(xiao)正。校(xiao)正片(pian)上(shang)已(yi)刻(ke)有(you)兩(liang)個(ge)刻(ke)度線(xian),分(fen)別(bie)為30mm和(he)40mm,此(ci)用(yong)來校(xiao)正滴液針離(li)試樣(yang)的高(gao)度,壹般(ban)出廠(chang)以(yi)校(xiao)正好。)
           

            1、將被(bei)測試(shi)樣放(fang)在(zai)支(zhi)撐(cheng)板上(shang),試(shi)樣(yang)的被(bei)試表面呈不(bu)平(支(zhi)撐(cheng)板底(di)部(bu)安(an)裝(zhuang)了高(gao)度調(tiao)節桿(gan)),再(zai)把(ba)兩(liang)個(ge)電(dian)極(ji)的刃(ren)按(an)規定(ding)的力緊(jin)壓在(zai)試(shi)樣(yang)上(shang)。
           

            2、檢(jian)查兩電(dian)極(ji)之(zhi)間(jian)的距(ju)離(li),保(bao)證(zheng)電(dian)極(ji)和(he)試(shi)樣(yang)之(zhi)間(jian)良好的接(jie)觸。如果(guo)兩(liang)電(dian)極(ji)的邊緣被(bei)腐蝕(shi),則應重新(xin)磨(mo)尖(jian)。將(jiang)電(dian)壓調(tiao)節成可被(bei)25整除的壹個(ge)合適(shi)的值(zhi),調(tiao)節電(dian)路的電(dian)阻使(shi)短(duan)路(lu)電(dian)流在(zai)給定(ding)的偏差內。然後使(shi)電(dian)解液滴落在(zai)被(bei)試表面直(zhi)到(dao)形(xing)成電(dian)痕化而(er)產生破壞(huai)或直(zhi)到(dao)滴落50滴電(dian)解液為止。
           

            3、如(ru)果(guo)在(zai)試(shi)樣(yang)表面兩電(dian)極(ji)間(jian)的壹個(ge)導(dao)電(dian)通道中(zhong)流過0.5A或大(da)的電(dian)流持(chi)續(xu)至少2s,於是(shi)過電(dian)流繼電(dian)器動作(zuo);或繼電(dian)器雖(sui)未(wei)動作(zuo)而試(shi)樣燃燒了,則(ze)認(ren)為試樣(yang)已(yi)發(fa)生破壞(huai)。
           

            4、如(ru)果(guo)在(zai)同壹試(shi)樣上(shang)做多次試驗(yan),則(ze)應註(zhu)意試(shi)驗(yan)點之(zhi)間(jian)要有(you)足(zu)夠(gou)的間(jian)隔,使(shi)試(shi)驗(yan)點(dian)上(shang)飛濺(jian)的汙物不汙染其(qi)他的被(bei)試表面。
           

            5、因試驗(yan)可能(neng)產生有(you)害或有(you)毒(du)的氣(qi)體(ti),因此在(zai)試(shi)驗(yan)前(qian)應先(xian)按(an)下(xia)“排(pai)氣”按(an)鍵(jian),以(yi)排除這(zhe)些氣(qi)體。
           

            試(shi)驗測定:
           

            壹、CTI的測(ce)定(ding)
           

            1、調(tiao)節電(dian)壓到(dao)壹個(ge)預先(xian)選(xuan)擇好的值(zhi)並進(jin)行50滴試驗試樣(yang)不發(fa)生破壞(huai)或在(zai)50滴以(yi)內直(zhi)到(dao)出現(xian)破(po)壞(huai)。接(jie)著在(zai)試(shi)樣(yang)的其(qi)他試驗(yan)點上(shang)施(shi)加(jia)低(di)或高(gao)的電(dian)壓做試(shi)驗(yan),壹直(zhi)到(dao)得出在(zai)五(wu)個(ge)不(bu)同點上(shang)對於50滴溶(rong)液(ye)不(bu)發(fa)生破壞(huai)的大(da)電(dian)壓值,這(zhe)個大(da)電(dian)壓的數(shu)值(zhi)就(jiu)是(shi)CTI(例(li)如(ru)CTI425)。
           

            它是(shi)表示將這(zhe)個大(da)電(dian)壓值降低25V在(zai)另外(wai)的五(wu)個(ge)點(dian)上(shang)再(zai)進(jin)行壹步(bu)做試(shi)驗(yan),並在(zai)100滴落液下(xia)試(shi)樣沒有(you)發(fa)生破壞(huai),有(you)壹些(xie)材(cai)料可能(neng)不會(hui)滿(man)足後面這(zhe)個規(gui)定,對(dui)於這(zhe)些材(cai)料要(yao)確定出試(shi)樣(yang)在(zai)五(wu)個(ge)試(shi)驗(yan)點都能(neng)經受住100滴或多滴溶(rong)液(ye)的大(da)電(dian)壓值,並將這(zhe)個電(dian)壓數值(zhi)附在(zai)CTI中(zhong)表示出來(lai),例(li)如(ru)CTI425(375)。
           

            2、如(ru)果(guo)不(bu)知(zhi)道材(cai)料的,則(ze)起(qi)始(shi)電(dian)壓可選(xuan)取試驗範(fan)圍中(zhong)間(jian)值,例如(ru)300V。如(ru)果(guo)試(shi)樣經受住50滴液滴,那麽增(zeng)加(jia)電(dian)壓再(zai)做試(shi)驗(yan);如果(guo)不(bu)到(dao)50滴試樣發(fa)生破壞(huai),則(ze)降低電(dian)壓再(zai)做試(shi)驗(yan)。這(zhe)電(dian)壓的增(zeng)減(jian)量應當(dang)是(shi)25V或25V的倍(bei)數(shu)。繼續(xu)進(jin)行試(shi)驗,直(zhi)到(dao)獲得五個試樣(yang)經受住50滴的zui高(gao)電(dian)壓值。
           

            3、對(dui)於多數材(cai)料,50滴的電(dian)壓(在(zai)這(zhe)個電(dian)壓下(xia)試(shi)樣經受住50滴而沒有(you)形(xing)成電(dian)痕化)可認(ren)為接(jie)近漸(jian)近值。比50滴電(dian)壓低25V的試(shi)驗(yan)是(shi)為了進(jin)壹步(bu)證(zheng)明(ming)這(zhe)種情(qing)況,材(cai)料經受100滴而不發(fa)生電(dian)痕化的電(dian)壓比50滴電(dian)壓低得越多,這(zhe)個電(dian)壓離(li)漸(jian)近線就越遠(yuan)。
           

            註意:高(gao)的電(dian)壓下(xia)和(he)多於50滴液時(shi),試(shi)樣(yang)可能(neng)由於溶(rong)液(ye)和(he)汙染物(wu)積(ji)聚(ju)在(zai)試(shi)樣(yang)表面的凹(ao)痕和(he)小(xiao)孔(kong)處(chu)而發(fa)生破壞(huai)(由過電(dian)流繼電(dian)器的動(dong)作(zuo)表明),而不是(shi)由於導(dao)電(dian)通路引起(qi)。此(ci)時(shi)必須重新(xin)做試(shi)驗(yan),如果(guo)得不到(dao)定義(yi)規定(ding)的結(jie)果(guo),就(jiu)在(zai)試(shi)驗(yan)報(bao)告(gao)中(zhong)加(jia)以(yi)說明。
           

            二(er)、PTI(耐(nai)電(dian)痕化)的測(ce)定(ding)
           

            1、在(zai)材(cai)料規(gui)範標準(zhun)或電(dian)工(gong)設(she)備規範(fan)的標準(zhun)中(zhong),或其他標準(zhun)中(zhong),如(ru)果(guo)只(zhi)需(xu)要(yao)壹個(ge)耐電(dian)痕化試(shi)驗時(shi),應按(an)1進(jin)行試(shi)驗,但試驗只(zhi)在(zai)壹個(ge)規定(ding)的電(dian)壓下(xia)進(jin)行。規(gui)定數量的試(shi)樣(yang)應經受住50滴而不發(fa)生破壞(huai)。
           

            2、建議采用(yong)五個(ge)試(shi)樣(yang)。在(zai)特(te)殊情(qing)況下(xia),可規定(ding)少壹些(xie)試樣(yang)。
           

            3、優(you)先(xian)采用(yong)的試(shi)驗(yan)電(dian)壓為:175V,250V,300V,375V,或500V。耐電(dian)痕化指數縮寫為PTI。
           

            三、蝕(shi)損(sun)的測(ce)定(ding)
           

            1、將(jiang)沒(mei)有(you)發(fa)生電(dian)痕的試(shi)樣(yang)應清除掉(diao)粘(zhan)在(zai)其(qi)表面的碎(sui)屑(xie)或松(song)散(san)地(di)附著在(zai)上(shang)面的分(fen)解物,然後將(jiang)它放(fang)在(zai)深度(du)規(gui)的平板上(shang)。用(yong)壹個(ge)具有(you)半(ban)球形(xing)端部(bu)其(qi)直(zhi)徑為1mm的探(tan)針(zhen)來(lai)測(ce)量每(mei)個(ge)試樣(yang)的大(da)蝕(shi)損深度(du),準(zhun)確到(dao)0.1mm。應在(zai)試(shi)驗(yan)報(bao)告(gao)中(zhong)註(zhu)明五(wu)次測量的大(da)值(zhi)。
           

            2、當按(an)2試驗(yan)時(shi),應該(gai)在(zai)相(xiang)應於CTI的電(dian)壓下(xia)做過試(shi)驗(yan)的五(wu)個(ge)試(shi)樣(yang)上(shang)測(ce)量蝕(shi)損(sun)深度(du)。
           

            3、當(dang)按(an)3試驗(yan)時(shi),應該(gai)在(zai)規(gui)定(ding)的電(dian)壓下(xia)經受住50滴液滴的試(shi)樣(yang)上(shang)測(ce)量蝕(shi)損(sun)深度(du)。

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