LCR數字(zi)電(dian)橋有(you)哪(na)些(xie)功(gong)能(neng)

　　北京(jing)華(hua)測(ce)試(shi)驗儀(yi)器(qi)有(you)限(xian)公司(si)LCR數字(zi)電(dian)橋具(ju)體(ti)功(gong)能(neng)數字(zi)電(dian)橋就(jiu)是(shi)能夠(gou)測(ce)量(liang)電(dian)感，電容，電(dian)阻(zu)，阻(zu)抗(kang)的儀(yi)器(qi)，這是(shi)壹個(ge)傳統習(xi)慣(guan)的(de)說(shuo)法(fa)，zui早(zao)的(de)阻(zu)抗(kang)測(ce)量(liang)用(yong)的(de)是真正的(de)電橋方法(fa)，隨(sui)著現代(dai)模(mo)擬(ni)和(he)數字(zi)技術的發展，早(zao)已(yi)經(jing)淘(tao)汰(tai)了(le)這(zhe)種(zhong)測(ce)量(liang)方法(fa)，但(dan)LCR電橋的(de)叫法(fa)壹(yi)直沿(yan)用(yong)至(zhi)今。如(ru)果是(shi)使(shi)用(yong)了(le)微處理(li)器(qi)的LCR電(dian)橋則叫LCR數(shu)字(zi)電(dian)橋。壹(yi)般用(yong)戶又稱這些(xie)為：LCR測(ce)試(shi)儀(yi)、LCR電橋、LCR表(biao)、LCRMeter等等。可以(yi)測(ce)量(liang)大量(liang)電(dian)子元件(jian)：廣(guang)泛(fan)的(de)測(ce)量(liang)對(dui)象(xiang)半導體(ti)元(yuan)件(jian)：電容器(qi)、電感(gan)器(qi)、磁芯(xin)、電阻(zu)器(qi)、變壓器(qi)、芯(xin)片(pian)組件(jian)和(he)網(wang)絡元件等的阻抗(kang)參數(shu)測(ce)量(liang)。其(qi)它(ta)元(yuan)件：印(yin)制(zhi)電(dian)路(lu)板(ban)、繼電器(qi)、開關(guan)、電纜(lan)、電池等的阻抗(kang)評估(gu)。介質(zhi)材(cai)料：塑(su)料、陶瓷(ci)和(he)其(qi)它(ta)材(cai)料的介(jie)電常(chang)數(shu)的(de)損(sun)耗角(jiao)評估(gu)。磁性材(cai)料：鐵(tie)氧體(ti)、非晶體(ti)和(he)其(qi)它(ta)磁(ci)性材(cai)料的導磁(ci)率(lv)和(he)損(sun)耗角(jiao)評估(gu)。半導體(ti)材(cai)料：半導體(ti)材(cai)料的介(jie)電常(chang)數(shu),導電(dian)率(lv)和(he)C-V特性。液(ye)晶材(cai)料：液(ye)晶單(dan)元(yuan)的介(jie)電(dian)子常(chang)數(shu)、彈(dan)性常(chang)數(shu)等(deng)C-V特(te)性。多種(zhong)元件(jian)、材(cai)料特性測(ce)量(liang)能(neng)力多參(can)數(shu)混(hun)合(he)顯(xian)示(shi)功能(neng)多參數同(tong)時(shi)顯(xian)示(shi)可滿(man)足(zu)復雜元件(jian)各(ge)種(zhong)分(fen)布參數的觀(guan)察與(yu)評(ping)估(gu)要求，而(er)不(bu)必反復切(qie)換測(ce)量(liang)參(can)數。電感(gan)L和(he)其(qi)直流(liu)電阻DCR可以(yi)同(tong)時(shi)測(ce)量(liang)顯(xian)示(shi)，顯(xian)著(zhu)提(ti)高電感(gan)測(ce)量(liang)效率(lv)。揭示(shi)電感(gan)器(qi)件的(de)多種(zhong)特性使用(yong)內部/外部直流(liu)偏置(zhi)，結(jie)合(he)各(ge)種(zhong)掃(sao)描測(ce)試(shi)功能，可以(yi)地分(fen)析(xi)磁性材(cai)料、電感(gan)器(qi)件的(de)。通過(guo)偏置(zhi)電(dian)流(liu)疊(die)加(jia)測(ce)試(shi)功能，可以(yi)測(ce)量(liang)高(gao)頻(pin)電(dian)感(gan)器(qi)件、通訊(xun)變(bian)壓器(qi)，濾波器(qi)的小電流(liu)疊(die)加(jia)。使(shi)用(yong)外(wai)部電流疊(die)加(jia)裝(zhuang)置(zhi)，可使(shi)偏置(zhi)電(dian)流(liu)達(da)40A以(yi)分(fen)析(xi)高功率(lv)、大電(dian)流電感器(qi)件。的(de)陶瓷(ci)電容測(ce)量(liang)1kHz和(he)1MHz是陶瓷(ci)材(cai)料和(he)電容器(qi)的主(zhu)要測(ce)試(shi)頻(pin)率(lv)。陶瓷(ci)電容器(qi)具有(you)低(di)損(sun)耗值(zhi)的(de)特征，同(tong)時(shi)其(qi)容量(liang)、損(sun)耗施(shi)加(jia)之交流(liu)信(xin)號會(hui)產(chan)生(sheng)明顯(xian)的(de)變化。儀(yi)器(qi)具有(you)寬(kuan)頻(pin)測(ce)試(shi)能力並(bing)可提(ti)供(gong)良(liang)好(hao)的準(zhun)確(que)度，六位分(fen)辨(bian)率(lv)和(he)自動(dong)電平控制（ALC）功(gong)能等(deng)，中(zhong)以(yi)滿(man)足(zu)陶瓷(ci)材(cai)料和(he)電容器(qi)可靠(kao)、測(ce)試(shi)需要。液(ye)晶單(dan)元(yuan)的電(dian)容特(te)性測(ce)量(liang)電(dian)容－電(dian)壓（C－Vac)特(te)性是評價液(ye)晶材(cai)料的主(zhu)要方法(fa)，常(chang)規(gui)儀(yi)器(qi)測(ce)量(liang)液(ye)晶單(dan)元(yuan)的C－Vac特(te)性遇到壹(yi)個問(wen)題是zui大測(ce)試(shi)電壓不(bu)夠(gou)。使用(yong)擴(kuo)展測(ce)量(liang)選(xuan)件可提(ti)供(gong)分(fen)辨(bian)率(lv)為1%及zui高(gao)達(da)20Vms的(de)可編(bian)程(cheng)測(ce)試(shi)信號電(dian)平，使它(ta)能(neng)在(zai)*條(tiao)件下(xia)進行液(ye)晶材(cai)料的電(dian)容特(te)性測(ce)量(liang)。半導體(ti)材(cai)料和(he)元件(jian)的測(ce)量(liang)進(jin)行MOS型(xing)半導體(ti)制(zhi)造工藝評價(jia)時(shi)，需(xu)要氧(yang)化層電容和(he)襯底(di)雜質密(mi)度這(zhe)些(xie)參(can)數(shu)，這些(xie)可從(cong)C－Vdc特性的測(ce)量(liang)結(jie)果(guo)推導出(chu)來(lai)。通過(guo)提(ti)供(gong)的(de)直流(liu)源(yuan)，結(jie)合(he)各(ge)種(zhong)掃(sao)描功能，可以(yi)方便(bian)地完成(cheng)C-VDC特(te)性的測(ce)量(liang)。為了測(ce)試(shi)晶圓上(shang)的(de)半導體(ti)器(qi)件，需(xu)要延(yan)伸(shen)電纜(lan)和(he)探(tan)頭，儀(yi)器(qi)的1m/2m/4m延(yan)伸(shen)電纜(lan)選(xuan)件可將(jiang)電纜(lan)延伸(shen)的誤(wu)差降至(zhi)zui小。各(ge)種(zhong)二極管、三(san)極管、MOS管的分(fen)布電容也是(shi)本(ben)儀(yi)器(qi)的測(ce)試(shi)內容。